公开(公告)号：CN85100131B

公开(公告)日：1987-02-25

申请号：CN85100131

申请日：1985-04-01

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  侯东彦 ,  陈必贤 ,  马腾阁 ,  林惠旺 ,  李志坚

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高（每小时六十片以上）。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既适合于制作１μｍ短沟超大规模集成电路和浅ＰＮ结（结深为０．２μｍ）器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅ＰＮ结的欧姆结制作。

公开(公告)号：CN85100131A

公开(公告)日：1986-07-23

申请号：CN85100131

申请日：1985-04-01

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  侯东彦 ,  陈必贤 ,  马腾阁 ,  林惠旺 ,  李志坚

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既合适于制作1μm短沟超大规模集成电路和浅pn结(结深为0.2μm)器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅pn结的欧姆结制作。

公开(公告)号：CN2106421U

公开(公告)日：1992-06-03

申请号：CN91219291.7

申请日：1991-08-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  侯东彦 ,  陈必贤 ,  林惠旺 ,  李志坚

IPC: H01L21/324

Abstract: 红外快速热处理设备，属于超大规模集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本实用新型特征是由微机系统、红外热处理石英腔、悬臂传送片机构、双门过渡腔、自动取放片机构、高频感应加热源、测温与控温装置、气路及其控制等构成，微机自动控制半导体片的取放与传送、过渡腔双门的开闭、半导体片热处理温度和时间以及多路气体的流量从而实现自动快速热处理半导体片的目的，适用于集成电路和半导体器件的研制和工业化大生产。

公开(公告)号：CN87202679U

公开(公告)日：1988-01-13

申请号：CN87202679

申请日：1987-03-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  侯东彦 ,  陈必贤 ,  马腾阁 ,  林惠旺 ,  李志坚

IPC: H01L21/324

Abstract: 半导体快速热处理系统的石英腔属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。其要点是采用了双层石墨板作红外辐射源，并解决了双层石墨板加热半导体片测温问题，双层石墨板外加装了涂有介质膜的红外反射板，使半导体片的升温速率加快，并使能耗降低了70％以上。