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公开(公告)号：CN115394656A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210931656.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物膜及高性能钙钛矿太阳电池的制备方法，该方法利用相关金属单质膜直接通过快速热处理氧化形成氧化物膜，该氧化物膜可以应用在钙钛矿太阳能电池中；具体地，通过利用快速热处理将金属单质完全氧化形成氧化物电子传输层，从而形成高质量且可以在多种基底上生长，该方法还特别适用于往大面积器件方向拓展，利用该传输层获得光电转换效率、短路电流提高的钙钛矿太阳能电池。本发明中利用上述快速热处理形成的电子传输层来制备钙钛矿太阳电池的方法工艺简单有效，对于制备大面积、低成本的钙钛矿太阳电池具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN114836834B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210776964.X
申请日：2022-07-04
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种PVT法连续生长单晶碳化硅的装置及方法，包括：晶体生长设备，所述晶体生长设备用于碳化硅晶体的PVT法生长；上料设备，所述上料设备包括固体粉末源和气流源，所述固体粉末源与气流源可分离，上料设备采用带载模式或鼓泡模式上料；混料设备，所述混料设备连接于上料设备和晶体生长设备之间，利用混料设备进行多级混料，在进入晶体生长设备之前将固体粉末气流搅拌均匀。本发明中，实现碳化硅晶体生长的原料持续供给，且选择性的采用带载模式或鼓泡模式进气，采用带载模式进气，能够快速生长碳化硅晶体，或者采用鼓泡模式进气，能稳定的生长碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN115321544A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210917720.9
申请日：2022-08-01
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/12
Abstract: 本发明公开了一种高纯石英砂的超声波震荡‑电吸附清洗方法和提纯工艺。本发明使用超纯水作为高纯石英砂的处理液，并利用超声波震荡辅助分离石英砂表面的金属离子、带电粒子，与此同时，通过电吸附技术将溶液中的金属离子、带电粒子等吸附到两侧的电极上，从而实现高效去除高纯石英砂表面附着杂质的目的，解决了现有石英砂提纯工艺中杂质残留致使石英砂纯度难以提高的问题。本发明提供的高纯石英砂提纯工艺利用超声波震荡清洗配合电吸附技术，可以有效清除在浮选、酸浸工艺后残留在石英砂表面的金属阳离子及带电粒子，配合后续的高温脱羟和高温氯化工艺，可实现4N8以及5N的高纯石英砂的制备。
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公开(公告)号：CN114800253B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210627321.9
申请日：2022-06-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明具体涉及硅晶圆加工技术领域，具体为一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法，所述碳化硅晶圆的研磨装置包括：研磨机构，所述研磨机构包括研磨驱动机构和研磨基座，所述研磨驱动机构为碳化硅晶圆片的旋转研磨提供动力；研磨液供给源，所述研磨液供给源包括研磨液、磁流变液和磁场，通过磁场使磁流变液形成磁簇，从而控制研磨液中研磨颗粒的运动轨迹；磨粒回收机构，所述磨粒回收机构包括磁力控制设备，通过磁力控制设备对研磨颗粒和磁流变液分离，之后对研磨颗粒进行回收。本发明使研磨液中的研磨颗粒分布均匀，使碳化硅晶圆片的表面研磨均匀，研磨结束后，通过磁力控制设备的表面可控的产生磁性，对研磨颗粒集中收集，对磁流变液进行循环使用。
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公开(公告)号：CN114540771A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210209236.0
申请日：2022-03-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开涉及一种纯无机铅卤钙钛矿的X射线探测器及其制备方法和应用，制备方法包括将涂有SnO2中间层的导电衬底置于双温区管式炉的低温区，将前驱体粉末置于双温区管式炉高温区作为蒸发源；石英管抽真空后，将所述低温区和高温区分别升温至100～300℃和550～660℃，通入载气，保温20～40min，在SnO2中间层上形成钙钛矿膜，得到所述纯无机铅卤钙钛矿吸收层。该吸收层中钙钛矿层形貌良好，平整性高，稳定性好，制备的器件X射线灵敏度高，同时具有较好的稳定性和很低的暗电流，适用于X射线探测及成像应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114496728A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111654707.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种低缺陷碳化硅外延材料制备方法，涉及碳化硅外延材料的技术领域，向反应室通入氩气和氯化氢与氢气组成混合气体来对碳化硅偏轴衬底进行5～20min的原位刻蚀。氯化氢与氢气的通入使碳化硅偏轴衬底表面Si组分和C组分达到相似的去除速度，从而获得更光滑的衬底表面，氩气的通入使反应室内的温场更均匀的同时，减少了反应室中由氯化氢与氢气刻蚀碳化硅偏轴衬底产生的各项异性，减少了表面刻蚀的不均匀性以及衬底延伸至外延层的表面缺陷，后经缓冲层生长以及外延层生长获得的碳化硅外延材料具有低表面缺陷密度和高均匀性的优点。
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公开(公告)号：CN114059162B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210042869.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法，氧化镓晶体生长装置，包括炉体、籽晶棒提拉装置和漂浮物去除装置，漂浮物去除装置包括升降机构、旋转驱动机构和粘接杆，旋转驱动机构与粘接杆相连并控制粘接杆的旋转，粘接杆下端对准铱金坩埚开口，粘接杆外侧套设有与旋转驱动机构、炉体相连的伸缩管，升降机构与旋转驱动机构相连并控制粘接杆的升降情况，粘接杆上端与籽晶棒提拉装置偏心安装，晶体生长方法包括以下步骤：氧化镓原料的熔化；漂浮物的去除；晶体生长；氧化镓单晶晶体的获取。本发明具有去除氧化镓熔体表面漂浮物使得籽晶顺利与氧化镓熔体接触，保证后续晶体顺利生长，生长出可根据需要切割出任意晶面的氧化镓晶体等优点。
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公开(公告)号：CN114427115A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210338379.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶片制造技术领域，公开了一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：将碳化硅晶锭作为阳极通过碳化硅晶锭上的导电层连接电压输出端并在刻蚀液中设置阴极连接电压输入端；采用大于所述单晶层对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述碳化硅晶锭表面；在照射的过程中，向所述碳化硅晶锭提供正恒电位并对所述刻蚀液进行微波加热，实现单晶层的剥离，得到碳化硅单晶片。本发明采用的刻蚀工艺方法，可快速获得厚度可控的碳化硅单晶片。
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公开(公告)号：CN114318551A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210244788.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
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公开(公告)号：CN114203527A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111535802.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置，装置包括真空加热腔室、均温台和等离子体发生器，真空加热腔室内设有加热器，均温台设置在真空加热腔室内，碳化硅晶片放置在均温台上，真空加热腔室与抽真空装置相连，真空加热腔室上设有进气口，真空加热腔室上设有与进气口相连通的等离子体发生腔，等离子体发生器与等离子体发生腔相对设置，在富含硅气氛下通过采用等离子体辅助化学气相沉积方法使得碳化硅晶片表面沉积二氧化硅薄膜，有效防止碳化硅晶片中硅组分在高温下升华溢出，碳化硅晶片整个表面可沉积高质量的二氧化硅薄膜进而形成高质量SiC/SiO2界面。
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