一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法

    公开(公告)号:CN107164802A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710234839.5

    申请日:2017-04-12

    Applicant: 济南大学

    CPC classification number: C30B28/06 C30B29/06 C30B30/02

    Abstract: 本发明公开了一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法。其步骤如下:(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧,并保持平行;(2)电极板外接高压电源,给电极板输出稳定电压;(3)保持电场强度稳定在1V/cm‑100000V/cm范围中某一具体值,进行多晶硅铸锭工艺;(4)铸锭结束,极板断电,即得到性能优异的多晶硅铸锭。本发明可使多晶硅晶粒变大、取向性增强,并且可以将多晶硅中多种带电杂质高效的去除,大幅提高多晶硅质量,操作简单,稳定性好,能够进行批量生产。图1为实施例1、2中电场施加示意图;其中1导线,2石墨电极,3铸锭坩埚,4高压电源。

    一种半透明钙钛矿太阳能电池及其组装技术

    公开(公告)号:CN107068866A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201611225912.4

    申请日:2016-12-27

    Applicant: 济南大学

    Inventor: 万兴兴 曹丙强

    CPC classification number: Y02E10/549 H01L51/4213 H01L51/42

    Abstract: 本发明属于半导体光电子技术领域,具体为一种半透明钙钛矿太阳能电池及其组装技术,该电池结构从下至上依次为第一透明电极基板、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层、第二透明电极基板,其中第二透明电极基板具体为导电层/光减反层复合结构,其中导电层为超薄金属Ag、银纳米线或石墨烯;光减反层为MoO3或MgF2,其中除钙钛矿层为半透明结构外,其它层均为透明结构,从而有效提高了电池整体平均透过率,各层间形成良好的能级匹配,降低了电池整体的串联电阻,进而提高电池的光电转换效率、稳定性等。同时,本发明采用全新的透明电极,摒弃了传统透明电极ITO中原材料日益稀缺的不足,其优化的性能和稳定的结构为半透明钙钛矿太阳能电池的商业化应用提供了新的思路。

    一种在陶瓷管上原位生长海胆状Fe<base:Sub>2</base:Sub>O<base:Sub>3</base:Sub>纳米针的方法

    公开(公告)号:CN106866181A

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201710095842.3

    申请日:2017-02-22

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长海胆状Fe2O3纳米针的方法,属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法,包括以下步骤:(1)将陶瓷管置于氯化铁和硫酸钠的混合溶液中,进行水热反应;(2)水热反应完成后,将陶瓷管在马弗炉中进行退火处理。本发明制备出海胆状Fe2O3纳米针的关键在于水热反应温度和水热反应时间的控制。首次公开了在氧化铝陶瓷管上原位生长海胆状氧化铁纳米针的方法。本发明的方法,无需事先制备出涂覆法所需粉末,无需手工涂覆;而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出海胆状氧化铁纳米针。海胆状氧化铁纳米针的制备过程也是气敏陶瓷管的制备过程;步骤简单、耗时短;简化了传统气敏陶瓷管的制备工艺,省时省力,节约成本。

    一种用于氧化锌纳米线及阵列生长的十字架(+)型激光烧蚀管式炉

    公开(公告)号:CN105947974A

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201610283003.X

    申请日:2016-05-03

    Applicant: 济南大学

    CPC classification number: B82B3/0004 B82Y30/00 B82Y40/00 C30B28/02 C30B29/16

    Abstract: 本发明公开了一种用于氧化锌纳米线及阵列生长的激光烧蚀十字架(+)型管式炉,包括靶材控制系统、载气流量控制系统、衬底加热系统、炉体、十字型石英管、真空获得与控制系统。本发明的激光烧蚀十字架(+)型管式炉具有高真空,靶材更换方便,实验方案灵活多变;能够实时掺杂,沉积速率可调等。(1)通过激光烧蚀十字架(+)型管式炉装置,可在蓝宝石衬底上生长高密度(10/μm2)氧化锌纳米线阵列;(2)通过在衬底上生长一层氧化锌缓冲层,用激光烧蚀十字架(+)型管式炉装置生长低密度(0.1/μm2)氧化锌纳米线阵列;(3)在缓冲层上生长的氧化锌纳米线阵列的密度,随着靶材与衬底之间距离的增大而增大。

    一种恒流充放电法生长储能电极材料的方法

    公开(公告)号:CN105280400A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510674567.1

    申请日:2015-10-19

    Applicant: 济南大学

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明涉及一种恒流充放电法生长储能电极材料的方法,其步骤如下:将导电衬底作为工作电极,并与对电极、参比电极一起放入材料生长溶液中,在电压为-5~5V和电流为0.0001~10A的条件下利用恒流充放电技术,连续充放电10~10000次即可得到具有自修复功能的储能电极材料。本发明仅通过恒流充放电过程完成材料生长,简单易行,得到的储能电极材料在应用过程中具有自修复功能,可有效的解决电极材料因反复充放电而导致电极材料的粉化脱落的问题。

    一种厚度可控纳米多孔金属薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104372300A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410603878.4

    申请日:2014-11-03

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种激光脉冲沉积制备纳米多孔金属薄膜的方法,首先根据所需比例制作镂空的A金属片,A金属片与B金属片复合作为靶材;然后在衬底上用脉冲激光沉积方法以靶材为原料沉积一层合金薄膜,真空腔内真空度10-5-105Pa,薄膜沉积时衬底温度为50-1100摄氏度,激光频率为1-10Hz,激光能量为50-300mj,根据脉冲激光次数和激光能量密度调节合金薄膜厚度。将合金薄膜放入退火炉中在80-1000摄氏度下退火0.5-6小时。将退火处理的合金薄膜放入浓度1-10wt%NaOH或1-10wt%H2SO4溶液中浸泡脱合金,得到纳米多孔金属薄膜。本发明无需高温熔炼合金,薄膜厚度可根据脉冲次数精确可控,节省原料,孔径可根据加热保温时间调节。

    一种SnO2纳米管的制备方法及气体传感器应用

    公开(公告)号:CN104098124A

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201310118280.1

    申请日:2013-04-08

    Applicant: 济南大学

    Inventor: 张军 郭静 曹丙强

    Abstract: 本发明涉及一种SnO2纳米管的制备方法和及其在气体传感器中的应用。本发明的SnO2纳米管采用牺牲模板法制备,使用廉价易得的KMnO4,MnSO4·H2O,SnCl2·2H2O和去离子水。首先利用水热反应制备MnO2纳米棒牺牲模板,然后通过氧化还原反应得到Sn(OH)x前驱体,再经过焙烧得到SnO2纳米管。在酸性条件下,MnO2具有氧化性,Sn2+具有还原性,二者会发生氧化还原反应,MnO2被还原成Mn2+,Sn2+被氧化成Sn4+,同时在纳米棒模板表面水解生成Sn(OH)x。本发明的牺牲模板法步骤简单,免除了模板的后期处理过程,不会对SnO2纳米管的成分和结构造成污染和破坏;SnO2纳米管材料具有独特的中空结构和较大的表面体积比,对乙醇表现出良好的响应-恢复速度和较高的灵敏度,是一种很有前景的气敏材料。

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