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公开(公告)号：CN105040107A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510294228.0
申请日：2015-06-02
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法。方法如下：将基片置于匀强电场中；调节电场方向，使基片表面与电场负方向成 α角度，0≤α≤360o，电场强度1×10-6 V/nm≤ E≤5V/nm；在此外加静电场条件下，在基片上进行半导体材料的掺杂生长实验。本发明在半导体材料的生长过程中引入匀强电场的辅助作用，施加严格控制的外加静电场对半导体材料的晶核取向、形核密度、形貌产生有效影响，对杂质原子在半导体材料中的缺陷形成能进行调控，能够有效提高杂质固溶度和替位杂质比率，提高掺杂半导体材料的晶体品质。
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公开(公告)号：CN107154349A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710234840.8
申请日：2017-04-12
Applicant: 济南大学
IPC: H01L21/268 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/268 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光辐射辅助制备半导体p‑n结的方法，制备工艺如下：以激光器作为辐照源，激光能量密度为1‑1000mJ/cm2内的一个固定值，频率设置为1‑50Hz内的一个固定值；以基底上生长的掺杂半导体薄膜为辐照目标，控制制备过程中基底的温度为100‑2000℃中的一个固定值；在气体气氛或真空下，使部分试样被脉冲激光反复辐照，辐照时间为1‑300秒，至计时结束，被辐照和未被辐照的部分形成半导体p‑n结。本发明的创新之处在提高了可控性的同时，简化了制备工艺，提升了电子器件的制造精度。
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公开(公告)号：CN105702480A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610026300.6
申请日：2016-01-16
Applicant: 济南大学
IPC: H01G11/84
Abstract: 本发明专利公开了一种滤纸基对称型柔性超级电容器的制备方法，其步骤如下：首先用AgNO3和乙二醇制备超长银纳米线；然后，将超长银纳米线乙醇溶液倒入过滤装置中，减压抽滤，直到超长银纳米线完全覆盖滤纸表面，以同样的方法将超长银纳米线完全覆盖滤纸另一面；接着将滤纸浸入MnSO4溶液中，连接三电极体系，用电化学工作站在0.01~5V的电压下生长1~60分钟，在滤纸两边各生长一层锰氧化物，从而获得一种对称型柔性超级电容器。本发明通过简单易行的操作过程即可得到对称性良好的柔性超级电容器。
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公开(公告)号：CN105529112A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610019889.7
申请日：2016-01-13
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种滤纸基底聚苯胺与银纳米线复合导电材料的制备方法，步骤如下：首先将聚苯胺溶解在N-甲基吡咯烷酮溶液中，搅拌24h，取上清液均匀的滴在滤纸上，快速抽滤；然后将长度为0.05μm~100μm、直径为30~200nm的银纳米线乙醇溶液倒入过滤装置中，减压抽滤，直到银纳米线完全覆盖在滤纸表面；接着，将上述的衬底在惰性气体条件下退火1~30min，退火温度为50~150摄氏度；最后，再滴加聚苯胺上清液，减压抽滤，得到滤纸基底聚苯胺与银纳米线复合导电材料。本发明操作简单，得到的复合材料导电性能良好，比表面积大，具有一定柔韧性，可制备柔性储能器件。
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公开(公告)号：CN107715888A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710721365.7
申请日：2017-08-22
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO/NiO薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：在三电极系统中，将工作电极、对电极、参比电极一起放入生长溶液中，通过恒电位沉积获得Zn/Ni复合材料，并在空气中煅烧进而获得ZnO/NiO薄膜材料。本发明仅通过恒电位沉积以及高温煅烧即可获得ZnO/NiO材料，操作简单，性能稳定，且在太阳能电池等电子器件方面有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105529112B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610019889.7
申请日：2016-01-13
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种滤纸基底聚苯胺与银纳米线复合导电材料的制备方法，步骤如下：首先将聚苯胺溶解在 N-甲基吡咯烷酮溶液中，搅拌24 h，取上清液均匀的滴在滤纸上，快速抽滤；然后将长度为0.05 μm~100 μm、直径为30~200 nm的银纳米线乙醇溶液倒入过滤装置中，减压抽滤，直到银纳米线完全覆盖在滤纸表面；接着，将上述的衬底在惰性气体条件下退火1~30 min，退火温度为50~150摄氏度；最后，再滴加聚苯胺上清液，减压抽滤，得到滤纸基底聚苯胺与银纳米线复合导电材料。本发明操作简单，得到的复合材料导电性能良好，比表面积大，具有一定柔韧性，可制备柔性储能器件。
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公开(公告)号：CN104372300B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410603878.4
申请日：2014-11-03
Applicant: 济南大学
IPC: C23C14/35 , H01L21/285 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种激光脉冲沉积制备纳米多孔金属薄膜的方法，首先根据所需比例制作镂空的A金属片，A金属片与B金属片复合作为靶材；然后在衬底上用脉冲激光沉积方法以靶材为原料沉积一层合金薄膜，真空腔内真空度10-5-105Pa，薄膜沉积时衬底温度为50-1100摄氏度，激光频率为1-10Hz，激光能量为50-300mj，根据脉冲激光次数和激光能量密度调节合金薄膜厚度。将合金薄膜放入退火炉中在80-1000摄氏度下退火0.5-6小时。将退火处理的合金薄膜放入浓度1-10wt% NaOH或1-10wt% H2SO4溶液中浸泡脱合金，得到纳米多孔金属薄膜。本发明无需高温熔炼合金，薄膜厚度可根据脉冲次数精确可控，节省原料，孔径可根据加热保温时间调节。
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公开(公告)号：CN105244187A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510674764.3
申请日：2015-10-19
Applicant: 济南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种“锰氧化物烯”MnxOy薄膜电极材料的制备方法。其步骤如下：首先，将阻值为100Ω~100GΩ的电阻串联于对电极和电化学工作站之间，将对电极、工作电极和参比电极置于浓度为0.1M~2.5M的Mn(CH3COO)2或MnSO4溶液中，在电流为0.01mA~20mA和电压为0.01V~5V条件下沉积0.1~60分钟，得到锰氧化合物薄膜；然后，将Mn(CH3COO)2或MnSO4溶液换成浓度为0.01-6M NaSO4溶液，利用循环伏安或恒流充放电技术多次充放电，对MnxOy薄膜进行电化学退火，得到“锰氧化物烯”MnxOy薄膜电极材料。本发明方法操作简单，得到的“锰氧化物烯”MnxOy薄膜具有比表面积大，导电性能好，性能优异，有利于提高MnxOy薄膜超级电容器电极材料的性能。
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公开(公告)号：CN105702480B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610026300.6
申请日：2016-01-16
Applicant: 济南大学
IPC: H01G11/84
Abstract: 本发明专利公开了一种滤纸基对称型柔性超级电容器的制备方法，其步骤如下：首先用AgNO3和乙二醇制备超长银纳米线；然后，将超长银纳米线乙醇溶液倒入过滤装置中，减压抽滤，直到超长银纳米线完全覆盖滤纸表面，以同样的方法将超长银纳米线完全覆盖滤纸另一面；接着将滤纸浸入MnSO4溶液中，连接三电极体系，用电化学工作站在0.01~5V的电压下生长1~60分钟，在滤纸两边各生长一层锰氧化物，从而获得一种对称型柔性超级电容器。本发明通过简单易行的操作过程即可得到对称性良好的柔性超级电容器。
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公开(公告)号：CN107164802A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710234839.5
申请日：2017-04-12
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法。其步骤如下：(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；(2)电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；(3)保持电场强度稳定在1V/cm‑100000V/cm范围中某一具体值，进行多晶硅铸锭工艺；(4)铸锭结束，极板断电，即得到性能优异的多晶硅铸锭。本发明可使多晶硅晶粒变大、取向性增强，并且可以将多晶硅中多种带电杂质高效的去除，大幅提高多晶硅质量，操作简单，稳定性好，能够进行批量生产。图1为实施例1、2中电场施加示意图；其中1导线，2石墨电极，3铸锭坩埚，4高压电源。
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