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公开(公告)号：CN102721471B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210224778.1
申请日：2012-07-02
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G01J3/46
摘要： 本发明的技术方案涉及光谱领域，具体地说是一种光谱转换为色度的方法，步骤是：光谱图像的采集和数字化处理；计算机进行光谱图像的预处理；计算机对光谱图像中的横、纵坐标和光谱曲线加以识别，并从光谱图像中提取光谱数据；计算机显示光谱数据，并将提取数据绘制成光谱曲线；光谱数据逼近和插值处理；通过光谱强度与三刺激值乘积，然后使用离散化求和计算出X、Y和Z值，并由计算机显示色度(x,y)值。本发明方法克服了现有技术不能够快速识别光谱曲线，提取光谱数据，并自动转换成色度的缺点。
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公开(公告)号：CN101872685B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010173784.X
申请日：2010-05-17
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、染料敏化纳米晶多孔膜、微晶硅空穴传输层和背电极构成；所述染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在透明导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，由铝或铜构成的膜被镀在固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜上形成背电极。本发明将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料相互匹配复合，所制得的固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高的缺点。
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公开(公告)号：CN111523401A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010246028.9
申请日：2020-03-31
申请人： 河北工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十三研究所
摘要： 本发明一种识别车型的方法，涉及用于识别图形的方法，是基于车辆可见光和红外图像的深度学习神经网络车型识别的方法，利用深度学习神经网络的卷积层、批量归一化层和赤化层全连接层的深度学习神经网络标准化模块结构，并采用相同尺寸的不同车型可见光和红外图像对深度学习神经网络训练和测试，克服了注重车辆可见光图像特征而忽略红外图像特征和注重车辆红外图像特征而忽略可见光图像特征两种方法以及使用车辆可见光图像和红外图像特征而没有使用深度学习神经网络的方法造成的车型识别准确率不高的缺陷。
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公开(公告)号：CN111460186A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010241659.1
申请日：2020-03-31
申请人： 河北工业大学 , 天津金沃能源科技股份有限公司
IPC分类号： G06F16/51
摘要： 本发明包含车辆可见光图像和红外图像数据库的建立方法，涉及道路车辆的交通控制系统，该方法分别采集同种类型车辆的可见光图像和红外图像，在所采集的图像中标出包含车辆的矩形区域，调整矩形区域为正方形区域，以正方形区域截取车辆图像，并调整为规定边长20～120像素的正方形图像，相同车型的可见光图像和红外图像分别保存在各自的文件夹中，克服了现有技术中的车辆图像数据库无法同时体现出车辆的可见光特征及红外特征，存在注重车辆的可见光特征而忽略车辆的红外特征或者注重车辆的红外特征忽略车辆的可见光特征的缺陷。
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公开(公告)号：CN109447914A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811257712.6
申请日：2018-10-26
申请人： 河北工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十三研究所
CPC分类号： G06T5/005 , G06T5/40 , G06T5/50 , G06T2207/10061 , G06T2207/20216
摘要： 本发明实现整体纳米颗粒SEM图像亮度均匀化的方法，涉及使用直方图技术的图像数据处理，该方法是求出纳米颗粒SEM原始图像的分块均衡化拼接图像的像素值与纳米颗粒SEM对称外拓展分块均衡化拼接截取图像像素值的平均值，实现整体纳米颗粒SEM图像的亮度均匀化，克服了现有技术采用掩模法、分块处理以及划分区域只适应于图像非边沿部分的校正，均存在无法实现图像周围边界部分进行插值和校正，即无法实现整体纳米颗粒SEM图像亮度均匀化的缺陷。
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公开(公告)号：CN106441568B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610858421.7
申请日：2016-09-28
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G01J3/10
摘要： 本发明采用三种高斯光谱合成A级太阳模拟器光谱的装置，涉及专用于光谱学或色度学的光源装置，其构成部件包括三种高斯光谱的光源、两个反射镜和一个合束器；上述部件之间相互连接的光路方式是：产生第一种高斯光谱的光源输出第一种高斯光谱的光波经过第一反射镜反射，进入合束器，产生第二种高斯光谱的光源输出第二种高斯光谱的光波并直接进入合束器，产生第三种高斯光谱的光源输出第三种高斯光谱的光波经过第二反射镜反射，进入合束器，进入合束器的三种高斯光谱合成本发明装置所产生的A级太阳模拟器光谱。本发明克服了现有技术使用数量较多的高斯光谱在合成太阳模拟器时，存在调节参量增加，需要光学元件种类多和光路复杂的缺陷。
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公开(公告)号：CN104639277B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510113086.3
申请日：2015-03-14
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： H04J14/02
摘要： 本发明一种高斯光谱半宽复用通信系统的解调方法，涉及用光通信作为传输路径的电通信系统的解调，步骤是：将两束中心波长重合最大强度相等而半宽不同的高斯光谱合成复用光谱；选择合成复用光谱中两个观测点；写出高斯光谱标准偏差的特征方程；确定满足相对平均误差条件的两束高斯光谱标准偏差；确定两束高斯光谱半宽，实现高斯光谱半宽复用通信系统的解调。该方法克服了非线性最小二乘LM算法需要光谱所有数据才能建立寻找参量等式关系的复杂性，克服了寻峰阈值系数与光强最大值乘积分成多个单峰以及可变滤光器识别光谱峰位置的方法不能区分两束高斯光谱中心波长重合的缺陷，同时提供的高斯光谱半宽通信技术扩展了波分复用领域。
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公开(公告)号：CN104008232B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410195474.6
申请日：2014-05-09
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，涉及半导体器件的测试，步骤是，第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标；第二步，建立二维参数显示空间；第三步，建立三维参数显示空间；第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化。本发明方法采用二维参数空间椭圆及三维参数空间椭球内加入均匀随机分布，通过椭圆以及椭球内点密度反映出批量半导体器件参数测试中重合数据点的数量，克服了现有技术直接采用显示屏中未被使用的像素点显示分布的不均匀的缺陷，解决了现有技术的显示屏的像素点数量不能满足显示批量半导体器件参数测试重合数据点的要求。
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公开(公告)号：CN102857318B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210306191.5
申请日：2012-08-23
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种涡旋光束强度复用通信系统，涉及用光通信作为传输路径的电通信系统，是两个拓扑电荷数的低阶涡旋光束强度复用，包括第一信号源、第二信号源、第一功率放大器、第二功率放大器、拓扑电荷数低阶涡旋光束发射器、拓扑电荷数低阶涡旋光束发射器、耦合器、传输介质、5个涡旋光束探测器及其固定架、第一开关电路、第二开关电路、第一显示电路和第二显示电路；该系统采用设置发射涡旋光束的强度、放置5个涡旋光束探测器、两个开关电路和显示电路，实现了两个拓扑电荷数的低阶涡旋光束复用通信，克服了现有技术在实现光束轨道角动量态复用中，使用的器件多、结构复杂和不容易小型集成化的缺点。
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公开(公告)号：CN104008232A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410195474.6
申请日：2014-05-09
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，涉及半导体器件的测试，步骤是：第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标；第二步，建立二维参数显示空间；第三步，建立三维参数显示空间；第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化。本发明方法采用二维参数空间椭圆及三维参数空间椭球内加入均匀随机分布，通过椭圆以及椭球内点密度反映出批量半导体器件参数测试中重合数据点的数量，克服了现有技术直接采用显示屏中未被使用的像素点显示分布的不均匀的缺陷，解决了现有技术的显示屏的像素点数量不能满足显示批量半导体器件参数测试重合数据点的要求。
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