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公开(公告)号：CN105326120A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510867679.9
申请日：2015-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: A41D13/11
Abstract: 本发明涉及一种防雾霾管道吸附口罩，主要包括送风装置，管道和呼吸面罩，送风装置为风扇送风，空气通过管道进入呼吸面罩；管道两端为软管连接送风装置和呼吸面罩，管道中间为吸附管道部分，吸附管道的内壁植绒或涂覆高粘性材质，吸附管道部分弯曲排列，排列层数为10层以上。其中植绒长度为吸附管道半径的1/10至4/5之间，涂覆高粘性材质为粘性树脂，吸附管道部分可拆换。可以解决佩戴口罩将口鼻罩住造成的憋闷感，并能吸附雾霾天气空气中的颗粒。
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公开(公告)号：CN115703944A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110909765.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用，旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率，增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力，有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KOH按照质量比为1‑3:1的比例配置而成。所用抛光液按质量百分比的组成为：硅溶胶5‑20％，氧化剂1‑15％，络合剂0.1‑5％，复合抑制剂0.25‑0.5％，表面活性剂为0.001‑5％，pH值调节剂适量，余量为去离子水。本发明的抛光液通过各种组分的合理配比，在保障抛光效果的情况下，能有效抑制铜的去除速率，对碟形坑和蚀坑修正能力强，增强了抛光的稳定性，提升了芯片的良率。同时，降低了抛光液的配置难度。
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公开(公告)号：CN113969107B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111211279.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 江苏山水半导体科技有限公司 , 河北工业大学
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用，所述抛光液包括如下重量份组分：硅溶胶650份；金属螯合剂2‑4份；钾盐速率促进剂5‑20份；碱性速率促进剂60‑90份；表面活性剂1‑10份；杀菌剂3‑5份％；pH调节剂5‑10份；去离子水213‑386份。本发明的抛光液通过加入钾离子可以有效提高大尺寸硅边缘的抛光速率、降低大尺寸硅边缘的表面粗糙度，能够满足微电子行业的精度要求。
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公开(公告)号：CN112355884B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011220177.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。
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公开(公告)号：CN111004579B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201911184055.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法。抛光液由下述组分组成，按质量份百分比计：硅溶胶5‑20％，螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.001‑5％，氧化剂0.001‑10％，去离子水余量；其中，所述的表面活性剂为非离子活性剂和阴离子活性剂进行复配获得。本发明抛光液呈碱性，pH为7.5‑11，不腐蚀设备，不污染环境。本发明使用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其浓度高，分散度好、硬度小。本发明由硅溶胶、螯合剂、表面活性剂、助溶剂、氧化剂和去离子水组成，成分简单，稳定性好，价格便宜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112340739A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011220164.7
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅溶胶在微电子领域的应用，而提供一种新型硅溶胶在微电子领域的应用。本发明的硅溶胶在微电子领域的应用，所述硅溶胶由湖北金伟新材料有限公司生产，所述硅溶胶中的原料为澳砂，所述硅溶胶在封闭式全自动条件下生产；在千级无尘条件下灌装及包装；采用0.2微米过滤系统过滤。本发明通过对湖北金伟新材料有限公司所生产的硅溶胶的改进，使其生产的硅溶胶的各方面性能满足微电子领域的使用需要，为国内硅溶胶广泛应用于微电子领域开辟了新途径。本发明精选原材料质量，所使用原材料为进口澳砂，从源头降低产品金属离子含量。
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公开(公告)号：CN111826089A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010735582.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，为化学机械抛光平坦化提高稳定性提供一种新技术。所述多层布线高价金属的化合物替代氧化剂。CMP所用抛光液中含有与布线金属种类相同的布线高价金属化合物。采用本发明技术方案的抛光液可以稳定6个月以上，直接使用。使用时，不用专用设备的配置，简化了工艺，大大提高了抛光液的稳定性。而且，运输保存安全，不对设备产生腐蚀，使用更安全。
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公开(公告)号：CN111004579A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911184055.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法。抛光液由下述组分组成，按质量份百分比计：硅溶胶5-20％，螯合剂0.1-5％，表面活性剂0.001-5％，氧化剂0.001-10％，去离子水余量；其中，所述的表面活性剂为非离子活性剂和阴离子活性剂进行复配获得。本发明抛光液呈碱性，pH为7.5-11，不腐蚀设备，不污染环境。本发明使用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其浓度高，分散度好、硬度小。本发明由硅溶胶、螯合剂、表面活性剂、助溶剂、氧化剂和去离子水组成，成分简单，稳定性好，价格便宜。
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公开(公告)号：CN106433479B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610576241.X
申请日：2016-07-19
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种多层铜布线钴阻挡层表面粗糙度的控制方法，首先配置碱性抛光液，然后在流量100‑500ml/min,温度15‑30℃、抛头转速为57‑150rpm、抛盘转速为63‑150rpm，抛光压力为6.89‑27.56kpa的工艺条件下进行抛光1‑5min；所述的碱性抛光液包括：螯合剂用量占抛光液总质量的0.1％‑1％；非离子型表面活性剂的用量为抛光液总质量的1‑5％；所述的Si02用量占抛光液总质量的1％，所述的抛光液最终的pH值为8‑12；该方法克服了现有铜布线化学机械抛光过程中存在的控制钴阻挡层表面粗糙度多采用酸性抛光液且包含氧化剂的问题。
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公开(公告)号：CN106118495B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610545107.3
申请日：2016-07-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种用于抑制铜钌阻挡层电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液中各组分按重量百分比计：H2O20.3％,β‑羟已基乙二胺0.5‑5％,乙二胺四乙酸‑四‑四羟乙基乙二胺0.1‑0.3％,FA/0型表面活性剂0.1‑5％，pH无机酸调节剂0.8‑1.5％,余量为去离子水；所述碱性抛光液的pH值为9‑10；通过混合方式获得，不需要加入抑制剂，易清洗，有效克服了Ru与Cu之间的电位差，减小了电偶腐蚀电流密度，解决了它们之间严重电偶腐蚀问题，Ru与Cu之间的电偶腐蚀得到了很好的抑制。
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