公开(公告)号：CN106118491A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610541674.1

申请日：2016-07-11

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王辰伟 ,  高宝红 ,  李祥州 ,  刘玉岭 ,  何彦刚

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明涉及一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计所述碱性抛光液的pH值为7.5—10.5；通过将非离子界表面活性剂、多羟多胺螯合剂和硅溶胶依次于去离子水中逐级混合方式获得；所述碱性抛光液，对设备无腐蚀，稳定性好易清洗，弱碱性环境下易生成可溶性的化合物，从而易脱离表面，有效减低环境污染。

公开(公告)号：CN104449399A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410685233.X

申请日：2014-11-25

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 何彦刚 ,  牛新环 ,  孙鸣 ,  陈国栋 ,  张玉峰 ,  周建伟 ,  刘玉岭

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物。本发明组合物由研磨颗粒、络合剂、表面活性剂、抑菌剂、无机碱和水组成；研磨颗粒的含量为重量百分比5～50％；络合剂的含量为重量百分比0.01～10％；表面活性剂的含量为重量百分比0.01～5％；抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；无机碱的含量为重量百分比0.1～10％；用水补足含量至重量百分比100％。经本发明所述抛光组合物抛光后的A面蓝宝石晶片的去除速率与表面粗糙度效果较好，去除速率从现有的0.4um/h左右提高到1um/h以上，可显著提高生产效率。

公开(公告)号：CN101972755B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201010232260.3

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  刘效岩 ,  刘钠 ,  何彦刚

IPC: B08B3/08

CPC classification number: C11D1/72 ,  B08B3/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/33 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH值为7.4-8.2水溶性表面清洗液；使用步骤(1)制备的清洗液对碱性化学机械抛光后的铜材料在2000Pa-3000Pa的低压力、1000-5000ml/min的流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少为0.5-2分钟，以使铜材料表面洁净。采用该清洗方法有益效果是：清洁分布不均的抛光液被迅速冲走，可获得洁净、完美的抛光表面。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。

公开(公告)号：CN101972755A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010232260.3

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  刘效岩 ,  刘钠 ,  何彦刚

IPC: B08B3/08

CPC classification number: C11D1/72 ,  B08B3/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/33 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH值为7.4-8.2水溶性表面清洗液；使用步骤(1)制备的清洗液对碱性化学机械抛光后的铜材料在2000Pa-3000Pa的低压力、1000-5000ml/min的流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少为0.5-2分钟，以使铜材料表面洁净。采用该清洗方法有益效果是：清洁分布不均的抛光液被迅速冲走，可获得洁净、完美的抛光表面。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。

公开(公告)号：CN100348634C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200510122180.1

申请日：2005-12-06

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 黎钢 ,  何彦刚 ,  杨超 ,  杨芳 ,  禹雪晴 ,  张广清 ,  任凤霞 ,  崔迎军

IPC: C08F220/56 ,  C08F2/04

Abstract: 一种在盐溶液中沉淀聚合制备阳离子型聚电解质的方法，包括在碳酸钾溶液中制备阳离子型聚电解质的沉淀聚合工艺。聚合物料包括甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵、二甲基二烯丙基氯化铵、共聚非离子单体为丙烯酰胺、水、碳酸钾、氧化-还原引发剂，其中阳离子单体所占总单体质量比率为0.01～100%，碳酸钾加入量为20%～53%(质量浓度)。化学引发：包括甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵、二甲基二烯丙基氯化铵的均聚以及此两种单体或其中的任意一种与丙烯酰胺的共聚；物理引发：甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵的均聚以及此单体与丙烯酰胺的共聚。在此盐溶液体系中可直接制备颗粒状的聚合物，特别具有干燥耗能低、聚合物含盐量低等优点，可用于纯净态阳离子聚电解质的制备。