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公开(公告)号：CN115626825A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211404900.3
申请日：2022-11-10
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝/镧系钙钛矿陶瓷复合光吸收体及其制备方法。制备方法的步骤包括:(1)固相法合成宽光谱高吸收的镧系钙钛矿陶瓷粉体；(2)制备孔隙梯度七层结构镧系钙钛矿陶瓷基片；(3)镀制致密Al2O3膜；(4)在空气炉中热处理。其中镧系钙钛矿陶瓷基片表层致密、从外到内孔隙梯度分布，膜基结构界面存在过渡层。该制备方法工艺简便、成本低，利用该方法制备的光吸收体在0.3～14μm波段范围内具有高的吸收率，且耐高温、抗热震，有高的激光损伤阈值，可广泛应用于激光能量计、激光功率计等高温光热转换领域的元器件。
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公开(公告)号：CN115241364A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210876237.0
申请日：2022-07-25
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于半导体器件制备领域，特别是涉及一种钽酸锂热释电红外探测器及其制造方法。本发明采用具有四边固支基板的悬膜结构，在悬膜与支撑基板之间引入绝缘隔热材料，降低探测器的热导，提升探测率。同时，在绝缘隔热材料上制备了通孔，通过在通孔中填充导电材料实现电极与支撑基板的导通，在保证满足导电性的同时，对探测器热导的影响很小。本发明采用两步法减薄钽酸锂晶片，首先利用减薄效率高的机械研磨抛光减薄或离子束刻蚀减薄技术，使钽酸锂晶片接近目标厚度值，然后再利用化学腐蚀减薄去除前一步减薄的损伤层，并达到最终的目标厚度值。采用两步法减薄，既具有快速的减薄特点，同时又避免了钽酸锂晶片存在损伤层的问题。
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公开(公告)号：CN112582470B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011621679.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型高电子迁移率晶体管及制造方法。本发明通过两次选区外延的方法，对栅极位置的栅极AlGaN层和P型层，以及栅极之外区域的AlGaN势垒层可以单独进行设计和生长，组分，厚度等可精确控制，从而实现阈值电压、导通时栅极下方的二维电子气浓度和导通时栅极之外导电沟道的二维电子气浓度的最优化设计，互不干扰，同时整个制造过程中没有涉及干法刻蚀，而是代之以湿法选择性腐蚀，最大程度的保护了晶体管表面质量，避免了干法刻蚀带来的不利后果。基于本发明制造方法获得的常闭型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其高阈值电压、阈值电压一致性、低导通电阻、高稳定性等性能可以兼得。
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公开(公告)号：CN112397587B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011320490.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常开型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立的小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN112786750B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110197020.2
申请日：2021-02-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件领域，特指一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法。所述二极管结构包括：P电极、基板、键合金属层、反射金属层、高阻半导体层、P面接触电极、P型层、发光层、N型层、N型欧姆接触层、N电极。在P型层与反射金属层之间设有高阻半导体层，在N电极正下方之外区域的高阻半导体层内留有空缺，并在空缺处设有P型接触电极与P型层相连。这种结构不仅能调控电流走向，同时高阻半导体层和P型层是一体的，且反射金属层与半导体高阻层的粘附力也远高于反射金属层与介质层的粘附力，从而解决了由于介质层带来的粘附力差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113913737A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111066615.0
申请日：2021-09-13
Applicant: 江苏大学
IPC: C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23F1/26 , C23F1/44 , F24S70/20 , F24S70/25
Abstract: 本发明涉及光吸收层，特指一种纳米NiCr/TiAlN双层薄膜及其制备方法。首先利用磁控溅射技术在Al2O3衬底上沉积TiAlN薄膜，然后在其上磁控溅射沉积NiCr‑Ti前驱体薄膜，接着利用氢氟酸溶液进行刻蚀，目的为了去掉前驱体薄膜中的部分Ti组元，最终形成多孔NiCr/TiAlN合金薄膜涂层材料。此种方法制备的双层薄膜多孔结构完整、连续，形状均匀、尺寸可控，层与层之间的界面附着力强。该薄膜对宽光谱具备高的吸收，在宽光谱吸收和发射涂层方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113345972A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110302121.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种光电薄膜及其制备方法，特别是一种分层多晶硒化铅薄膜及其制备方法。制备方法主要包括：(1)在衬底上用化学浴法制备致密硒化铅层；(2)在致密硒化铅层上用化学浴法制备疏松含氧碱式碳酸铅层；(3)将附有致密硒化铅层和含氧碱式碳酸铅层的样品置于含硒离子溶液中通过离子交换反应，最终形成分层多晶硒化铅薄膜。该制备方法工艺简便、成本低，可控性好，利用该方法制备的硒化铅薄膜由下层致密的多晶立方硒化铅层和上层疏松的多晶立方硒化铅层构成，可广泛应用于制造红外传感器、太阳能电池、激光发射、热电转化器等光电转换或者热电转换领域的元器件。
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公开(公告)号：CN112397587A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011320490.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常开型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立的小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN111863958A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010518625.2
申请日：2020-06-09
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种常开型垂直结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构及其制造方法。所述晶体管自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层、源极电极和栅极电极，特征是：在所述栅极电极正下方的高阻层内设有通孔，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，形成由漏极欧姆接触金属层导电的垂直导电通道，可以获得更低的导通电阻。还公开了所述高电子迁移率晶体管结构的制造方法，制造过程无需二次外延和离子注入，从根源上消除了传统制造方法中二次外延带来的界面污染以及离子注入所带来的晶格损伤、工艺复杂、成本较高等不利影响。
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公开(公告)号：CN111863957A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010518624.8
申请日：2020-06-09
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种常闭型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。所述晶体管自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征是：在所述栅极电极正下方的高阻层内设有通孔，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，形成由漏极欧姆接触金属层导电的垂直导电通道,可以获得更低的导通电阻。本发明还公开了所述高电子迁移率晶体管结构的制造方法，制造过程无需二次外延和离子注入，从根源上消除了传统制造方法中二次外延带来的界面污染以及离子注入所带来的晶格损伤、工艺复杂、成本较高等不利影响。
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