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    具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法
    31.
    发明公开
    具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN107010947A

    公开(公告)日：2017-08-04

    申请号：CN201710302249.1

    申请日：2017-05-02

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

    IPC: C04B35/49

    Abstract: 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。

    一种非极性阻变存储器及其制备方法
    33.
    发明授权
    一种非极性阻变存储器及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103236498B

    公开(公告)日：2015-10-28

    申请号：CN201310145858.2

    申请日：2013-04-25

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 许积文 ,  王华 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  丘伟 ,  张玉佩

    IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

    Abstract: 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。

    一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷及其制备方法
    34.
    发明公开
    一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104710171A

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：CN201510103056.4

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华

    IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Sr1-1.5z(Bi0.8La0.2)zTiO3-x(Bi0.5Na0.5)1-mMgmTiO3-yBi0.5Li0.5(Ti0.92Mn0.08)O3来表示，其中x、y、z、m表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7；0.01≤y≤0.2；0.05≤z≤0.3；0.02≤m≤0.2。本发明通过成分调节，形成复相组成，采用微波烧结形成均匀细小晶粒的致密结构，即保持高的介电常数，有获得高的耐压。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高储能密度复相陶瓷介质材料，具有优异的储能特性及储能效率，储能密度可达1.9J/cm3，储能效率可达65%，环境友好、损耗低、实用性好。

    一种非极性阻变存储器及其制备方法
    35.
    发明公开
    一种非极性阻变存储器及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103236498A

    公开(公告)日：2013-08-07

    申请号：CN201310145858.2

    申请日：2013-04-25

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 许积文 ,  王华 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  丘伟 ,  张玉佩

    IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

    Abstract: 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。

    一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用
    36.
    发明授权
    一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN113429205B

    公开(公告)日：2022-04-01

    申请号：CN202110806711.8

    申请日：2021-07-16

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 王华 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  杨玲 ,  周尚菊

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C09K11/74

    Abstract: 本发明提供了一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明下转换光致发光陶瓷材料，化学式为0.94K0.5Na0.5NbO3‑0.06Sr(Bi0.5Nb0.5)O3,x％Ce，x＝0.1～0.4。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；在此基础上掺杂稀土Ce，使陶瓷材料同时具有良好的透光性和下转换发光性能。本发明通过控制上述陶瓷材料中各种成分的含量，使所述陶瓷材料具有出色的透明和发光性能，是一种多功能光电陶瓷材料。

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