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公开(公告)号：CN115099131A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210655381.1
申请日：2022-06-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及人工智能技术领域，具体涉及一种基于深度学习的极化转换超表面智能化逆向设计方法及系统，包括使用极化度角和类极化度角表征机制表征极化转换超表面，得到连续性表征；基于连续性表征构建数据集模型；基于所述数据集模型完成深度学习网络训练，并以此进行极化转换超表面逆向设计，从而得到超表面设计方案。本发明通过使用极化度角和类极化度角表征极化转换超表面实现极化转换超表面功能表征机制，解决了传统表征方式存在宽带相位差不连续以及轴比表征方式中表征变量存在无穷大的问题。
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公开(公告)号：CN114583455A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210128355.3
申请日：2022-02-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋馈电结构的超宽带圆极化超表面贴片天线，包括上层介质基板、下层介质基板、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层、所述上层介质基板、所述第二金属层、所述下层介质基板和所述第三金属层从上至下依次堆叠。第一金属层设计超表面贴片结构，第二金属层蚀刻十字型缝隙，第三金属层设计螺旋状的微带馈电结构。为了实现高效率辐射性能，上层介质基板与下层介质基本均设置为一定厚度，从而能量能够在介质基板中高效率辐射出去。将超表面与微带天线结合，在实现低剖面的同时，提高了天线的辐射效率并且实现超宽带的性能。
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公开(公告)号：CN106099366B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201610741404.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种加载石墨烯去耦网络的微带阵列天线，包括介质板、以及覆于介质板表面的金属地板和2个以上的相互独立的天线阵列单元；2个相邻的天线阵列单元之间设有石墨烯层；该石墨烯层覆于介质板上，且与天线阵列单元之间存在一定的间隙；石墨烯层与一外置直流偏置电压相连接。本发明能够有效降低微带阵列天线中辐射贴片之间的电磁耦合，从而实现阵列天线的紧凑型结构。
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公开(公告)号：CN111682313A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010637237.6
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线，包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线，所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧，所述平面发射器的数量为两个，所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧，且均与所述缝隙天线垂直，两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧，且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术，该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下，在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射，提高了缝隙天线的增益。
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公开(公告)号：CN111682311A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010635180.6
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161832B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510492257.8
申请日：2015-08-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯覆层的可重构天线，包括天线本体，该天线本体包括接地板和直立于接地板上的单极子；所述天线本体还进一步包括一上下贯通、并呈中空柱状的电介质套筒，电介质套筒位于接地板的上方且置于单极子的外围；电介质套筒的内外侧表面中的一侧表面涂覆有石墨烯覆层，另一侧表面涂覆有硅覆层；上述石墨烯覆层和硅覆层各与外置偏置电压的一端相连，且与外置偏置电压的正极相连的石墨烯覆层或硅覆层与接地板之间存在一定的间隙。通过将石墨烯覆层和硅覆层分隔成多块，并控制其外置偏置电压，使得天线具有宽频带、频率可重构和/或辐射方向图可重构的特点。
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公开(公告)号：CN106992337A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710258286.7
申请日：2017-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/163
CPC classification number: H01P1/163
Abstract: 本发明公开一种Ka波段圆波导TE01模式激励器，由正交波导、矩形阶梯波导、均匀方波导、骨形阶梯波导和均匀圆波导组成。正交波导的一个端口形成模式激励器的输入端口；正交波导的另一端口与矩形阶梯波导的尺寸偏小的端口连接，矩形阶梯波导的尺寸偏大的端口与均匀方波导的一个端口连接；均匀方波导的另一个端口与骨形阶梯波导的尺寸偏小的端口连接，骨形阶梯波导的尺寸偏大的端口与均匀圆波导的一个端口连接，均匀圆波导的另一个端口形成模式激励器的输出端口。本发明具有高转换效率，高模式纯度，结构紧凑、易于加工和宽频带的特点。
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公开(公告)号：CN105891555A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610351816.8
申请日：2016-05-25
Applicant: 中国人民解放军61489部队 , 桂林电子科技大学
IPC: G01R1/04
CPC classification number: G01R1/0425
Abstract: 本发明公开了一种多节渐变同轴式元件高压快脉冲响应测试夹具，其整体为封闭的同轴金属屏蔽体，主要包括左端部分、右端部分和中间部分三部分渐变结构的同轴夹具；所述的左、右两端为结构相同的渐变锥体结构，对称设置在中间部分的两侧；所述的中间部分整体为圆柱形同轴夹具，其包括左段同轴、右段同轴和中段同轴，左段同轴和右段同轴结构相同，对称设置在中段同轴部分的两侧。所述夹具中间部分的内导体外表面和外导体内壁上相对设置有测试器件焊点。同时对夹具中间部分由等径导体向渐变锥体处进行内外径轴向错位补偿，减少了因半径突变造成的高频信号传输性能下降。本发明创新性强，结构简单，各部分尺寸相对固定，可灵活拆卸，方便进行标准化制作和批量加工，具有较好的推广和使用前景。
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公开(公告)号：CN214378839U
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202120499371.4
申请日：2021-03-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于基片集成波导馈电的毫米波段超宽带贴片天线，通过以所述上层介质基板和所述下层介质基板为基本载体，贴合所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层，并在所述下层介质基板上设置所述SIW谐振腔，且在所述SIW谐振腔的上表面开设耦合缝隙，所述SIW腔体的下表面具有背地共面波导馈电，以过渡带连接所述SIW谐振腔和所述背地共面波导完成天线设计，具有缝隙天线低剖面、易集成和易加工的优点，更实现了低损耗、高效率、高功率容量、较高增益和超宽的工作频带的功能。解决了现有技术中的贴片天线在毫米波段采用传统平面传输线作为馈电时出现的频带窄，损耗大的技术问题。
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公开(公告)号：CN212571347U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202021285150.9
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本实用新型公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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