公开(公告)号：CN104891986A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510245228.1

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  刘笑 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中，Me为Al3+、Co3+、Cr3+、(Zn0.5Ti0.5)3+、(Mg0.5Ti0.5)3+、(Ni0.5Ti0.5)3+中的一种，且0.1≤x≤0.3。先采用传统粉体合成技术合成Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3粉体，然后采用两步烧结技术制备Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备的高储能密度陶瓷电容器的储能密度为0.7~1.8？J/cm3，储能密度大小基于成分和工艺可调。

公开(公告)号：CN103803966B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310701726.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN104649663A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510104202.5

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高耐压、高储能密度与储能效率的复相陶瓷介电材料，成分以通式(1-x)(Bi0.49Na0.42)Ba0.06TiO3-x(35BaO-15ZnO-10Al2O3-20B2O3-20SiO2)来表示，其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。本发明在反铁电相中添加玻璃粉，采用两歩烧结，通过玻璃相填充孔洞，获得微观结构均匀致密复相陶瓷。本发明的复相度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高耐压性，储能密度可达1.86J/cm3，储能效率可达80%、耐压可达223kV/cm，损耗低，在脉冲电源领域应用前景好。

公开(公告)号：CN104649660A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510103955.4

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基高温压电与高储能密度无铅介电陶瓷材料，成分以通式(1-u)BiFe1-xMexO3–uBaTi1- yZn1/3Nb2/3)yO3来表示，其中Me为三价金属元素Al、Ga、Y、Sc、Cr、Co中的一种或两种，x、y、u表示摩尔分数，0.01≤x≤0.4，0.01≤y≤0.3，0.1≤u≤0.5。本发明采用分步合成结合微波烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达0.90J/cm3，压电常数d33可达236pm/V、应变可达0.19%，居里温度可达452oC，应变滞后小，实用性好。

公开(公告)号：CN103274684B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201310235066.4

申请日：2013-06-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周秀娟 ,  周昌荣

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可中低温烧结高介电微波介质陶瓷及其制备方法，该陶瓷材料主要成分为(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与铋基化合物Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种复合形成的复合陶瓷材料。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉体和Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂，把(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种混合球磨，然后把含有助烧剂的混合粉体压制成圆柱状坯体，在900~1050℃保温4小时进行预烧，即可得到含有助烧剂的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3可中低温烧结高介电微波介质陶瓷。该陶瓷材料介电常数较高、谐振温度系数较小、损耗适中，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>95，谐振温度系数绝对值 1500GHz，最佳烧结温度低于1050℃并可实现900℃的最佳烧结。整个微波介质陶瓷制备工艺相对简单、稳定，易于实现。

公开(公告)号：CN103951187A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410165081.0

申请日：2014-04-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  王家鑫 ,  康晓玲 ,  袁昌来 ,  周昌荣

IPC: C03C4/12 ,  C03C3/097

Abstract: 本发明涉及一种白光LED用发光玻璃材料及其制备方法，其制备方法是以磷酸二氢铵（NH4H2PO4）、氧化锌（ZnO）、碳酸钾（K2CO3）、碳酸锶(SrCO3)、碳酸锰（MnCO3）、氧化铥（Tm2O3）、氧化铽（Tb4O7）为原料，按照组分式aZnO-bSrO-cP2O5-dK2O-eTm2O3-fTb4O7-gMnO配料。经球磨混料12h后烘干，在1150-1200℃保温0.5-1.5h得到熔化的玻璃液；再经成型、退火得到均匀透明的发光玻璃材料。这种白光LED用发光玻璃材料制备工艺简单，熔化温度较低，制备成本低，发光玻璃在紫外光激发下得到白光，并且白光的光色品质调控可通过调节玻璃组成、离子掺杂浓度和激发波长方便实现，从而有望实现节能，环保，简化封装工艺的目的。

公开(公告)号：CN103708829A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310702273.6

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  杨涛 ,  周秀娟 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种反常压电各向异性无铅压电陶瓷及其织构化制备方法，成分为(Bi1/2Na1/2)TiO3+x(Nb2O5+CeO2)，x为摩尔分数，0.005

公开(公告)号：CN102285792B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110162433.3

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  单旭 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了钙钛矿结构无铅压电陶瓷，用组成通式为：(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y-u)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3+zMeaOb或(1-x-y-u-v)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3-v(Bi1/2Li1/2)TiO3+zMeaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102320828A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110162421.0

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周沁 ,  杨华斌 ,  周昌荣 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z和v表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102285794A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110162422.5

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合钙钛矿结构化合物组成的无铅压电陶瓷，成分以通式(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3+zMaOb；(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)i(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示的无铅压陶瓷，其中x、y、z和v表示摩尔分数，0