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公开(公告)号：CN116607111A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310443818.X
申请日：2023-04-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法，将准备好的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置的生长腔内，设置生长参数，使得柔性衬底上生长一层铟镓氧化物薄膜。通过该方法可制备出高结晶质量的铟镓氧化物薄膜，在氧化镓中掺杂铟离子，可以拓宽带隙范围。该制备方法工艺步骤简单，易操作，进而可有效降低制备成本。
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公开(公告)号：CN116388722A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310267963.7
申请日：2023-03-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性云母衬底的耐高温声表面波器件及制造方法，涉及声表面波器件技术领域，其技术方案要点是：基于柔性云母衬底的耐高温声表面波器件，其结构从下至上依次为：柔性衬底、缓冲层、压电薄膜、叉指电极和保护层。采用耐高温云母柔性衬底，通过缓冲层的引入制备高质量AlN压电薄膜，设计加工纳米尺寸金属Pt叉指电极，辅以Al2O3保护层，实现稳定工作在800℃以上高温环境中的柔性高频声表面波器件。
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公开(公告)号：CN112098366B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010733371.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种实现三个Fano共振的内嵌双U型折射率传感器，该传感器由一个大的倒U型谐振腔内嵌一个小的倒U型谐振腔和金属平板组成的金属‑电介质‑金属(MIM)波导结构。当光波在波导中传输时耦合到两个大小不同的倒U型谐振腔，满足共振条件时，可以产生Fano共振，在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。Fano共振对结构参数的变化异常敏感，因此通过调节U型谐振器的r1，r3，h1，h2和填充介质的折射率来控制Fano共振峰的线形和谐振波长。本发明在红外波段可以获得较高的灵敏度和品质因数(FOM)，分别为2275nm/RIU，25540。该发明在光学集成电路、光电子器件，特别是微纳生物化学传感器等领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113281301B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110523208.1
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/3206
Abstract: 本发明公开一种圆环‑矩形谐振腔结构的折射率、温度传感器，其传感器由圆环‑矩形复合形成的谐振腔以及在侧面耦合具有金属壁的金属‑绝缘体‑金属(MIM)波导组成。当入射光在波导中传输并耦合到谐振腔时，当满足共振条件时，可以产生Fano共振，在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。研究了该传感器的传输特性和传感特性，通过优化结构的几何参数，可以得到其最大的折射率灵敏度(S)为914nm/RIU。此外，在介质中填充乙醇，可实现高灵敏度的温度传感器，其最大灵敏度为0.35nm/℃。经研究该结构具有较高的灵敏度，在促进集成光子器件在纳米级光学传感方面具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN115020052A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210531889.0
申请日：2022-05-16
Applicant: 桂林电子科技大学 , 广东风华高新科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高效氮化钽薄膜电阻及其制备方法，属于电子元件领域。本发明所述制备方法为了提高最终产品的膜层质量，在构建氮化钽薄膜前预先设置一层同位的氧化锌缓冲层，提高了在其上生长的氮化钽薄膜的质量，使其TaN(111)‑(Cub.)相型择优取向，在微观结构上物相结构更加单一，表面晶粒清晰可见，结构致密，成膜质量显著提高；所得产品的电学性能得到了很大提升，进一步降低了电阻温度系数，具有了更高的耐功率性能，兼顾高性能与低成本。本发明还公开了所述制备方法制备的高效氮化钽薄膜电阻及其在制备高功率高散热性电子器件中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111293187B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010112026.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/054 , H01L31/0445 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池，所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层，所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面，所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面，所述吸收层位于所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅之间，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅具有不同侧壁轮廓，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅中的纳米结构按照自组装AAO模板的排列方式，降低成本，提高效率。
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公开(公告)号：CN110888189B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911291223.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微纳集成光学器件技术领域，公开了一种超薄无衬底颜色可调谐的表面等离子体滤波器。所述滤波器结构包括：波导层，缓冲层和矩形金属纳米盘阵列。其中波导层上覆盖有缓冲层，缓冲层上刻蚀有均匀排布的矩形金属纳米盘阵列，矩形金属纳米盘阵列x方向周期为Px，y方向周期为Py。当x与y相等，通过改变x(y)方向周期，可实现对滤出颜色的静态调制，当x与y不相等，可通过改变周期以实现对滤出颜色的静态调制，改变光的偏振以实现对滤出颜色的动态调制。本专利有着体积小，传输效率高，结构设计简单，能够同时实现对颜色的静态调制以及动态调制，可固定TE(TM)偏振滤出颜色，单独调制TM(TE)偏振下滤出的颜色等优点。本发明在未来光电器件集成，超高分辨率成像，LCD液晶显示系统等领域都有重要的应用。
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公开(公告)号：CN113483793A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752350.3
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明提供了一种基于双偏振D型光子晶体光纤双参量SPR传感器。所述传感器具有顶部侧抛平面和底部n型微通道，在侧抛平面上方和n型微通道顶部弧形内壁上均涂覆有金膜和TiO2层。本发明利用偏振控制器来控制产生X偏振或Y偏振，Y偏振与侧抛平面上的金膜产生SPR可检测待测介质折射率，X偏振与n型微通道顶部弧形内壁上的金膜产生SPR可检测磁场强度，从而实现双偏振检测双参量。本发明的优点是：双偏振检测减少各参量间影响，增大各参量检测范围；n型微通道减少磁流体到待测介质距离，增大磁流体体积，提升磁场强度检测灵敏度；TiO2层提升传感器检测灵敏度。该传感器设计新颖，检测范围宽，灵敏度高，抗干扰性强，具有良好传感特性。
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公开(公告)号：CN110098120B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910342453.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/308 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双通AAO纳米多孔薄膜，最后在目标基片表面获得纳米结构。本发明是一种大面积转移制备纳米结构的方法，能够实现将超薄AAO阵列纳米结构大面积转移至目标基片，并高精度、低成本、无损伤高均匀性地在目标基片制备出与AAO具有相同特征尺寸的高规整度纳米结构。
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公开(公告)号：CN113253369A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110523559.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全介质纳米圆环阵列结构的宽色域结构色滤波器，该结构由介质材料基底层及其上周期结构圆环阵列组成。其中单个周期结构是以一个方形石英衬底上的硅环组成。通过调节本结构的圆环的内环直径以及圆环的高度可以对可见光进行操控，产生宽色域范围的颜色。本滤波器有结构设计简单、易于加工、颜色可靠、较大颜色可调等优点。在未来的超高分辨率打印技术和颜色显示相关领域有很大的应用前景。
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