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公开(公告)号:CN212571347U
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN202021285150.9
申请日:2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本实用新型公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线,包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同,该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构,仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射,并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右,可以实现匹配。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN212571346U
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN202021284567.3
申请日:2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种沿E平面非对称切割的贴片天线,包括介质基板、位于介质基板上表面的第一金属层、位于介质基板下表面的第二金属层、从介质基板的下表面穿过第二金属层和介质基板对第一金属层进行馈电的同轴馈电输入端,第一金属层具有两个矩形切割缝隙,两个矩形切割缝隙非对称分布于第一金属层宽度中轴线的两侧,通过调整贴片尺寸和位置可以实现双频、宽频和波束扫描功能,相对于现有技术,该天线结构简单,其仅在常规微带贴片天线基础上进行非对称切割处理,便能够实现双频带、宽频带特征和波束扫描功能,结构简单,易于加工。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN214378838U
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202120430413.9
申请日:2021-02-28
Abstract: 本实用新型公开了一种平面偶极子二元寄生阵列天线,通过在平面偶极子天线两侧增加寄生金属单元,并适当的调整金属单元的长度和位置,便能够较大的增加天线增益,解决了天线尺寸较大和天线结构复杂的问题。此外,所述平面偶极子二元寄生阵列仅有一个馈电端口,通过调整寄生条带金属单元的长度和位置可以改善天线的阻抗匹配程度,提高天线的增益,结构简单,易于加工,可利用PCB工艺生产,成本低,精度高,适合大批量生产,解决了现有技术中的偶极子阵列天线馈电网络设计结构复杂的技术问题。
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公开(公告)号:CN212303907U
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN202021284004.4
申请日:2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线,包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线,所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧,所述平面发射器的数量为两个,所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧,且均与所述缝隙天线垂直,两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧,且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术,该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下,在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射,提高了缝隙天线的增益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN206864579U
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201720768551.1
申请日:2017-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/17
Abstract: 本实用新型公开了一种基于黑磷的超宽带极化可重构圆极化器,由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成,所述的单元结构包括依次堆叠的保护层、黑磷层、中间介质层、全反射面层;所述的黑磷层由n层黑磷片层组成,黑磷片层与片层之间由隔离介质层隔开,所述的保护层用于防止黑磷与空气或水接触,起到保护作用。该极化器开启了基于黑磷的圆极化器的设计,黑磷超材料的各向异性,使得线-圆极化转换成为可能;而黑磷的面内各向异性也可能对线-圆极化转换产生影响;同时,黑磷的单层原子的厚度有利于实现圆极化器的小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN205194854U
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201521032768.3
申请日:2015-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型公开一种超宽带电磁超表面圆极化器,由介质基板、印制在介质基板顶面的金属谐振阵列和印制在介质基板背面的金属接地板组成。金属谐振阵列由多个呈周期性矩阵排列的微缝耶路撒冷十字单元组成;每个微缝耶路撒冷十字单元的结构参数相同,并由2个正交的I形金属臂构成,即介质表面水平方向即X轴延伸的水平I形金属臂和介质表面垂直方向即Y轴延伸的垂直I形金属臂;水平I形金属臂的中部水平金属线的中心和垂直平I形金属臂的中部垂直金属线的中心相交;水平I形金属臂的中部水平金属线上刻蚀有2条贯穿该中部水平金属线的微型缝隙;这2条微型缝隙对称位于垂直I形金属臂的中部垂直金属线的左右两侧。本实用新型具有工作频率宽的特点。
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公开(公告)号:CN215449034U
公开(公告)日:2022-01-07
申请号:CN202121494324.7
申请日:2021-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种柱体件表面缺陷激光检测装置,包括两段前后排布的前输送带和后输送带,前输送带和后输送带同向转动,前输送带和后输送带之间留有缝隙,该缝隙用于柱体件放入,使柱体件位缝隙内,缝隙上方设置有多个激光检测头,缝隙的底部偏向前输送带设置有用于将缝隙内柱体件顶起的顶辊。本实用新型利用了输送带运动时表面的摩擦力进行传动,到达缝隙处的柱体件,因为输送带的摩擦力作用,使柱体件在缝隙内自传,在自传的同时,激光检测头对柱体件的表面进行360度全方位扫描检测,检测完毕后则顶辊将柱体件从缝隙中抬起并抬至后输送带,通过后输送带输送到后续工序,不仅检测连续性强,而且检测效率更高。
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公开(公告)号:CN213584169U
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202022569668.1
申请日:2020-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种侧馈式的窄地面宽频带贴片天线,通过调整所述金属地面的宽度可以调整天线带宽,所述金属地面宽度越窄带宽越宽,在所述金属地面的一定范围内均可实现天线的超宽带特征,在带宽范围内,H面图的波束宽度得到充分展宽,在某些频点呈现近全向特征,同时通过调整所述金属地面和所述介质层的长度可以使E面图实现多波束;另外,相较于常规同类贴片天线,可以通过减小所述介质板尺寸实现天线小型化设计。本实用新型可经过相应调整,解决了现有技术中的贴片天线应用领域窄的技术问题。
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公开(公告)号:CN206961985U
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201720413712.5
申请日:2017-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/163
Abstract: 本实用新型公开一种Ka波段圆波导TE01模式激励器,由正交波导、矩形阶梯波导、均匀方波导、骨形阶梯波导和均匀圆波导组成。正交波导的一个端口形成模式激励器的输入端口;正交波导的另一端口与矩形阶梯波导的尺寸偏小的端口连接,矩形阶梯波导的尺寸偏大的端口与均匀方波导的一个端口连接;均匀方波导的另一个端口与骨形阶梯波导的尺寸偏小的端口连接,骨形阶梯波导的尺寸偏大的端口与均匀圆波导的一个端口连接,均匀圆波导的另一个端口形成模式激励器的输出端口。本实用新型具有高转换效率,高模式纯度,结构紧凑、易于加工和宽频带的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN205944428U
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201620957347.X
申请日:2016-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种加载石墨烯去耦网络的微带阵列天线,包括介质板、以及覆于介质板表面的金属地板和2个以上的相互独立的天线阵列单元;2个相邻的天线阵列单元之间设有石墨烯层;该石墨烯层覆于介质板上,且与天线阵列单元之间存在一定的间隙;石墨烯层与一外置直流偏置电压相连接。本实用新型能够有效降低微带阵列天线中辐射贴片之间的电磁耦合,从而实现阵列天线的紧凑型结构。
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