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公开(公告)号：CN105114325A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510639935.9
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F04C29/00 , F04C18/344
Abstract: 本发明公开了一种油式旋片真空泵自动加油装置，该装置包括开设于真空吸气口下方外壁上的进油口、金属管、流量控制阀门、吸油管道，所述金属管的一端与进油口相连接，另一端连接流量控制阀门；所述吸油管道的一端连接流量控制阀门，另一端为自由端伸入真空泵油桶中。本发明可以达到在连续运转不停机的情况下给真空泵进行自动加油，利用运行时真空泵吸气口所产生的负压吸入真空泵油，并通过流量控制阀门进行调节流量大小，操作方便、简单、快速，进一步减少了对生产的影响，在一定程度上可有效的提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103531481B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310460327.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于沟槽方式的通道分压场效应管及生产方法，其利用沟槽方式，再通过扩散制作一n型通道连接沟道与漏极，n型通道所形成的十字型结构或T字形也是3D结构，PN之间形成空乏区（耗尽层）从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN103681318A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210345828.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66143 , H01L21/76202 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开一种使用硅的选择氧化技术制造结势垒肖特基二极管的方法，使用LOCOS（硅的局部氧化）氧化硅的形成，把注入的杂质离子的扩散范围有效的局限在LOCOS氧化硅区域之间，从而有效减少PN结的P区域或N区域横向（水平方向）的扩散的范围，因而减少了P区域或N区域横向扩散所占用的肖特基介面，因此肖特基介面的面积可以得到充分的利用，同时将有效的肖特基势垒界面弯曲成曲面从而增加导电面积，补偿异型小岛占用的面积，因而提升了势垒结肖特基二极管正向通电的功能及效率。
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公开(公告)号：CN103515245A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310460632.1
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/0642 , H01L29/66666 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开一种基于高能离子注入方式的通道分压场效应管及生产方法，利用高能离子注入设备进行渐深注入，再通过扩散制作一N型通道连接沟道与漏极，N型通道所形成的类T形结构也是3D结构，PN之间形成空乏区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和漏极之间的电容，综合前述两方面的改进，可以大幅减少栅极开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN203521427U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320612532.1
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种基于高能离子注入方式的通道分压场效应管，主要由漏极、栅极、源极、N+衬底、P型外延层、n+型纵向通道、n型横向通道、良导体、二氧化硅氧化层、体区P、P+层、金属塞、源区N+、硼磷硅玻璃、以及铝层组成。利用高能离子注入设备进行渐深注入，再通过扩散制作一N型通道连接沟道与漏极，N型通道所形成的类T形结构也是3D结构，PN之间形成空乏区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212322989U
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202021115075.1
申请日：2020-06-16
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔，所述塑封体的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体上左、右开设，六个引脚孔分别于塑封体上左、右对称开设，引脚孔的开设位置距离塑封体底部的高度为塑封体高度的1/3。本实用新型从外部尺寸上对封装结构进行了改进，既能够提高产品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204968345U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520770197.7
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H05K13/04
Abstract: 本实用新型公开了一种消除贴片机热应力装置，包括轨道、运行于轨道上的铜框架以及架设于轨道上的加温区域，还包括安装设置在轨道尾部上的延长轨道，该延长轨道与轨道处于同一水平面上形成冷却区域。本实用新型能有效减少芯片内部应力，不会出现芯片上层与粘在框架的下层开裂分离现象，同时芯片测试参数得到明显改善，产品不良品明显减少，有效的提高生产效率。
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公开(公告)号：CN204834612U
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201520591640.4
申请日：2015-08-07
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型公开一种通用引线框架，包括多个规整排列的引线框架单元以及将上述多个引线框架单元连接在一起的筋架构成；其中每个引线框架单元均由1个贴片区域和2个脚位区域组成，贴片区域和2个脚位区域这三者相互区隔独立；所述贴片区域的左侧边和右侧边的下部均向脚位区域方向延伸出一个外延突起部，贴片区域整体呈一个上窄下宽的凸字形。本实用新型能够更好地满足大尺寸芯片产品及多芯片的贴片和焊线要求。
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公开(公告)号：CN204785098U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520498082.7
申请日：2015-07-10
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F16L3/20
Abstract: 本实用新型公开了一种防止液压快速接头磨损的缓冲块，包括缓冲块块体，该缓冲块块体用于安装在与油管相连接的快速接头处，所述缓冲块块体的上端开设有U形槽，所述U形槽的开设方向与快速接头的轴向方向相一致，所述U形槽槽体的大小与快速接头相适配。本实用新型通过在缓冲块块体的上端开设有U形槽，该U形槽能够支撑、并且能牢固地扣住快速接头，有效的缓冲了由于油管振动而导致快速接头的振动，减少了快速接头振动产生的磨损，提高了快速接头的使用寿命，降低了设备维护的成本。
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公开(公告)号：CN204102906U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420496425.1
申请日：2014-08-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开一种双多晶硅功率MOS管，主要由N+衬底、N型外延层、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层、栅极多晶硅、体区P、源区N+、硼磷硅玻璃、P+区、钨塞、源极和漏极组成。本实用新型利用双多晶硅结构(源极多晶硅和栅极多晶硅)利用不同厚度的氧化层，在满足MOS器件功能的前提下，达到减小极与极间的电容的目的，大幅减小栅极和漏极之间以及栅极和源极的电容，从而大幅减少栅极开关时的充电时间(栅极电荷密度可以大幅降低)，提高了MOS管的开关速度，并利用深槽类3D结构，降低外延厚度对内阻的影响，实现低内阻。
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