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公开(公告)号：CN105679750B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201410661590.2
申请日：2014-11-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/33
Abstract: 本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。IGBT（或MOSFET）芯片的集电极（漏极）烧结在下钼片上上钼片烧结在IGBT（或MOSFET）芯片的发射极（源极）上。PCB设置在下钼片上或底座上，IGBT（或MOSFET）芯片的栅极通过引线键合方式互连至PCB上，并通过PCB的内部线路汇集至栅极引出端。本发明能够有效地解决现有压接式半导体模块制作方法过于复杂，压接过程中芯片受到的应力大，绝缘性能较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN106856180A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510900654.4
申请日：2015-12-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种焊接IGBT模块的方法，其包括以下步骤：步骤一：将拱形的基板展平并固定在平板上，所述基板的凸出面抵接于平板；步骤二：在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层；步骤三：将衬板覆盖在所述衬板焊料层上；步骤四：将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化，然后冷却所述衬板焊料层。采用本方法后能有效的控制基板拱度不规则变化，使模块封装后达到规定的基板拱度值，在焊接时不需要考虑焊接材料与封装工艺参数，基板拱度合格率提高。
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公开(公告)号：CN103985686B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201410251618.5
申请日：2014-06-09
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块封装焊接结构，包括基板、衬板、芯片和母排，所述基板和衬板上表面均涂有焊料或者放置有焊片，所述基板与所述衬板之间、所述衬板与所述芯片之间、所述母排与所述衬板之间均通过多个金属支柱连接。本发明在衬板正面金属层与基板正面焊接区域制作深度为0～5mm的金属支柱，用来支撑芯片，衬板，使焊料熔化后均匀地流动，填充间隙，以控制焊层的厚度和均匀性，该金属支柱还可以用来固定开设有通孔的焊片，避免了焊片在焊接过程中的滑动，漂移。
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公开(公告)号：CN105304619A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410229870.6
申请日：2014-05-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113
Abstract: 本发明公开了一种IGBT衬板结构及其制作方法，该衬板结构包括衬板，所述衬板的中部为电路区，所述衬板中部的下方设有母排焊接区，所述衬板的两侧均为芯片区，呈对称状，衬板门极电路呈对称状布置于衬板的两侧。该制作方法用来制备上述衬板结构。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、可降低热耦合、提高封装效率等优点。
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公开(公告)号：CN104992932A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510274433.0
申请日：2015-05-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及用于承载芯片的绝缘衬板以及IGBT模块。该绝缘衬板包括：含有多个绝缘板的层叠体，在相邻绝缘板之间设置有金属层，多个绝缘板中的每一个均大于与之相邻的两个金属层的面积。在使用本发明的绝缘衬板时，在金属层与绝缘衬板的界面处的电场集中的问题很小，从而避免影响绝缘衬板以及使用这种绝缘衬板的芯片的使用。
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公开(公告)号：CN104465549A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410779614.4
申请日：2014-12-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。本申请所公开的一种功率半导体模块的整体定位装置和定位凸台配合定位，就能保证将每个芯片置于合适的位置，因此可以利用机器，自动化地向定位方格中放置芯片，从而使得生产效率大为提高。
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公开(公告)号：CN104134648A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410335689.3
申请日：2014-07-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和第二电极导通，而在芯片失效后受热膨胀以解除对导电件的阻止，使得第一电极通过导电件与第二电极导通。由于在芯片失效后，第一电极和第二电极可以通过旁路导通单元导通，因此，在芯片失效后，该功率半导体器件仍能正常工作。
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公开(公告)号：CN103985686A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410251618.5
申请日：2014-06-09
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块封装焊接结构，包括基板、衬板、芯片和母排，所述基板和衬板上表面均涂有焊料或者放置有焊片，所述基板与所述衬板之间、所述衬板与所述芯片之间、所述母排与所述衬板之间均通过多个金属支柱连接。本发明在衬板正面金属层与基板正面焊接区域制作深度为0～5mm的金属支柱，用来支撑芯片，衬板，使焊料熔化后均匀地流动，填充间隙，以控制焊层的厚度和均匀性，该金属支柱还可以用来固定开设有通孔的焊片，避免了焊片在焊接过程中的滑动，漂移。
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公开(公告)号：CN103894697A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410168459.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: B23K3/087 , B23K1/008 , B23K2101/18 , B23K2101/36
Abstract: 本发明提出了一种大功率IGBT模块焊接装置，其包括焊片固定工装、衬板固定工装和定位销；所述焊片固定工装和焊片厚度一致，并设有固定焊片的贯通槽；所述衬板固定工装上设有固定待焊接衬板的贯通槽；所述焊片固定工装和衬板固定工装上均设有和定位销对应的定位孔。本焊接采用没有助焊剂的成型片状焊料（焊片），把片状材料放到特定的工装中，使得被焊接区域、片状材料与被焊接衬板元件位置相对固定，实现IGBT模块焊片焊接，焊接后，不存在助焊剂，焊接品也不需要清洗，既可以提高模块组装效率，也可以提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN103367341A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310278050.1
申请日：2013-07-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种IGBT衬板结构，包括衬板以及设置于衬板上的衬板门极电路、IGBT芯片、FRD芯片和母排接焊区，所述衬板门极电路位于衬板上的两侧，所述母排接焊区位于衬板的中部区域，所述IGBT芯片、FRD芯片位于母排接焊区与衬板门极电路之间。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、能使芯片在整个模块范围内更加均匀分布、简化衬板电路设计、提高封装工艺效率等优点。
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