-
公开(公告)号:CN107919383A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201710887817.9
申请日:2017-09-27
Abstract: 本发明提供一种开关元件,抑制在连接区域产生的电场。开关元件具备:半导体基板;沟槽,设于半导体基板的上表面;栅极绝缘层,覆盖沟槽的内表面;以及栅电极,配置于沟槽内,并且通过栅极绝缘层而与半导体基板绝缘。半导体基板具备:第一导电型的第一半导体区域,与栅极绝缘层接触;第二导电型的体区域,在第一半导体区域的下侧与栅极绝缘层接触;第一导电型的第二半导体区域,在体区域的下侧与栅极绝缘层接触;第二导电型的底部区域,在沟槽的底面与栅极绝缘层接触;以及第二导电型的连接区域,在沟槽的侧面与栅极绝缘层接触,并且将体区域与底部区域连接。连接区域的厚度比底部区域的厚度厚。
-
公开(公告)号:CN106463523A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580018795.1
申请日:2015-02-10
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L21/046 , H01L21/76237 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/0696 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置,其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极,并且对表面电极与背面电极之间进行开关,且该绝缘栅型半导体装置具有:第一外周沟槽,其被形成在半导体基板的表面上;第二外周沟槽,其被形成在半导体基板的表面上,并与第一外周沟槽相比而较深;第二导电型的第五区域,其露出于第一外周沟槽的底面上;第二导电型的第六区域,其露出于第二外周沟槽的底面上,且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧;第一导电型的第七区域,其使第五区域与第六区域分离。
-