公开(公告)号：CN104160512A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380012757.6

申请日：2013-03-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川和树 ,  住友正清 ,  松井正树 ,  樋口安史 ,  小山和博

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/6634

Abstract: 在半导体装置中，沟槽(5)具有：第1沟槽(5a)，在基极层(4)的表面具有开口部；第2沟槽(5b)，与第1沟槽(5a)连通，对置的侧壁的间隔比第1沟槽(5a)的对置的侧壁的间隔长，并且底部位于漂移层(3)。与第1沟槽(5a)结合的第2沟槽(5b)的结合部(5c)的壁面带有圆度。据此，能够抑制在第1沟槽(5a)与第2沟槽(5b)之间的结合部(5c)的附近发生较大的电场集中。此外，当电子被从沟道区域向漂移层(3)供给时，能够抑制电子的流动方向在结合部(5c)的附近急剧地变化。因此，能够实现导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN104157685A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410381270.1

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN104157648A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410381254.2

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN103918084A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280053666.2

申请日：2012-10-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 住友正清 ,  深津重光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238

Abstract: 在一种半导体装置中，第一组中的栅极电极(7a)与第一栅极焊盘(9a)连接，第二组中的栅极电极(7b)与第二栅极焊盘(9b)连接。可以通过所述第一栅极焊盘(9a)和所述第二栅极焊盘(9b)彼此独立地控制所述第一组中的栅极电极(7a)和所述第二组中的栅极电极(7b)。在关断时，在将不形成反型层(15)的关断电压施加于所述第二组中的栅极电极(7b)之后，将不形成反型层(15)的关断电压施加于所述第一组中的栅极电极(7a)。

公开(公告)号：CN103828060A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280047137.1

申请日：2012-09-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樋口安史 ,  深津重光 ,  住友正清

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348

Abstract: 在半导体器件中，沟槽栅极（18）具有在漂移层（13）中的底部（18b）和从基极层（14）的表面延伸以与底部连通的连通部（18a）。在x方向上相邻底部之间的距离小于相邻连通部之间的距离。在连通部中的栅极绝缘层（16）厚于在底部中的栅极绝缘层（16）。将相邻的沟槽栅极之间的区域在y方向上分割为有效区（P）和无效区（Q），所述有效区（P）对应于发射极层，所述发射极层作为用于在施加栅极电压时将电子注入到漂移层中的注入源，所述无效区（Q）即使在施加栅极电压时也不用作注入源。无效区在y方向上的间隔L1（>0）、连通部在z方向上的长度D1、以及底部在z方向上的长度D2满足L1≤2（D1+D2）。z方向正交于由彼此正交的x方向和y方向所定义的x-y平面。