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公开(公告)号：CN101542639A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000060.6
申请日：2008-01-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C23C14/086 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/265 , Y10T428/31507 , Y10T428/31721 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明提供一种具有可实用的耐湿性、作为透明导电膜所必要的特性、且经济性优良的ZnO系导电膜及其制造方法。在基体(11)的表面上形成含有III族元素氧化物作为掺杂剂或者不含III族元素氧化物、且以ZnO为主要成分的第1 ZnO导电膜层(1)，在其上形成含有种类不同的III族元素氧化物、且具有透明性的第2 ZnO导电膜层(2)，从而形成具有多层结构的导电膜(10)。第1 ZnO导电膜层的膜厚为5～50nm。另外，第2 ZnO导电膜层之后的ZnO导电膜层中以氧化锌(ZnO)为主要成分，以7重量％以下的比例含有III族元素氧化物。为了能够使形成于所述第1 ZnO导电膜层上的所述第2 ZnO导电膜层之后的ZnO导电膜层的结晶性提高，在可得到高结晶性的ZnO导电膜的条件下(例如，加热条件下)，形成第1 ZnO导电膜层。
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公开(公告)号：CN112470298B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980049523.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: MEMS器件(101)具备由压电体的单晶构成的压电层(10)、配置于压电层(10)的第一方向(91)的表面的第一电极(14)、以及配置为覆盖压电层(10)的第一方向(91)的表面的作为第一层的中间层(3)。压电层(10)的至少一部分包含在膜片部(6)中。第一电极(14)被第一层(3)覆盖且具有凹部。压电层(10)在与第一电极(14)的至少一部分对应的位置处具有贯通孔(18)，该贯通孔(1g)贯穿压电层(10)，使得将压电层(10)的与第一方向(91)相反的一侧即第二方向(92)的表面与所述凹部连结。
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公开(公告)号：CN111492578B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880081634.0
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种难以产生因带电引起的静电破坏的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在硅支承基板(2)上直接或间接地层叠有压电体(6)，在压电体(6)上设置有功能电极，在硅支承基板(2)上直接或间接地设置有支承层(3)，在俯视观察的情况下，支承层(3)设置于功能电极的外侧，在由绝缘物构成的支承层(3)上设置有硅盖层(4)，形成有由硅支承基板2、支承层(3)以及硅盖层(4)包围的空间(A)，硅支承基板(2)的电阻比硅盖层(4)的电阻高。
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公开(公告)号：CN111418152B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880077562.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供压电体层不容易破损，并且滤波器特性不容易恶化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：硅支承基板(2)，具有相互对置的第一、第二主面(2a、2b)；压电性构造体(12)，设置在第一主面(2a)上，并具有压电体层(6)；IDT电极(7)，设置在压电体层(6)上；支承层(3)，在硅支承基板(2)的第一主面(2a)上设置为包围压电体层(6)；覆盖层(4)，设置在支承层(3)上；通孔电极(11)，设置为贯通硅支承基板(2)和压电性构造体(12)；第一布线电极(8)，连接于通孔电极(11)，并电连接于IDT电极(7)。压电性构造体(12)具有包括压电体层(6)的至少1层具有绝缘性的层。第一布线电极(8)设置在压电性构造体(12)中的具有绝缘性的层上。
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公开(公告)号：CN111566933B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880081223.1
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25 , H03H3/08 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种能够更可靠地提高生产率的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电性基板(2)，具有支承基板(3)和直接或间接地设置在支承基板(3)上的压电体层(5)，且具有作为压电体层(5)侧的主面的第1主面(2a)和作为支承基板(3)侧的主面的第2主面(2b)；IDT电极(7)，直接或间接地设置在第1主面(2a)上；支承构件(8)，设置在支承基板(3)上；覆盖构件(9)，设置在支承构件(8)上；贯通过孔电极(17)，设置为贯通支承基板(3)，并与IDT电极(7)电连接；第1布线电极(15)，设置在压电性基板(2)的第2主面(2b)上，并与贯通过孔电极(17)电连接；以及保护膜(16)，设置在第2主面(2b)上，使得覆盖第1布线电极(15)的至少一部分。在从第2主面(2b)的法线方向观察时，保护膜(16)设置在比支承构件(8)靠内侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110809857B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201880042051.7
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岸本谕卓
IPC: H03H9/25
Abstract: 弹性波装置(1)依次层叠支承基板(51)、声反射层(56)、压电层(52)、和由一对梳齿状电极构成的IDT电极(110)以及布线电极(41以及42)，声反射层(56)具有低Z电介质层(53B)、配置在低Z电介质层(53B)的下方且声阻抗比低Z电介质层(53B)高的高Z电介质层(55)、以及配置在低Z电介质层(53B)的上方且声阻抗比低Z电介质层(53B)高的金属层(54)，在俯视声反射层(56)的情况下，金属层(54)在包含IDT电极(110)和布线电极(41a、41b、42a以及42b)并且不包含IDT电极(110)以外的IDT电极的区域中，金属层(54)的形成面积比高Z电介质层(55)的形成面积小。
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公开(公告)号：CN107925396B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201680048608.9
申请日：2016-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种利用了板波的S0模式的弹性波装置，其中，即使电极膜厚变化，也不易产生声速、频率特性的偏差。在压电薄膜(5)的第一主面(5a)上设置有具有多根电极指的IDT电极(6)。在压电薄膜(5)的第二主面(5b)上设置有导电层(8)。在弹性波装置(1)中，在压电薄膜(5)中传播的弹性波为板波的S0模式，处于所述IDT电极(6)的电极指间下方的区域的压电薄膜(5)部分比电极指以及处于电极指下方的区域的压电薄膜(5)部分变化得大。
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公开(公告)号：CN111095585A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059615.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/053 , H01L41/09 , H03H3/02 , H03H9/17
Abstract: 压电器件具备：至少一部分能够弯曲振动且极化状态相同的压电单晶体(10)、配置在压电单晶体(10)的上表面上的上部电极(22)、配置在压电单晶体(10)的下表面上的下部电极(21)、和配置在压电单晶体(10)的下方的支承基板(40)，设置有从支承基板(40)的下表面朝向压电单晶体(10)的下表面上的凹部(141)。
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公开(公告)号：CN110392978A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201780086810.5
申请日：2017-12-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制无用波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；声反射膜(3)，设置在支承基板(2)上；压电薄膜(4)(压电体)，设置在声反射膜(3)上；以及IDT电极(5)，设置在压电薄膜(4)上。声反射膜(3)是由包含第一低声阻抗层(3a)、第二低声阻抗层(3c)、第三低声阻抗层(3e)、第四低声阻抗层(3g)和第一高声阻抗层(3b)、第二高声阻抗层(3d)、第三高声阻抗层(3f)的多个声阻抗层构成的层叠体。声反射膜(3)具有：第一声阻抗层，是多个声阻抗层中的一个声阻抗层；以及第二声阻抗层，是多个声阻抗层中的一个声阻抗层，且算术平均粗糙度(Ra)与第一声阻抗层不同。
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公开(公告)号：CN110024286A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780071709.2
申请日：2017-09-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 弹性波装置(1)具备：压电基板(11)；以及IDT电极(5)，设置在压电基板(11)。IDT电极(5)具有：汇流条电极(7a、7c(或7b、7d))，在弹性波传播方向(D1)上延伸；以及多个电极指(8a(或8b))，与汇流条电极(7a、7c(或7b、7d))连接，并在弹性波传播方向(D1)的正交方向(D2)上延伸。压电基板(11)具有沿着弹性波传播方向(D1)形成的槽(10C、10D)，在正交方向(D2)上从汇流条电极(7a、7c(或7b、7d))观察，槽(10C(或10D))设置在与形成有多个电极指(8a(或8b))侧相反侧。
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