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公开(公告)号：CN111725207B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010195743.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制与多个晶体管单元连接的集电极布线的寄生电感的增加的半导体装置以及放大器模块。设置有两个单元列，由相互平行地排列的多个晶体管单元构成，每个晶体管单元包括设置在基板上的集电极区域、基极区域以及发射极区域。多个集电极引出布线分别与多个晶体管单元的集电极区域连接，并在与多个晶体管单元的排列方向交叉的方向上引出。集电极汇总布线使多个集电极引出布线相互连接。在俯视时配置在两个单元列之间的集电极中间汇总布线使从属于两个单元列中的一个单元列的多个晶体管单元分别引出的多个集电极引出布线相互连接。
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公开(公告)号：CN118039676A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410033691.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。
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公开(公告)号：CN117099211A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280023936.9
申请日：2022-02-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737
Abstract: 在基板上沿第一方向排列配置有多个单元。多个单元分别包含：双极晶体管；在俯视时包含于双极晶体管的基极层的发射极电极；以及基极电极。多个单元的双极晶体管相互并联地连接。多个单元中的位于两端的第一单元以外的至少一个第二单元的耐破坏性比第一单元的耐破坏性高。提供一种并不局限于面朝上安装而在倒装芯片安装的情况下也能够抑制耐破坏性的降低的半导体装置。
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公开(公告)号：CN110739305B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201910574024.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/082 , H01L21/331 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布多个第一双极晶体管和至少一个以上的第二双极晶体管而配置。
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公开(公告)号：CN110021595B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910018835.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明提供能够抑制发射极电阻的增大且具有适合于高输出动作的构成的半导体装置。多个单位晶体管在基板的表面沿第一方向排列地配置。与单位晶体管对应地配置输入电容元件。在单位晶体管的发射极层连接发射极共用布线。在与发射极共用布线重叠的位置设置从发射极共用布线到达至基板的背面的导通孔。在单位晶体管的集电极层连接集电极共用布线。多个输入电容元件、发射极共用布线、多个单位晶体管以及集电极共用布线按上述记载顺序沿第二方向排列地配置。将多个输入电容元件与对应的单位晶体管的基极层连接的基极布线与发射极共用布线不物理性接触地交叉。
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公开(公告)号：CN115188805A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210679343.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供一种能够抑制HBT的输入输出特性的线性度降低的HBT。在基板上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。集电极层包含渐变型半导体层，该渐变型半导体层的电子亲和力从接近基极层的侧朝向远离基极层的侧增大。基极层的接近集电极层的侧的界面上的电子亲和力与渐变型半导体层的接近基极层的侧的界面上的电子亲和力相等。
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公开(公告)号：CN114639723A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111533698.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L27/06 , H03F3/195 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供能够抑制形成在发射极与基极之间的寄生电容的功率放大器。功率放大器是具有基板、和在基板的主面依次层叠的发射极层、基极层及集电极层的功率放大器，具有：绝缘物，与发射极层相邻地设置；发射极电极，设置在发射极层及绝缘物与基板之间；基极电极，与基极层电连接；以及集电极电极，与集电极层电连接，在与基板的主面垂直的方向上，在基板与基极电极之间设置有发射极电极、绝缘物以及基极层。
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公开(公告)号：CN112564646A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011022062.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供关于电流的流动，难以产生非对称性的扩大，并且能够扩大SOA的单位组件。集电极层配置在基板之上，在俯视时划定一个连续的区域。基极层配置在集电极层之上，发射极层配置在基极层之上，并且发射极台面层配置在发射极层之上。在俯视时在发射极台面层的外侧并且在基极层的内侧，两个基极电极与基极层电连接。配置在基板之上的两个电容器被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第一布线之间。配置在基板之上的两个电阻元件被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第二布线之间。
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公开(公告)号：CN112531022A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010985508.7
申请日：2020-09-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L23/34
Abstract: 本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极布线与基极电极连接。
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公开(公告)号：CN110739305A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910574024.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/082 , H01L21/331 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布多个第一双极晶体管和至少一个以上的第二双极晶体管而配置。
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