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公开(公告)号：CN1157796C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN01121679.4
申请日：2001-03-28
Applicant: 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社 , 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676
Abstract: 在设置于衬底上的第1电极膜的表面上，依次形成以三硫化二锑为主成分的电荷移动层，以无定型硒为主成分的X射线检测层，第2电极膜，按照第1电极膜侧为正极，第2电极膜侧为负极的方式，施加电压，对第2电极膜的表面辐射X射线，此时在该X射线检测层内部产生的载流子便收集于第1，第2电极膜中。
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公开(公告)号：CN1425925A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02151855.6
申请日：2002-10-18
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14609
Abstract: 本发明公开了一种放射线探测器。其中，在适于形成大面积的放射线感应型非晶半导体厚膜与电压施加电极的端部边缘部分之间形成高耐压绝缘物质。从而，消除电压施加电极的端部边缘部分上电场的集中，并且不再引起穿透放电或放电击穿等前级现象。
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公开(公告)号：CN1380555A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02105818.0
申请日：2002-04-11
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24
CPC classification number: H01L31/0216 , H01L27/14676 , H01L31/0203
Abstract: 以覆盖非晶半导体厚膜的整个表面这样一种方式在放射线灵敏型非晶半导体厚薄膜与电压施加电极之间形成抗溶解和载流子可选高阻薄膜。此外,在非晶半导体厚膜、抗溶解和载流子可选高阻薄膜、和电压施加电极的上面形成的、和以覆盖顶层表面这样一种方式通过高耐压硬化合成树脂固定在上面的顶层表面上,形成热胀系数与绝缘基底的热胀系数相当的绝缘辅助板件。
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公开(公告)号：CN114720497A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210002997.9
申请日：2022-01-04
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/223
Abstract: 分光元件(12)及检测器(14)沿着一个罗兰圆(104)的圆周配设。沿着罗兰圆(104)的分光元件(12)的分光面的长度短于照射至试样支架(108)的激发射线的照射面在罗兰圆(104)的面内的长度。配设有分光元件(12)和试样支架(108)使得通过分光元件(12)的共通的分光范围对特征X射线组进行分光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110678743B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201780090533.5
申请日：2017-05-18
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/223 , G01N23/207
Abstract: 一种X射线分光分析装置，具备：激发源(12)，向试样(S)的照射区域(A)照射激发线；衍射部件(14)，设置为面向照射区域(A)；狭缝部件(13)，设置在照射区域(A)和衍射部件(13)之间，具有与照射区域(A)及衍射部件(14)的规定的面平行的狭缝；X射线线性传感器(15)，具有在与狭缝的长度方向垂直的方向上排列有多个检测元件而形成的光入射面；第1移动机构，在与所述长度方向垂直的面内使所述衍射部件移动，从而变更所述试样表面与所述规定的面所成的角度、或/和所述试样表面与所述规定的面之间的距离；第2移动机构，在与所述长度方向垂直的面内使所述X射线线性传感器移动，从而使该X射线线性传感器位于通过所述狭缝而在所述规定的面衍射的特征X射线的路径上。
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公开(公告)号：CN113804713A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110089055.4
申请日：2021-01-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
IPC: G01N23/223
Abstract: 本发明提供一种能够简单地对试样中的对象元素的价数进行分析的X射线分析装置以及X射线分析方法。X射线分析装置的信号处理装置的控制器(22)具备：存储部(306)，对基于从金属的单体发射的Kα1射线的峰能量以及Kα2射线的峰能量、从包含该金属的单体的2种以上的化合物各自发射的Kα1射线的峰能量以及Kα2射线的峰能量、和2种以上的化合物各自的金属的价数而生成的校准曲线进行存储；处理部(302)，获取从未知试样包含的金属中发射的Kα1射线的峰能量以及该金属的Kα2射线的峰能量；计算部(308)，通过将获取到的Kα1射线的峰能量以及Kα2射线的峰能量应用至校准曲线，计算未知试样中包含的金属的平均价数。
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公开(公告)号：CN103534808B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180070671.X
申请日：2011-05-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H04N5/32 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14603 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L31/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，该放射线检测器防止隔着层间绝缘层互相交叉的电配线彼此之间短路，而防止检测元件发生缺损。根据本发明的结构，为了防止非晶硒层（1）和有源矩阵基板（4）的电配线短路而进行了研究。即，电配线设于非晶硒层（1）的被层厚度较厚的中央部覆盖的位置。通过设为这样的结构，由于电配线能够可靠地与电极层隔离，因此能够提供一种能够经得住长时间使用的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN102414580B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN200980159033.8
申请日：2009-04-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14659 , H01L31/02005
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，根据本发明的放射线检测器，使导板(5a)作为形成为面状的板材而介于之间地连接用于施加偏压的共用电极(3)与用于提供偏压的引线(4)。在共用电极(3)上不直接连接引线(4)而是连接导板(5a)，因此能够防止损伤放射线感应型半导体(2)，能够避免性能的降低。另外，导板(5a)形成为面状，因此，即使使用电阻值高的导电糊剂也能够降低连接电阻，成为与使用了银糊剂时同等的程度。也就是说，导电糊剂的选择范围扩大。另外，不使用绝缘性基座就能够进行连接，能够避免性能的降低。其结果是不使用绝缘性基座就能够避免性能的降低。
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公开(公告)号：CN102792184B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201180013043.8
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
Abstract: 本发明的目的在于提供一种二维阵列X射线检测器的检查方法，该检查方法能够通过对具有其尺寸在短时间内变大的增长性的缺陷像素进行识别，来识别不适合于X射线摄影的二维阵列X射线检测器。该二维阵列X射线检测器的检查方法包括以下步骤：偏置电压步骤，多次反复利用共用电极施加偏置电压和停止施加偏置电压；暗电流值测量步骤，对不照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量；缺陷像素识别步骤，根据在暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素；以及判断步骤，根据在缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。
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