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公开(公告)号：CN101390213B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680053379.6
申请日：2006-02-23
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L31/115 , G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种放射线检测器，其中位于共用电极向引线的连接部分上的部位在不到放射线检测有效区域的范围内比半导体的其他部位以凹状凹陷形成，以掩埋该位于连接部分上的部位的方式配设绝缘性的台座，共用电极至少覆盖上述的台座的一部分形成，引线与共用电极的入射面中位于台座的部位连接形成，所以能够避免因共用电极连接引线而引起的性能低下，并且能够避免热变形应力或放射线衰减问题。
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公开(公告)号：CN1595200A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410077119.5
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L27/14678 , H01L27/14658
Abstract: 本发明的放射线检测器具有位于放射线感应半导体的前表面上放射线检测有效区域外侧位置的电绝缘缓冲器座。用于施加偏置电压的公共电极覆盖缓冲器座。用于提供偏置电压的导线与该公共电极表面上位于缓冲器座上的导线连接区域连接。缓冲器座减小当导线与公共电极连接时产生的冲击。这样，就可以保护半导体和中间层免受损坏，从而避免性能降低。该缓冲器座位于放射线检测有效区域以外。因此，该缓冲器座不会削弱放射线检测功能。
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公开(公告)号：CN102369458A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014680.2
申请日：2010-03-26
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L31/0248 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14676 , G01T1/244 , H01L31/085
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器以及具备该放射线检测器的放射线摄影装置，本发明的结构依次层叠有有源矩阵基板(4)、非晶硒层(1)、高电阻层(3)、金电极层(2)、绝缘层(5)以及辅助板(6)。以提供不使辅助板(6)蓄积电荷来防止在非晶半导体层上形成空隙和在具有载流子选择性的高电阻膜(3)上形成针孔的放射线检测器为目的，在实施例1中，在绝缘层(5)中添加无机阴离子交换体。无机阴离子交换体吸附绝缘层(5)中的氯化物离子，因此能够防止氯化物离子被吸引到金电极层(2)而引起X射线检测器(10)被破坏。
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公开(公告)号：CN102144175B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200880131016.9
申请日：2008-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，对于覆盖在放射线感应型半导体层、载流子选择性高电阻膜、共用电极的露出面上的固化性合成树脂膜，在制作该固化性合成树脂膜的工序中使用不混入氯的材料。由此，就会防止载流子选择性高电阻膜和半导体层因氯离子而形成针孔和孔洞。此外，在共用电极的露出面与固化性合成树脂膜之间，配备不使离子性物质透过的保护膜，也可以防止载流子选择性高电阻膜被固化性合成树脂膜中所含的氯离子腐蚀，防止半导体层中暗电流的增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1318860C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410077119.5
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L27/14678 , H01L27/14658
Abstract: 本发明的放射线检测器具有位于放射线感应半导体的前表面上放射线检测有效区域外侧位置的电绝缘缓冲器座。用于施加偏置电压的公共电极覆盖缓冲器座。用于提供偏置电压的导线与该公共电极表面上位于缓冲器座上的导线连接区域连接。缓冲器座减小当导线与公共电极连接时产生的冲击。这样，就可以保护半导体和中间层免受损坏，从而避免性能降低。该缓冲器座位于放射线检测有效区域以外。因此，该缓冲器座不会削弱放射线检测功能。
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公开(公告)号：CN102414580B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN200980159033.8
申请日：2009-04-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14659 , H01L31/02005
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，根据本发明的放射线检测器，使导板(5a)作为形成为面状的板材而介于之间地连接用于施加偏压的共用电极(3)与用于提供偏压的引线(4)。在共用电极(3)上不直接连接引线(4)而是连接导板(5a)，因此能够防止损伤放射线感应型半导体(2)，能够避免性能的降低。另外，导板(5a)形成为面状，因此，即使使用电阻值高的导电糊剂也能够降低连接电阻，成为与使用了银糊剂时同等的程度。也就是说，导电糊剂的选择范围扩大。另外，不使用绝缘性基座就能够进行连接，能够避免性能的降低。其结果是不使用绝缘性基座就能够避免性能的降低。
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公开(公告)号：CN102414580A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200980159033.8
申请日：2009-04-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14659 , H01L31/02005
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，根据本发明的放射线检测器，使导板(5a)作为形成为面状的板材而介于之间地连接用于施加偏压的共用电极(3)与用于提供偏压的引线(4)。在共用电极(3)上不直接连接引线(4)而是连接导板(5a)，因此能够防止损伤放射线感应型半导体(2)，能够避免性能的降低。另外，导板(5a)形成为面状，因此，即使使用电阻值高的导电糊剂也能够降低连接电阻，成为与使用了银糊剂时同等的程度。也就是说，导电糊剂的选择范围扩大。另外，不使用绝缘性基座就能够进行连接，能够避免性能的降低。其结果是不使用绝缘性基座就能够避免性能的降低。
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公开(公告)号：CN102144175A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200880131016.9
申请日：2008-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，对于覆盖在放射线感应型半导体层、载流子选择性高电阻膜、共用电极的露出面上的固化性合成树脂膜，在制作该固化性合成树脂膜的工序中使用不混入氯的材料。由此，就会防止载流子选择性高电阻膜和半导体层因氯离子而形成针孔和孔洞。此外，在共用电极的露出面与固化性合成树脂膜之间，配备不使离子性物质透过的保护膜，也可以防止载流子选择性高电阻膜被固化性合成树脂膜中所含的氯离子腐蚀，防止半导体层中暗电流的增加。
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公开(公告)号：CN101390213A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200680053379.6
申请日：2006-02-23
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L31/115 , G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种放射线检测器，其中位于共用电极向引线的连接部分上的部位在不到放射线检测有效区域的范围内比半导体的其他部位以凹状凹陷形成，以掩埋该位于连接部分上的部位的方式配设绝缘性的台座，共用电极至少覆盖上述的台座的一部分形成，引线与共用电极的入射面中位于台座的部位连接形成，所以能够避免因共用电极连接引线而引起的性能低下，并且能够避免热变形应力或放射线衰减问题。
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