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公开(公告)号：CN102142525B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201010576717.2
申请日：2010-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2051/0063 , H01L2251/552
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置、电子装置和照明装置。本发明的目的是提供一种具有长寿命和优良的发射效率和驱动电压的发光元件。本发明的一个实施例是在阳极和阴极之间至少包括如下堆叠结构的发光元件，在所述堆叠结构中，从阳极侧起按顺序设置第一层、第二层和发光层。所述第一层包括第一有机化合物和电子接受化合物。所述第二层包括第二有机化合物，所述第二有机化合物的HOMO能级与第一有机化合物的HOMO能级相差从-0.2eV到+0.2eV。所述发光层包括第三有机化合物和相对于第三有机化合物具有空穴俘获性质的发光物质，所述第三有机化合物的HOMO能级与第二有机化合物的HOMO能级相差从-0.2eV到+0.2eV。
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公开(公告)号：CN102040528B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201010532920.X
申请日：2010-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/54 , C07C211/61 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/54 , C07C211/61 , C07C2601/14 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/50 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L2251/552 , H05B33/10
Abstract: 本发明的目的是提供作为有机EL元件用的发光材料的新颖的芴衍生物。提供由通式(G1)表示的芴衍生物。该式中，R1至R8独立地表示氢原子、具有1-6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基、或者取代或未取代的联苯基。此外，α1至α4独立地表示取代或未取代的亚苯基。Ar1表示具有14-18个环碳原子的取代或未取代的稠合芳烃。Ar2表示具有6-13个环碳原子的取代或未取代的芳基。Ar3表示具有1-6个碳原子的烷基或者具有6-12个碳原子的取代或未取代的芳基。此外，j，m和n独立地表示0或1，p表示1或2。
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公开(公告)号：CN102942492B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210279619.1
申请日：2009-04-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/54 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/54 , C07C2601/14 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L27/3209 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5278 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供由下面的通式(G1)表示的三芳基胺衍生物。在式中，Ar表示取代或无取代的苯基及取代或无取代的联苯基中的任一种，α表示取代或无取代的萘基，并且β表示氢及取代或无取代的萘基中的任一种。此外，n和m分别独立表示1或2，并且R1至R8分别独立表示氢、碳原子数为1至6的烷基及苯基中的任一种。
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公开(公告)号：CN102646793B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210123886.X
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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![二苯并[c,g]咔唑化合物、发光元件、发光装置、显示装置、照明装置以及电子设备](/CN/2013/1/12/images/201310063019.jpg)
公开(公告)号：CN103204796A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310063019.6
申请日：2012-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/80
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/56 , C07D209/60 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种如下新颖化合物，该新颖化合物可以应用于发光元件的传输层、主体材料或发光材料，而可以制造高性能发光元件。本发明人合成如下二苯并[c,g]咔唑化合物，在该二苯并[c,g]咔唑化合物中，二苯并[c,g]咔唑衍生物的氮与至少包含蒽的碳原子数为14至30的芳基键合。通过使用该二苯并[c,g]咔唑化合物，可以容易得到具有非常优良的特性的发光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102964291A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210541073.2
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN1925187B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200610129024.2
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN102448926A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080025006.4
申请日：2010-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/54 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C209/10 , C07C211/54 , C07C2603/18 , C09B57/00 , C09B57/008 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5056 , H05B33/14 , H05B33/20
Abstract: 本发明的一个目的是通过由以下通式(G1)表示的新的芴衍生物提供具有高发光效率的发光元件。式中，R1-R8独立地表示氢原子、具有1-6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，或者取代或未取代的联苯基中的任一种。此外，α1-α4独立地表示任一种具有6-12个碳原子的取代或未取代的亚芳基。此外，Ar1和Ar2独立地表示任一种具有6-13个环碳原子的芳基，Ar3表示具有1-6个碳原子的烷基或具有6-12个碳原子的取代或未取代的芳基。J，k，m，和n独立地表示0或1。
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公开(公告)号：CN102244200A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110192303.4
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L2251/552 , H01L2251/558
Abstract: 发光元件包括：发光层和在第一电极和第二电极之间的控制载流子移动的层。所述控制载流子移动的层包含第一有机化合物和第二有机化合物，并且提供在所述发光层和第二电极之间。所述第一有机化合物具有电子迁移性能，第二有机化合物具有电子俘获性能。第一有机化合物的重量百分率高于第二有机化合物的重量百分率。当按第一电极的电势高于第二电极的电势的方式施加电压时，所述发光层发光。具有电子迁移性能的第一有机化合物可以被具有空穴迁移性能的有机化合物替代，具有电子俘获性能的第二有机化合物可以被具有空穴俘获性能的有机化合物替代。
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公开(公告)号：CN102142525A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010576717.2
申请日：2010-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2051/0063 , H01L2251/552
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置、电子装置和照明装置。本发明的目的是提供一种具有长寿命和优良的发射效率和驱动电压的发光元件。本发明的一个实施例是在阳极和阴极之间至少包括如下堆叠结构的发光元件，在所述堆叠结构中，从阳极侧起按顺序设置第一层、第二层和发光层。所述第一层包括第一有机化合物和电子接受化合物。所述第二层包括第二有机化合物，所述第二有机化合物的HOMO能级与第一有机化合物的HOMO能级相差从-0.2eV到+0.2eV。所述发光层包括第三有机化合物和相对于第三有机化合物具有空穴俘获性质的发光物质，所述第三有机化合物的HOMO能级与第二有机化合物的HOMO能级相差从-0.2eV到+0.2eV。
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