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公开(公告)号：CN101647113B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880007858.3
申请日：2008-03-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8247 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/792 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11568 , H01L27/1203 , H01L27/1237 , H01L29/66833
Abstract: 本发明改进了非易失性存储晶体管的电荷保持特性。用作隧穿绝缘膜的第一绝缘膜、电荷存储层和第二绝缘膜夹在半导体衬底与导电膜之间。电荷存储层由两个硅氮化物膜构成。作为下层的硅氮化物膜通过CVD方法使用NH3作为氮源气体来形成，并且所包含的N-H键的数目大于上层的N-H键的数目。作为上层的第二硅氮化物膜通过CVD方法使用N2作为氮源气体来形成，并且所包含的Si-H键的数目大于下层的Si-H键的数目。
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公开(公告)号：CN106816383B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201710158461.5
申请日：2011-08-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/324 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN110908203A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911225746.1
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号：CN110824800A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911225794.0
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786 , G09G5/18
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号：CN102983335B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201210317652.9
申请日：2012-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01G11/68 , H01G11/06 , H01G11/28 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/86 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M10/052 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明的目的是提供一种充放电循环特性及比率特性高且不容易发生活性物质的剥离等导致的劣化的电极及蓄电装置。在蓄电装置的电极中，通过使用如下电极可以提高蓄电装置的充放电循环特性，该电极包含：集电体；该集电体上的第一活性物质层；以及该活性物质层上的包含具有氧化铌的粒子和粒状活性物质的第二活性物质层。再者，通过使粒状活性物质与具有氧化铌的粒子接触，由此粒状活性物质被物理地固定，从而能够抑制伴随蓄电装置的充放电的活性物质的膨胀或收缩导致活性物质的微粉化或活性物质从集电体上剥离等劣化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104485336B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410635394.8
申请日：2010-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/108 , H01L27/11
CPC classification number: H01L29/7869 , G06F15/76 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/60 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78696
Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。
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公开(公告)号：CN103489871B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310317861.8
申请日：2010-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/134309 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/24 , H01L29/517 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。
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公开(公告)号：CN104992984A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510387603.6
申请日：2010-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置、显示模块及电子装置，特别地，本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。
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公开(公告)号：CN104835850A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510215816.0
申请日：2010-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。
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公开(公告)号：CN103489871A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310317861.8
申请日：2010-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/134309 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/24 , H01L29/517 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。
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