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公开(公告)号：CN101419946A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810175034.9
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的目的之一在于通过缩减曝光掩模数使光刻工序简化，以低成本且高生产率制造具有可靠性的显示装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的显示装置的制造方法中，使用掩模层进行蚀刻工序，该掩模层使用用作透过的光具有多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成。进而，在衬底上以彼此相同的工序形成栅极布线层和源极布线层，且在栅极布线层和源极布线层的交叉部以源极布线层为分割(切断)的形状。被分割的源极布线层在开口(接触孔)中隔着导电层彼此电连接。该导电层通过与源电极层及漏电极层相同的工序在栅极绝缘层上形成。
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公开(公告)号：CN101419945A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810175032.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625 , G02F2201/50 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的制造方法包括如下工序：在衬底上形成由透明导电层和金属层的叠层构成的第一导电层，并且使用第一多级灰度掩模来形成由第一导电层构成的栅电极和由单层的透明导电层构成的像素电极；在形成栅极绝缘膜和I型半导体层和n+型半导体层之后使用第二多级灰度掩模形成像素电极中的接触孔及I型半导体层和n+型半导体层的岛；在形成第二导电层之后使用第三光掩模形成源电极及漏电极；在形成保护膜之后使用第四光掩模来形成开口区域。注意，该使用第四光掩模的工序可以通过使用背面曝光技术及回流技术而省略掩模。
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公开(公告)号：CN101211082A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710194397.2
申请日：2007-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/136227
Abstract: 本发明的目的在于提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置解消颜色不均匀，且具有高可视性和高图像质量。此外，还提供高开口率和高图像质量的液晶显示装置。其中，以与用作电连接到薄膜晶体管的源区域或漏区域的接触孔重叠的方式选择性地提供遮光层。或者，由于通过与接触孔重叠地配置具有开口的着色层(彩色滤光片)的开口部分，液晶分子的取向无序的影响不反映到显示，因此可以提供高图像质量的液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN1604291A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410076974.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S438/978
Abstract: 因为玻璃中包含钠，或者玻璃本身具有低耐热性，不能实现使用在玻璃衬底等上形成的TFT制成CPU。在以高速运行的CPU情况下，要求TFT的栅极长度较短些。然而，因为玻璃衬底具有大偏转，栅极电极不能蚀刻成具有足以用于CPU的短的栅极长度。按照本发明，在玻璃衬底上形成的结晶的半导体膜上形成导电膜，在导电膜上形成掩模，使用掩模蚀刻导电膜；这样，形成具有栅极长度为1.0μm及以下的薄膜晶体管。特别，通过用激光照射，使在玻璃衬底上形成的无定形半导体膜结晶化来形成结晶的半导体膜。
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公开(公告)号：CN101419987B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN200810175027.9
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L29/417 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78678
Abstract: 本发明名称是“半导体装置以及其制造方法”。在本发明中，通过使用第一多级灰度光掩模的曝光形成第一抗蚀剂图案，然后对第一导电层、第一绝缘层、第一半导体层及第二半导体层进行蚀刻，来形成岛状单层及岛状叠层。在此，在岛状单层及岛状叠层的侧面形成侧壁。再者，通过使用第二多级灰度光掩模的曝光形成第二抗蚀剂图案，然后对第二导电层及第二半导体层进行蚀刻，来形成薄膜晶体管、像素电极、及连接端子。之后，通过以第一导电层和第二导电层的金属层为掩模的从背面的曝光形成第三抗蚀剂掩模，然后对第三绝缘层进行蚀刻，来形成保护绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101419945B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200810175032.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625 , G02F2201/50 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的制造方法包括如下工序：在衬底上形成由透明导电层和金属层的叠层构成的第一导电层，并且使用第一多级灰度掩模来形成由第一导电层构成的栅电极和由单层的透明导电层构成的像素电极；在形成栅极绝缘膜和I型半导体层和n+型半导体层之后使用第二多级灰度掩模形成像素电极中的接触孔及I型半导体层和n+型半导体层的岛；在形成第二导电层之后使用第三光掩模形成源电极及漏电极；在形成保护膜之后使用第四光掩模来形成开口区域。注意，该使用第四光掩模的工序可以通过使用背面曝光技术及回流技术而省略掩模。
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公开(公告)号：CN101236973B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200810004494.5
申请日：2008-01-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1237 , H01L27/1214 , H01L27/127
Abstract: 本发明的课题为如下：在制造具有n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管的半导体装置的情况下，减少TFT的不均匀。此外，掩模数量的缩减、制造工序数量的减少、以及制造工序期间的缩短。本发明是一种半导体装置的制造方法，其中在形成第一薄膜晶体管的岛状半导体层之后，形成第二薄膜晶体管的岛状半导体层，并且当形成所述第二薄膜晶体管的岛状半导体层之际，将与所述第二薄膜晶体管的岛状半导体层接触的栅绝缘膜兼用作所述第一薄膜晶体管的岛状半导体层的保护膜(蚀刻停止膜)。
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公开(公告)号：CN101604696B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810127926.1
申请日：2001-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供了一种半导体设备及其制造方法。按照本发明的一个方面，半导体设备包括：在一个衬底上的象素部分，包括至少一个第一n沟道型薄膜晶体管和至少一个电镀的源布线，该n沟道型薄膜晶体管包括在一个绝缘表面上的一个半导体层，在该半导体层上的一个绝缘薄膜和在该绝缘薄膜上的一个栅极；一个在该衬底上的驱动电路，包括至少第二和第三n沟道薄膜晶体管；一个在该衬底上的电镀的端子部分。
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公开(公告)号：CN100565309C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610099773.5
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/133345 , G02F2001/136222
Abstract: 在本发明中，目的是提供一种液晶显示器件及其制造方法，其中，在固定有源矩阵衬底和反衬底时无须精确的位置对准，且不影响电场从电极施加到液晶。根据本发明的一个特点，用有源矩阵衬底来形成液晶显示器件，其中，包括多个TFT、布线等的驱动电路以及包括多个TFT、布线、象素电极等的象素部分，被形成在配备有遮光膜和成色膜的衬底上，且液晶显示器件具有液晶被注入在有源矩阵衬底与反衬底之间的结构。
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公开(公告)号：CN101577280A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910006746.2
申请日：2009-02-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/60 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0296 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种显示装置。本发明的目的在于减少保护电路的占有面积。本发明的目的还在于提高含保护电路的显示装置的可靠性。本发明的保护电路包括衬底上的第一布线、第一布线上的绝缘膜以及绝缘膜上的第二布线。
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