半导体装置的制造方法以及半导体装置

    公开(公告)号:CN101174675B

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN200710184973.5

    申请日:2007-10-31

    CPC classification number: H01L51/0022 H01L51/0533 H01L51/0545

    Abstract: 本发明的一种半导体装置的制造方法包括如下步骤:在透光衬底上形成栅电极;在所述栅电极和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层;在所述绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层;将所述栅电极用作掩模,且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层选择性地聚合所述有机层;通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分,形成有机聚合层;在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成具有水解基的有机硅烷膜;通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极及漏电极;以及在所述栅电极、所述源电极、以及漏电极上形成半导体层。

    显示器件、其制造方法以及电视机

    公开(公告)号:CN100533746C

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200510091032.8

    申请日:2005-08-03

    Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法,所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT,其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。

    显示器件的制造方法
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101017872A

    公开(公告)日:2007-08-15

    申请号:CN200710008091.3

    申请日:2007-02-09

    CPC classification number: H01J9/2275 G09G3/30 G09G2300/0426

    Abstract: 本发明的目的在于提供进一步降低功耗,提高发光效率,并且具有高性能及高可靠性的显示器件。在本发明中,通过以下步骤来制造发光元件:对发光材料照射光;将照射了光的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中,而形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的溶液;形成第一电极层;将溶液涂敷在第一电极层上,以形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的发光层;以及在发光层上形成第二电极层。还可以在第一电极层和发光层之间或在第二电极层和发光层之间提供绝缘层。

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