公开(公告)号：CN114424515A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080064249.2

申请日：2020-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一 ,  根来雄介

IPC: H04N5/225 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146

Abstract: 期望着无论在黑暗的环境下还是在明亮的环境下都可以以相等于或超过于人的视觉的光量范围进行摄像的摄像装置。扩大动态范围而实现高图像品质化。为了得到动态范围扩大的图像，在一个像素中设置大电容器和小电容器的两个电容器。大电容器以夹在用来控制从小电容器溢出的电荷量的晶体管与用来复位储存电荷的晶体管的方式构成，作为该两个晶体管，使用OS晶体管。OS晶体管的极低的关态电流可以使摄像的动态范围扩大。

公开(公告)号：CN114175619A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080053606.5

申请日：2020-07-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上广树 ,  米田诚一 ,  根来雄介 ,  石津贵彦 ,  小林英智

IPC: H04N5/347 ,  H04N5/3745 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种具有动作检测功能及图像处理功能的摄像装置。摄像装置可以检测出用作参考的帧图像与比较对象的帧图像之间的差分并可以在检测出明显差分时从动作检测模式切换到普通拍摄模式。动作检测模式以低帧率进行工作而可以抑制功耗。另外，摄像装置具有图像识别功能通过与动作检测功能组合可以在识别到特定图像时从动作检测模式切换到普通拍摄模式。

公开(公告)号：CN114026692A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080047409.2

申请日：2020-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一 ,  根来雄介

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/347 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

Abstract: 提供一种可以进行图像处理的摄像装置。提供一种低功耗的摄像装置。提供一种可靠性高的摄像装置。提供一种像素的集成度得到提高的摄像装置。提供一种成本低的摄像装置。该摄像装置包括光电转换器件、形成在第一层中且在沟道形成区域中包含硅的第一晶体管以及形成在贴合于第一层的第二层中的电容器，其中第一晶体管的源极和漏极中的一个与光电转换器件的一个电极电连接，另一个与电容器的一个电极电连接，包括具有生成第一数据的功能以及将第一数据乘以任意倍率而生成第二数据的功能的像素，并且第一数据及第二数据为模拟值。

公开(公告)号：CN112189261A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201980035037.9

申请日：2019-06-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一 ,  小林英智 ,  中川贵史 ,  根来雄介 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 提供一种能够以短时间间隔取得与高分辨率的图像对应的摄像数据的摄像装置。摄像装置包括设置有光电转换元件和n个(n为2以上的整数)保持电路的像素。光电转换元件及n个保持电路互相层叠。光电转换元件的一个电极与第一至第n保持电路电连接。保持电路包括具有关态电流极低的特性的OS晶体管，可以长期间保持摄像数据。在第一至第n期间，摄像装置取得第一至第n摄像数据并将其保持在第一至第n保持电路中。然后，读出第一至第n保持电路所保持的第一至第n摄像数据。对被读出的摄像数据进行AD转换并将其输出到摄像装置的外部。

公开(公告)号：CN110088823A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780077435.8

申请日：2017-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本佑树 ,  米田诚一

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/36

Abstract: 高速且低功耗地进行按照显示装置的形状的图像处理，而不使用大规模帧存储器或高处理量GPU。使用一种数据转换电路，包括：锁存电路，该锁存电路与写入时钟信号同步地从输入数据提取数据，并储存该数据作为写入数据；存储电路，该存储电路储存写入数据，并与读出时钟信号同步地将写入数据作为读出数据输出到外部电路；以及时钟选择控制电路。根据时钟选择控制电路的控制而输出的写入时钟信号为具有不同频率的多个时钟信号中的一个。

公开(公告)号：CN103534950B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201280023593.2

申请日：2012-05-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西岛辰司 ,  米田诚一

IPC: H03K19/173

CPC classification number: H03K19/1776 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1225 ,  H03K19/17736 ,  H03K19/17764 ,  H03K19/17772

Abstract: 一个目的是提供一种即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据，并且电源提供后的逻辑块的启动时间短，并可以低耗电量驱动的可编程逻辑装置。可编程开关的存储部中的晶体管包括能够充分减小晶体管的关态电流的材料，如宽带隙半导体的氧化物半导体材料。当使用能够充分减小晶体管的关态电流的半导体材料，即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据。

公开(公告)号：CN102739236B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201210115117.5

申请日：2012-04-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  远藤正己 ,  盐野入丰 ,  傅保洋树 ,  西岛辰司 ,  大岛和晃 ,  米田诚一 ,  小山润

IPC: H03K19/20 ,  G11C16/06 ,  G11C11/4063

CPC classification number: H03K19/17796 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1203

Abstract: 本公开涉及可编程LSI。提供可以进行动态配置的低功率可编程LSI。该可编程LSI包括多个逻辑元件。这些多个逻辑元件每个包括配置存储器。这些多个逻辑元件的每个根据存储在配置存储器中的配置数据进行不同的运算处理并且改变这些逻辑元件之间的电连接。该配置存储器包括易失性存储电路和非易失性存储电路的设置。该非易失性存储电路包括：晶体管，其的沟道在氧化物半导体层中形成；和电容器，其一对电极中的一个电极电连接到当晶体管关断时被设置处于浮动状态的节点。