公开(公告)号：CN118401893A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202180104941.8

申请日：2021-12-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金宰贤 ,  许明铉 ,  金贞植 ,  俞敏子 ,  李衡根 ,  池灿爀 ,  张景勋 ,  河政敏

IPC: G03F7/004 ,  C07C323/20 ,  C07C323/21

Abstract: 本发明涉及一种含具有特定极性官能基如磺酸盐基的阴离子的新颖结构的光酸产生剂、含所述光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物及光致抗蚀剂图案形成方法。

公开(公告)号：CN105164586B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201480024028.7

申请日：2014-03-11

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 韩万浩 ,  朴钟庆 ,  金炫辰 ,  金宰贤

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供一种用于形成光刻用抗蚀剂保护膜的组合物，以及使用其的半导体元件的图案形成方法，其中，该组合物包含侧链包含具有含氟官能团的重复单元的聚合物和溶剂，其中，所述聚合物的重均分子量为2,000～100,000，基于溶剂总重量100重量份，该溶剂含有希尔德布兰德溶解度参数为12.5～22.0的物质10～100重量份。

公开(公告)号：CN105008461B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201480010669.7

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朱汉福 ,  宋善植 ,  权赫勇 ,  朴恩珠 ,  金宰贤 ,  郭泳齐 ,  殷熙天 ,  任喜恩

IPC: C08L83/04 ,  C08L83/08 ,  C08G77/04 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及光学元件封装用树脂组合物，更详细地说，本发明的光学元件封装用树脂组合物包含能够进行交联键合而与树脂的相容性增加的多面体低聚硅倍半氧烷(POSS)及有机聚硅氮烷化合物，与硅氧烷树脂的溶解性优异且放气现象大幅改善，从而具有优异的机械特性、提高了的对基材的粘接力及对水分或氧的阻隔特性，因此能够适用于多种光学元件的封装工序，尤其可以适用于厚膜的封装工序。

公开(公告)号：CN103221437B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201180055444.X

申请日：2011-10-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 韩万浩 ,  朴钟庆 ,  金炫辰 ,  金宰贤

IPC: C08F20/10 ,  C08F22/06 ,  C08F12/14 ,  C08L33/04 ,  G03F7/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F22/06 ,  C08F32/00 ,  C08L45/00 ,  C09D133/10 ,  C09D135/00 ,  C09D145/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明提供高分子化合物及包含其的用于液浸曝光工艺的抗蚀剂保护膜组合物。

公开(公告)号：CN105008461A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480010669.7

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朱汉福 ,  宋善植 ,  权赫勇 ,  朴恩珠 ,  金宰贤 ,  郭泳齐 ,  殷熙天 ,  任喜恩

IPC: C08L83/04 ,  C08L83/08 ,  C08G77/04 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及光学元件封装用树脂组合物，更详细地说，本发明的光学元件封装用树脂组合物包含能够进行交联键合而与树脂的相容性增加的多面体低聚硅倍半氧烷(POSS)及有机聚硅氮烷化合物，与硅氧烷树脂的溶解性优异且放气现象大幅改善，从而具有优异的机械特性、提高了的对基材的粘接力及对水分或氧的阻隔特性，因此能够适用于多种光学元件的封装工序，尤其可以适用于厚膜的封装工序。

公开(公告)号：CN103781816A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043341.6

申请日：2012-09-05

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金贞植 ,  金宰贤 ,  李载禹

IPC: C08G61/00 ,  C08G65/38 ,  G03F7/11 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L21/0271 ,  C08G8/08 ,  C08G8/12 ,  C08G8/28 ,  C08G61/02 ,  C08G65/4006 ,  C08G65/48 ,  C08G65/485 ,  C08G73/0655 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/3424 ,  C08G2261/76 ,  C09D161/14 ,  C09D179/04 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明公开一种即使没有用于固化高分子的添加剂，也在加热时引起自交联反应的酚系自交联高分子及包含其的抗蚀剂下层膜组合物。所述酚系自交联高分子选自由本说明书的以下述化学式1表示的高分子、以下述化学式2表示的高分子和以下述化学式3表示的高分子组成的组。

公开(公告)号：CN1827659B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200610058606.6

申请日：2006-03-02

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金相廷 ,  金德倍 ,  金宰贤

IPC: C08F20/26 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明公开了用于形成有机抗反射涂层的聚合物以及包含该聚合物的组合物，其中该有机抗反射涂层位于蚀刻层和光刻胶层之间，并且在光刻过程中吸收照射光。该用于形成有机抗反射涂层的聚合物具有如式1和通式2所示的重复单元，其中R为取代的或未取代的C1-C5烷基。式1 通式2

公开(公告)号：CN101435995A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810171829.2

申请日：2008-11-12

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金政佑 ,  金德倍 ,  金宰贤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C69/94 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C08G65/3315 ,  C08G65/3326 ,  C08G65/3346 ,  G03F7/0392

Abstract: 本发明公开了光敏化合物以及包含该光敏化合物的光致抗蚀剂组合物，该光敏化合物作为分子抗蚀剂，其粒径小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物，并且该光敏化合物能够形成纳米组装。用以下通式表示所述光敏化合物。此外，本发明提供了光致抗蚀剂组合物，其包含1wt％至85wt％(重量％)的光敏化合物；相对于100重量份的光敏化合物，0.05至15重量份的光致产酸剂；以及相对于100重量份的光敏化合物，50至5000重量份的有机溶剂。在所述通式中，n是氧化异丙基(－CH(CH3)CH2O－)单体的重复个数，并且是1至40的整数，以及R是1至20个碳原子的烷基基团或3至20个碳原子的环烷基基团。

公开(公告)号：CN1885161A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610092645.8

申请日：2006-06-26

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李正烈 ,  李载禹 ,  金宰贤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明公开了包含右式所示的单体的聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物。由于所述包含饱和环烃基的醇酯基团脱保护反应的活化能较低，因此该聚合物和光刻胶组合物可以改进分辨率和工艺裕度，并且由于其具有稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，因此可产生精细的光刻胶图案，并改进光刻胶层的聚焦深度裕度和线条边缘粗糙度。在通式中，R*为氢或甲基，R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基，R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基，以及n为至少等于2的整数。