公开(公告)号：CN86107636A

公开(公告)日：1987-07-08

申请号：CN86107636

申请日：1986-11-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤田肇 ,  鸳海胜美 ,  奥富功 ,  后藤公 ,  大川于夫 ,  乙部清文

IPC: H01H1/04

Abstract: 在一种生产适用于作如真空断路器的触头材料的改进的生产方法中，在块状高电导率金属(如铜和银)中制成孔洞，将具有抗熔接性能的低熔点金属填入制成的孔洞中，在高真空条件下，用装在块状金属周围的加热源加热含有低熔点金属的块状高电导率金属，以使低熔点金属和高电导率金属熔化混合在一起，逐渐冷却所得金属混合物，同时使热源以预定方向与金属混合物分离，以便使金属混合物凝固。

公开(公告)号：CN1160752C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN98106642.9

申请日：1998-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关经世 ,  山本敦史 ,  草野贵史 ,  奥富功

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

CPC classification number: H01H1/0203 ,  B22F1/0003 ,  H01H1/0206

Abstract: 本发明的目的在于提供一种耐电压性能高的、以同相绕结法制的真空电子管用接点材料。根据本发明的一种真空电子管用接点材料，它是通过混合耐弧成分粉末和导电成分粉末的混合工序、使混合后的上述耐弧成分粉末和导电成分粉末形成成型体的成形工序、使上述成型体在导电成分的融点下烧结的烧结工序制成的，其特征在于，真空电子管用接点材料含有单晶体的耐弧成分。

公开(公告)号：CN1485870A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03153054.0

申请日：2003-08-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  草野贵史 ,  山本敦史 ,  南淑子 ,  本间三孝

IPC: H01H33/664 ,  H01H1/02

Abstract: 本发明通过使Cu－W合金或Cu－WC合金的冶金的各条件达到最适化，提供了断路特性和再起弧特性优异的真空断路器。该断路器的触点由含有10～50重量％的Cu形成的导电性成分相和50～90重量％的W(或WC)形成的耐弧性成分的触点材料构成，升温过程中触点材料中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1－T2)值与熔融起始温度T1的比率，即[(T1－T2)×100/(T1)]在2.8％以下。由此，可兼得断路特性和再起弧特性。

公开(公告)号：CN1132212C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN98105126.X

申请日：1998-01-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  山本敦史 ,  大岛岩 ,  关经世 ,  长部清 ,  草野贵史 ,  关口薰旦

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

Abstract: 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金，以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样，提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。

公开(公告)号：CN1071925C

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN98107837.0

申请日：1998-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  关口薰旦 ,  吴经世 ,  山本敦史

IPC: H01H1/02 ,  H01B1/02 ,  C22C29/08

CPC classification number: C22C29/08 ,  H01H1/0203

Abstract: 本发明的触点材料，由含有55～70重量%的平均粒径为0.1～6μm的碳化钨(WC)的银-碳化钨(Ag-WC)合金构成，包含0.005～0.2重量%的其当量球径为0.01～5μm并且处于非固溶状态或非化合物形成状态下的碳(C)。通过本发明，能够提高触点材料的断路特性。

公开(公告)号：CN1245963A

公开(公告)日：2000-03-01

申请号：CN99118067.4

申请日：1999-08-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本敦史 ,  草野贵史 ,  奥富功 ,  关经世 ,  片冈诚

IPC: H01H1/02 ,  H01H33/66

CPC classification number: H01H1/0203

Abstract: 本发明的真空管用接点材料由导电成分、耐弧成形与Cr或Zr构成,所说的导电成分含量为50～70重量%,其主成分为Cu;所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成,其平均粒径在8μm以下,其含量为30—50重量%;所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2～2.0重量%,或者,所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2—2.0重量%。材料中的氢含量规定为0.2～50ppm。

公开(公告)号：CN1222741A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN99100918.5

申请日：1999-01-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  山本敦史 ,  大岛严 ,  关经世 ,  本间三孝 ,  草野贵史

IPC: H01B1/02

CPC classification number: H01H1/0203 ,  Y10S428/926 ,  Y10S428/929 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/1216 ,  Y10T428/12167 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/12993

Abstract: 公开了一种触点材料,其中含有平均粒径为0.1～9μm且含量为30～70容积%的TiC、V和VC中至少一种物质组成的耐弧成分,相对于耐弧成分含量为0.005～0.5重量%、换算成球形的直径为0.01～5μm并以非固溶态或非化合态存在的C,以及余量Cu组成的导电成分。

公开(公告)号：CN1201245A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98106642.9

申请日：1998-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关经世 ,  山本敦史 ,  草野贵史 ,  奥富功

IPC: H01H33/66

CPC classification number: H01H1/0203 ,  B22F1/0003 ,  H01H1/0206

Abstract: 本发明的真空电子管用接点材料是通过混合耐弧成分粉末和导电成分粉末的工序、成形工序、使成形体在导电成分的融点以下烧结的工序制造而成的且它使电弧的断开性能得到改善。

公开(公告)号：CN1192573A

公开(公告)日：1998-09-09

申请号：CN98105126.X

申请日：1998-01-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  山本敦史 ,  大岛岩 ,  关经世 ,  长部清 ,  草野贵史 ,  关口薰旦

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

Abstract: 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金,以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样,提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。

公开(公告)号：CN1112722A

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：CN94101048.1

申请日：1994-02-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关经世 ,  奥富功 ,  山本敦史

IPC: H01H1/02

CPC classification number: H01H1/0203

Abstract: 一种用于真空管的触点材料，它包括：一类耐电弧成分，该耐电弧成分包含至少从一组金属中选择出来的一种金属，上述金属组有：铬、钛、锆、钒及钇。一类辅助成分，该辅助成分包含至少从一组金属中选择出来的一种金属，上述金属组有：钽、铌、钨及钼，以及一类导电成分，该导电成分包含至少从一组金属中选择出来的一种金属，上述金属组有铜及银。在上述触点材料中，耐电弧成分的含量按体积计为10％至70％，上述耐电弧成分与上述辅助成分的总含量按体积计不超过75％，其余为导电成分的含量。