公开(公告)号：CN1698187A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000582.8

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76885

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成由具有流动性的绝缘性物质形成的流动性膜的工序；将所述流动性膜推压到推压构件的平坦推压面使流动性膜表面平坦化的工序；通过使推压面推压到流动性膜的状态下将流动性膜加热到第1温度使流动性膜固化，形成表面平坦的固化膜的工序；以及，通过将表面平坦的固化膜加热到比所述第1温度高的第2温度焙烧固化膜，形成表面平坦的焙烧膜的工序。

公开(公告)号：CN1651515A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510005885.5

申请日：2005-01-27

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  笹子胜 ,  中川秀夫

IPC: C08L83/04 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/06 ,  C08G77/08 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。

公开(公告)号：CN1210771C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN01819060.X

申请日：2001-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  远藤政孝 ,  平井义彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L21/31051

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。

公开(公告)号：CN1574220A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410007839.4

申请日：2004-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/2041

Abstract: 一种图案形成方法，在形成由含基础聚合物、照射光线后能产生酸的酸发生剂、和内酯的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)后，在向抗蚀膜(102)提供边循环边暂时被储存在溶液储备部中的水(103)的状态下，向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光光(104)，以进行图案曝光。对已进行图案曝光的抗蚀膜(102)实施后烘焙之后，利用碱性显影液进行显影，就可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好形状的抗蚀图案(105)。根据本发明，可以改善通过浸渍光刻法得到的抗蚀图案的形状。

公开(公告)号：CN1574219A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310120571.0

申请日：2003-12-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03G13/283 ,  G03F7/2041 ,  G03G13/286 ,  Y10S430/162

Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法。其目的在于：使通过浸渍光刻而得到的抗蚀图案的形状良好。形成含有吸湿性化合物的抗蚀膜102之后，在将水103供向该抗蚀膜102上的状态下选择曝光光104照射抗蚀膜102而进行图案曝光。对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理而形成抗蚀图案105。

公开(公告)号：CN1549303A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03157733.4

申请日：2003-08-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30

CPC classification number: G03F7/2043 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2041 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/949

Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(101)后，在抗蚀膜(102)上以供给暂时贮存在溶液贮存部中的含有triphenylsulphoniumnonaflate并且不断循环的水(103)的状态，在抗蚀膜(102)上选择性照射曝光光(104)进行图形曝光。对于进行图形曝光后的抗蚀膜(102)，一旦在进行二次加热后通过碱性显影液显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成并具有良好剖面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明的图形形成方法，可以使通过浸渍光刻得到的抗蚀图形的剖面形状优良。

公开(公告)号：CN1536023A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410031387.3

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 滨田吉隆 ,  浅野健 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C08L83/00 ,  C08J5/18 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供介电常数为2.2或更低的，并具有实用价值的机械强度的多孔膜，本发明提供了形成多孔膜的组合物，该组合物包括组分(A)和(B)：(A)100重量份的至少一种可水解的硅化合物和/或至少一种下式(1)表示的硅化合物水解缩合的产物：R1aSiZ14－a(1)；其中Z1表示可水解的基团；R1表示取代或未取代的一价烃基；以及a是0－3的整数；和(B)0.1－20重量份含有至少一种环状低聚物的交联剂，所述的低聚物在受热时可产生一种或多种硅烷醇基团，并用下述式(3)表示：{R31(H)SiO}d{R32(Z3)SiO}e(3)其中R31和R32各自表示取代或未取代的一价烃基；Z3表示受热时可以产生硅醇基的基团；和d和e各自表示0－10的整数，d和e之和大于或等于3。

公开(公告)号：CN1523449A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410003604.8

申请日：2004-02-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

Abstract: 一种图案形成方法，首先形成碱溶性聚合物中由保护基保护起来的聚合物比例在50％以上的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)。然后对抗蚀膜(11)照射NA为0.92的KrF准分子激光(12)(含有对于抗蚀膜(11)以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光)，进行图案曝光之后，利用碱性显影液显影，从而形成抗蚀图14。根据本发明，尽管使用含有对抗蚀膜以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光形成图案，也可得到表面形状良好抗蚀图。

公开(公告)号：CN1476053A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03147506.X

申请日：2003-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/12

Abstract: 一种图案形成材料，是由具有在酸的存在下对显影液的溶解性发生变化的聚合物、照射曝光用光时产生酸的酸发生剂、照射曝光用光时产生碱的碱发生剂的化学放大型抗蚀材料构成。照射曝光能相等的极紫外线或具有比极紫外线长的波段的长波段的光作为曝光用光时，碱发生剂的感光度在照射长波段光时比照射极紫外线时更高。根据本发明的图案形成材料，使得到的抗蚀图的截面形状质量得到提高。

公开(公告)号：CN100567150C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200310114941.X

申请日：2003-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C01B39/04 ,  H01L21/316 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C01B39/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供了可形成多孔膜的沸石溶胶，所述多孔膜可通过在普通半导体生产中所使用的方法而变薄到需要的厚度，该膜具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度，以及其可以容易地变薄；本发明提供了成膜用组合物；多孔膜及其制造方法；内部含有这种多孔膜的高性能和高度可靠的半导体装置。更具体地说，在常规的多孔膜形成用涂布液中，在结构导向剂和碱性催化剂的存在下，通过水解和分解由通式Si(OR1)4(其中R1代表具有1-4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R1时，R1要以是独立的并相互相同或不同)表示的硅烷化合物，然后在75℃或者更低温度加热该硅烷化合物而制备沸石溶胶。使用了含有这种沸石溶胶的多孔膜形成用组合物。