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公开(公告)号：CN101120403A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200580048297.8
申请日：2005-10-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够获得更高记录密度的磁记录介质中，提供一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于，至少包括：非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，以及所述非磁性内涂层的至少一层由WV型多组分体心立方晶体合金构成。
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公开(公告)号：CN101203909A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680022097.X
申请日：2006-06-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质基底产品，该基底产品能够增强基底端面和软磁层之间的接触强度，并能抑制腐蚀的发生，还提供一种包含所述基底产品的磁记录介质，该磁记录介质显示出没有退化的电磁转换特性并具有非常好的耐用性，还提供一种包含所述磁记录介质的磁记录和再现装置。所述磁记录介质基底产品包括一种圆盘形非磁性基底，该基底在其中心部分有圆孔，并且在将要在上面形成磁性层的主表面与外端面之间的部分以及所述主表面与界定所述圆孔的内端面之间的部分中的至少一个部分处形成斜切面，其中，通过AFM测量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在4.0≤Ra≤100范围内，优选是落在4.0≤Ra≤50的范围内。
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公开(公告)号：CN1981327A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200580022116.4
申请日：2005-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/65 , G11B5/667
Abstract: 一种磁记录介质，包括在非磁性基底上层叠的至少一层软衬层、一层垂直磁记录膜和一层保护膜。所述非磁性基底为一个直径小于等于48mm的硅圆片。一种用于制造所述磁记录介质的方法包括在形成保护膜时在所述硅基底上施加一个偏压。可以用所述方法制造磁记录介质。可以用所述磁记录介质和一个用于在所述磁记录介质上记录和再现信息的磁头来制造一种磁记录和再现设备。所述磁头是一个磁单极磁头。
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公开(公告)号：CN104347088A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410379802.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/08 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
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公开(公告)号：CN101185128A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018703.0
申请日：2006-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够进行较高记录密度的磁记录介质中，提供了具有较高顽磁性和较低噪声的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于在非磁性衬底上按顺序至少叠置非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，并且该非磁性基底层的各层中的至少一个是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf、Ta)形成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101040326A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034550.4
申请日：2005-10-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
Abstract: 提供了一种具有更高记录密度的垂直磁记录介质，以及利用这种介质的磁记录和再现设备。该垂直磁记录介质至少包括依次形成在非磁性基底上的底层、中间层、垂直磁记录膜以及保护膜，其中，所述垂直磁记录膜由具有不同成分的两层构成，该两层至少包含Co、Pt和氧化物并具有颗粒结构，设置在所述基底一侧的下层垂直磁记录膜的饱和磁化强度(Ms)小于设置在保护膜一侧的在该下层垂直磁记录膜上的上层记录膜的饱和磁化强度(Ms)。
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公开(公告)号：CN101040326B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580034550.4
申请日：2005-10-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
Abstract: 提供了一种具有更高记录密度的垂直磁记录介质，以及利用这种介质的磁记录和再现设备。该垂直磁记录介质至少包括依次形成在非磁性基底上的底层、中间层、垂直磁记录膜以及保护膜，其中，所述垂直磁记录膜由具有不同成分的两层构成，该两层至少包含Co、Pt和氧化物并具有颗粒结构，设置在所述基底一侧的下层垂直磁记录膜的饱和磁化强度(Ms)小于设置在保护膜一侧的在该下层垂直磁记录膜上的上层记录膜的饱和磁化强度(Ms)。
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公开(公告)号：CN100470637C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200580022116.4
申请日：2005-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/65 , G11B5/667
Abstract: 一种磁记录介质，包括在非磁性基底上层叠的至少一层软衬层、一层垂直磁记录膜和一层保护膜。所述非磁性基底为一个直径小于等于48mm的硅圆片。一种用于制造所述磁记录介质的方法包括在形成保护膜时在所述硅基底上施加一个偏压。可以用所述方法制造磁记录介质。可以用所述磁记录介质和一个用于在所述磁记录介质上记录和再现信息的磁头来制造一种磁记录和再现设备。所述磁头是一个磁单极磁头。
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公开(公告)号：CN101351842B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680049808.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
CPC classification number: G11B5/667
Abstract: 一种垂直磁记录介质A被设置在非磁性基底1上，至少具有软底层a、底膜5、中间膜6和垂直磁记录膜7。软磁底层a是具有非晶结构的软磁性膜。底膜5由Ni-W合金形成。中间膜6由Ru合金形成。在Ni-W合金中，Ni含量为80原子％或更大，而W含量为20原子％或更小，并且优选在1原子％至12原子％的范围内。装备有该磁记录介质A的磁记录和再现装置12的生产率优良，且能够记录和再现高密度信息。
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