-
公开(公告)号：CN110366768B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880014924.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C09D179/08 , C09D201/00
Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。
-
-
公开(公告)号：CN115362246A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026155.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C11D1/62 , C11D3/20 , C11D3/43 , H01L21/304
Abstract: 一种清洗剂组合物，其特征在于，用于去除粘接剂残留物，该清洗剂组合物包含季铵盐、金属腐蚀抑制剂以及有机溶剂，上述金属腐蚀抑制剂由碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物单羧酸、碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物二羧酸或其酸酐、碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物单羧酸、或碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物二羧酸或其酸酐构成。
-
公开(公告)号：CN115335970A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024051.6
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，L1的烷基的碳原子数与L2的烷基的碳原子数的合计为6以下。)
-
公开(公告)号：CN115335969A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024022.X
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/50
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，其特征在于，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含选自分子量小于160的、脂肪族烃化合物、芳香族烃化合物、醚化合物、硫醚化合物、酯化合物以及胺化合物中的一种或两种以上，上述粘接层上的上述剥离用组合物的接触角小于31.5度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113906077A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080033573.8
申请日：2020-05-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/17 , C08G59/62 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。
-
公开(公告)号：CN112513738A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050814.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。
-
公开(公告)号：CN112166379A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201980035022.2
申请日：2019-05-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/02 , C08G10/00 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物(A)、与碳原子数3～60的环式羰基化合物(B)所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，上述反应生成物中，上述环式羰基化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。
-
公开(公告)号：CN109843852A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780062564.X
申请日：2017-10-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07C233/43 , C07C233/54 , C07C235/16 , C07C317/40 , C08G59/52 , G03F7/11 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供能够获得特别是在KrF工艺中发挥充分的防反射功能、高耐溶剂性和干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、并可以形成良好的截面形状的光致抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含共聚物，所述共聚物包含：来源于二环氧化合物的结构单元(A)；以及来源于下述式(1)所示的化合物的结构单元(B)，(式中，A表示苯环、或环己烷环，X表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、或碳原子数2～11的烷氧基羰基，所述碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的烷氧基可以具有卤素取代基，Y表示-COOH、或-L-NHCO-Z-COOH，Z表示可以被氧原子、硫原子或氮原子中断的碳原子数3～10的亚烷基，L表示单键、或间隔基)。
-
公开(公告)号：CN109313389A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780021847.X
申请日：2017-03-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08K5/3445 , C08L63/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 提供抗蚀剂下层膜形成组合物以及使用该组合物的抗蚀剂下层膜和半导体装置的制造方法，在半导体装置制造的光刻工艺中，利用具有甘脲骨架的化合物添加剂增强防止形成在基板上的抗蚀剂图案的图案倒塌的功能。使用下面的式(1-1)的抗蚀剂下层膜形成组合物用添加剂：(式(1-1)中，R1～R4各自是由选自由有机基团组成的组中的至少一个基团取代氢原子后的C2～10烷基或C2～10烯基，所述有机基团包含羟基、硫醇基、羧基、C1～5烷氧基乙基、C1～5烷基磺酰基和酯键，能够全部相同也能够不同，R5和R6各自表示选自氢原子、C1～10烷基和苯基中的基团)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.037 seconds)
