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公开(公告)号：CN103059568A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210397931.0
申请日：2012-10-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08L83/04 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , C08L83/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及有机硅树脂片、固化片、发光二极管装置及其制造方法，所述有机硅树脂片是由含有热固性有机硅树脂和微粒的树脂组合物形成的有机硅树脂片。有机树脂片的、由30℃下、频率0.1~50Hz、频率增加速度10Hz/分钟、应变1%的剪切模式的动态粘弹性测定得到的频率10Hz下的复数粘度为80~1000Pa·s、且频率10Hz下的tanδ为0.3~1.6。
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公开(公告)号：CN102911503A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210284753.0
申请日：2012-08-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/19105 , Y10T428/31663 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及有机硅树脂组合物、封装材料以及发光二极管装置，所述有机硅树脂组合物含有含硅成分，所述含硅成分包含：结合有选自饱和烃基和芳香族烃基的1价烃基的硅原子、以及结合有烯基的硅原子，每1g所述含硅成分的烯基的mol数为200~2000μmol/g。
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公开(公告)号：CN101383295B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810214876.0
申请日：2008-09-03
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08G59/24 , C08G59/4215 , C09D163/00 , H01L33/52 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种用于生产光学半导体装置的工艺和该工艺中使用的片。该工艺包括：设置用于光学半导体元件封装的片和安装在基板上的多个光学半导体元件，用于光学半导体元件封装的片包括树脂片A和断续地嵌入树脂片A的多个树脂层B，使得多个光学半导体元件中的每一个面对多个树脂层B；接着，将多个光学半导体元件中的每一个嵌入多个树脂层B中的任一个。根据本发明的工艺，可以一次性封装光学半导体元件。结果，能够容易获得在LED元件保护和耐用性上出色的光学半导体装置。从而，获得的光学半导体装置具有延长的寿命。
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公开(公告)号：CN114149567A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111030931.2
申请日：2021-09-03
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及光半导体密封用树脂成型物。本发明提供一种能够得到耐温度循环性优异的光半导体密封材料的光半导体密封用树脂成型物。一种光半导体密封用树脂成型物，其中，所述光半导体密封用树脂成型物包含：具有由下式(I)表示的结构单元(I)的化合物、以及具有由下式(II)表示的结构单元(II)的化合物。(在式(I)中，A1表示有机基团。R1表示具有非芳香族环的有机基团。)(在式(II)中，A1表示有机基团。R2a表示含有环氧树脂残基的部位。R2b表示氢原子或与R2a键合的键)。
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公开(公告)号：CN113754863A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110599108.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G59/24 , C08G59/42 , C09J163/00 , C09J163/02 , H01L23/29
Abstract: 本发明提供一种光半导体密封用树脂成型物，其能够得到耐热性、耐温度循环性和耐回流焊性优异的光半导体密封材料。一种光半导体密封用树脂成型物，其满足下述关系式(1)：0.0005≤E’265℃/E’100℃≤0.0050(1)(式中，E’265℃和E’100℃分别表示通过下述方法得到的固化物(尺寸：宽度5mm×长度35mm×厚度1mm)在265℃和100℃下的储能模量(Pa)。)(固化物的制作方法)将树脂成型物在150℃下加热4分钟而进行成型，然后在150℃下加热3小时，从而得到固化物。
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公开(公告)号：CN106696408B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201610959486.0
申请日：2016-11-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B27/06 , B32B27/20 , B32B27/08 , B32B27/36 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B3/04 , B32B33/00 , H01L21/683 , C08J7/04 , C09D161/06 , C09D163/00 , C09D133/08 , C09D7/40 , C08L67/02
Abstract: 本发明涉及层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法，本发明提供能够减少切割时在芯片侧面产生的龟裂的层叠体等。本发明涉及包括切割片和半导体背面保护薄膜的层叠体。切割片包括基材层和配置在基材层上的粘合剂层。半导体背面保护薄膜配置在粘合剂层上。固化后的半导体背面保护薄膜的拉伸储能模量在23℃～80℃全部范围下为1GPa以上。
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公开(公告)号：CN109135594A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810682433.8
申请日：2018-06-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种切割带一体型背面保护薄膜，其适于在为了于切割带(DT)上将晶圆单片化为芯片的刀具切割中、抑制在芯片侧面产生龟裂并实现在DT上将带有背面保护薄膜的芯片良好地拾取。本发明的DT一体型背面保护薄膜(X)具备作为背面保护薄膜的薄膜(10)和切割带(20)。薄膜(10)具有包含激光标记层(11)和粘接剂层(12)的层叠结构，且在激光标记层侧与切割带(20)所具有的粘合剂层(22)密合。对于在120℃下经过2小时的加热处理的薄膜(10)，对宽度10mm的薄膜试样片在规定条件下测定的、80℃下的拉伸储能模量为0.5GPa以上。在规定条件下的剥离试验中，薄膜(10)和粘合剂层(22)之间可显示出0.1N/20mm以下的粘合力。
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公开(公告)号：CN108091604A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711114134.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78 , C09J4/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J4/00 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及片材、带材和半导体装置的制造方法。本公开提供无论有无固化处理均能附加耐久性优异的标记的片材。本公开的片材包含切割膜，所述切割膜包含基材层和位于基材层上的粘合剂层。本公开的片材还包含位于粘合剂层上的半导体背面保护膜。在本公开的片材中，半导体背面保护膜的DSC测定的DSC曲线中，在50℃～300℃范围内出现的放热峰的放热量为40J/g以下。
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公开(公告)号：CN107068605A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610959938.5
申请日：2016-11-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , B32B7/06 , B32B7/10 , B32B33/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2421/00 , C09J2433/00 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L23/562 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/16225 , B32B7/06 , B32B7/10 , B32B33/00 , H01L2221/68336
Abstract: 本发明涉及层叠体和半导体装置的制造方法。本发明提供能够在半导体芯片的背面上赋予保护薄膜、且能够防止半导体芯片彼此接触的层叠体等。所述层叠体包括切割片和半导体背面保护薄膜。切割片包含基材层和配置在基材层上的粘合剂层。半导体背面保护薄膜配置在粘合剂层上。切割片具有通过加热而收缩的性质。切割片具有在100℃进行1分钟加热处理时，相对于加热处理前的MD方向的第一长度100％，加热处理后的MD方向的第二长度为95％以下的性质。
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