一种银合金键合丝的制备方法

    公开(公告)号:CN107240551A

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201710413850.8

    申请日:2017-06-05

    Abstract: 本发明提供了一种银合金键合丝的制备方法,包括以下步骤:将银合金丝表面镀金层,精拉丝,退火,得到银合金键合丝;所述银合金丝的直径和镀金层的厚度比为0.1×103~1.5×103:0.01~0.5;所述退火的温度为200~800℃。本发明通过采用银合金丝表面电镀金层,控制金的用量,并热处理退火,让金层扩散到银中轴的外层,使得银合金键合丝抗腐蚀,且具有长期的键合可靠性;反光性好,柔软度好和优异的推拉力。银合金键合丝暴露在H2S中没有观察到腐蚀点,通过LED的可靠性测试;经受实验室抗老化等效测试10000h的测试后,仍保持一定的键合强度;银合金键合丝的拉断力为8~12g,推球剪切力为35~45g。

    一种互连工艺
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107221512A

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201710471203.2

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明提供了一种互连工艺,包括:将互连材料印刷至基板上,静置,再将芯片盖于所述互连材料表面,于100~200℃下烧结,得到互连器件;所述互连材料包括咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体和分散液;所述咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体中,包覆在纳米铜颗粒表面的咪唑类化合物选自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一种或几种。本发明的互连方法能够在低温无压下条件下将芯片与基板互连,完成电子元器件或大功率半导体器件的连接封装,能够较好的应用于高端电子器件的制造和半导体封装等领域。

    一种智能出行婴儿车
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119329593A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411597304.0

    申请日:2024-11-11

    Abstract: 本发明涉及婴幼儿用具领域,更具体地,涉及一种智能出行婴儿车,包括车架、地形分析系统和安装于车架上的车体,车架包括连接轴、分别与连接轴的两端转动连接的转动件、分别均与每个转动件固定连接的的第一轮架和第二轮架、与连接轴固定连接的第三轮架,第一轮架包括第一滚动件、第一缓冲件和和第一转向件,第二轮架包括第一滚动件和第一缓冲件,第三轮架包括第三滚动件、第三缓冲件和第二转向件,第一转向件和第二转向件分别设有第一转向电机和第二转向电机,地形分析系统能够识别地形并驱动第一转动电机或第二转动电机实现绕行。通过车辆自身结构的减震以及智能绕行的功能,婴儿车可以适应不同的地形,提高了婴儿出行的安全性和舒适性。

    一种高速运动平台快速主动减振方法

    公开(公告)号:CN114370476B

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210074157.3

    申请日:2022-01-21

    Abstract: 本申请公开了一种高速运动平台快速主动减振方法,包括:获取运动平台的运动体当次运动的运动参数,并根据运动参数来确定减振装置的减振模式;基于减振模式控制减振装置的动作端与运动平台的运动体接触或与驱动运动体运动的驱动装置接触,以产生用于抑制运动体振动的接触摩擦力。采用这种主动摩擦的手段来实现减振,可以对运动体特定需要减振的阶段进行减振,而且减振前减振装置的动作端不用接触运动体或不用接触驱动装置,从而不会对运动体的运动形成干扰。再者,将运动体的运动参数与减振装置的控制进行关联,通过调节接触摩擦力大小,即可实现对运动体的惯性振动进行快速抑制。该设计的主动减振方法能够实现灵活且良好的振动抑制效果。

    运动学误差映射矩阵的迭代修正方法及其迭代修正系统

    公开(公告)号:CN112949098B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202110419520.6

    申请日:2021-04-19

    Abstract: 本发明公开了一种运动学误差映射矩阵的迭代修正方法,包括运动学约束方程建立步骤、误差项引入步骤、误差映射模型和矩阵建立步骤、结构误差获取步骤、误差映射矩阵处理步骤和修正结构误差参数获取步骤。还公开了一种运动学误差映射矩阵的迭代修正系统,包括运动学约束方程建立模块、误差项引入模块、误差映射模型和矩阵建立模块、结构误差获取模块、误差映射矩阵处理模块和修正结构误差参数获取模块。所述运动学误差映射矩阵的迭代修正方法及其迭代修正系统,利用建模误差补偿矩阵解决了高阶小量取舍带来的建模求解和建模精度的矛盾问题,在舍去高阶小量的同时能避免其带来的误差影响,保证了建模的有效性和准确性。

    一种用于半导体封装的固晶材料制备方法及芯片封装方式

    公开(公告)号:CN113299570A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110396533.6

    申请日:2021-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种用于半导体封装的固晶材料制备方法包括以下步骤:步骤A、将石墨烯进行氧等离子处理,得到具有含氧官能团的石墨烯PTG;步骤B、配制PTG与醋酸铜的混合溶液,得到混合溶液A;步骤C、将混合溶液A加热得到干燥混合物B;步骤D、将干燥混合物B放入真空退火炉内,并加热分解得到PTG/铜纳米颗粒;步骤E、将PTG/铜纳米颗粒添加到纳米铜粉和有机溶剂中,得到混合物C;步骤F、将混合物C放入烧结炉内烧结得到固晶材料。本申请的固晶材料在封装前预先通过高温使石墨烯与铜之间形成化学键,在与芯片和基板封装时,只需使混合物C与芯片和基板发生冶金结合即可,满足了第三代半导体封装对固晶材料高热导率、低温封装、高温服役的要求。

    运动学误差映射矩阵的迭代修正方法及其迭代修正系统

    公开(公告)号:CN112949098A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110419520.6

    申请日:2021-04-19

    Abstract: 本发明公开了一种运动学误差映射矩阵的迭代修正方法,包括运动学约束方程建立步骤、误差项引入步骤、误差映射模型和矩阵建立步骤、结构误差获取步骤、误差映射矩阵处理步骤和修正结构误差参数获取步骤。还公开了一种运动学误差映射矩阵的迭代修正系统,包括运动学约束方程建立模块、误差项引入模块、误差映射模型和矩阵建立模块、结构误差获取模块、误差映射矩阵处理模块和修正结构误差参数获取模块。所述运动学误差映射矩阵的迭代修正方法及其迭代修正系统,利用建模误差补偿矩阵解决了高阶小量取舍带来的建模求解和建模精度的矛盾问题,在舍去高阶小量的同时能避免其带来的误差影响,保证了建模的有效性和准确性。

    一种音圈电机的控制方法及系统

    公开(公告)号:CN107994836B

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201711423561.2

    申请日:2017-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种音圈电机的控制方法及系统,包括接收预设位置信息和根据预设作用力信息确定的预设电流信息;根据预设位置信息通过位置闭环和基于高电流增益的电流闭环驱动音圈电机到达给定位置,其中,高电流增益为第一预设增益值到第二预设增益值范围内的增益;获取音圈电机的电流,并判断电流是否大于预设电流阈值;若是,则根据预设电流信息通过基于低电流增益的电流闭环驱动音圈电机形成的作用力达到指定作用力,其中,低电流增益为第一预设增益值到第三预设增益值范围内的增益,第二预设增益值小于第三预设增益值。本发明能够同时满足位置控制阶段和力控制阶段的不同要求,使音圈电机可以完成复杂的工艺,大大拓宽了音圈电机的应用范围。

    一种抗氧化微纳铜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109954876B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201910399914.2

    申请日:2019-05-14

    Abstract: 本发明公开了一种抗氧化微纳铜材料的制备方法,使用由依次连通的微纳铜制备装置、原位包覆装置和收集装置组成的制备系统,步骤一,使用微纳铜制备装置制备微纳铜粉;步骤二,在原位包覆装置的真空腔放入有机包覆剂,并通过加热将真空腔中的有机包覆剂升华或汽化;步骤三,往制备系统通入惰性气体,微纳铜粉随惰性气体通入原位包覆装置的真空腔,升华或汽化的有机包覆剂接触并包覆在微纳铜粒子的表面。从而微纳铜离子表面形成一层良好的有机包覆,大大提高微纳铜颗粒的抗氧化性和分散性,降低微纳铜粒子的表面活性。

    一种互连工艺
    40.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107221512B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201710471203.2

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明提供了一种互连工艺,包括:将互连材料印刷至基板上,静置,再将芯片盖于所述互连材料表面,于100~200℃下烧结,得到互连器件;所述互连材料包括咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体和分散液;所述咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体中,包覆在纳米铜颗粒表面的咪唑类化合物选自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一种或几种。本发明的互连方法能够在低温无压下条件下将芯片与基板互连,完成电子元器件或大功率半导体器件的连接封装,能够较好的应用于高端电子器件的制造和半导体封装等领域。

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