公开(公告)号：CN117616584A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280045075.4

申请日：2022-11-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 野口晴司 ,  樱井洋辅 ,  伊仓巧裕 ,  浜崎竜太郎 ,  尾崎大辅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/76 ,  H01L21/265

Abstract: 提供一种半导体装置，其是具备设置有第一导电型的漂移区的半导体基板的半导体装置，半导体基板具有有源部和在半导体基板的上表面设置于有源部的沟槽部，有源部具有沟槽部在排列方向上以第一沟槽间隔排列的第一区域和沟槽部在排列方向上以比第一沟槽间隔大的第二沟槽间隔排列的第二区域，第一区域具有遍及至少两个沟槽部的底部而设置的第二导电型的第一底部区域，第二区域具有设置于一个沟槽部的底部的第二导电型的第二底部区域。

公开(公告)号：CN117561612A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202380012492.3

申请日：2023-01-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 樱井洋辅 ,  野口晴司 ,  吉田浩介 ,  浜崎竜太郎 ,  山田拓弥

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供半导体装置(100)，其具备：多个沟槽部，其包括栅极沟槽部(G)和虚设沟槽部(E)，且从半导体基板(10)的上表面起设置到比基区(14)更靠下方的位置；第二导电型的第一下端区(202)，其与包括栅极沟槽部在内的两个以上的沟槽部的下端相接地设置；第二导电型的阱区(11)，其在俯视下配置在与第一下端区不同的位置，从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高；第二导电型的第二下端区(205)，其在俯视下，在第一下端区与阱区之间，与第一下端区和阱区分离地设置，并且与包括栅极沟槽部在内的一个以上的沟槽部的下端相接地设置。

公开(公告)号：CN117063293A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280024178.2

申请日：2022-10-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 樱井洋辅 ,  野口晴司 ,  尾崎大辅 ,  浜崎竜太郎 ,  山田拓弥 ,  伊仓巧裕

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包括第一导电型的漂移区；第二导电型的基区，其设置在漂移区与半导体基板的上表面之间；多个沟槽部，其从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置；第二导电型的下端区，其与两个以上的沟槽部的下端相接地设置；第二导电型的阱区，其从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置，并且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度；以及第二导电型的高电阻区，其在俯视时配置于下端区与阱区之间，并且掺杂浓度低于下端区的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN116420219A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202180072400.1

申请日：2021-12-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 伊仓巧裕 ,  野口晴司 ,  樱井洋辅 ,  浜崎竜太郎

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：有源部，其具有晶体管部和二极管部；以及耐压结构部，其设置在有源部的外周，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；以及第二导电型的沟槽底部，其设置在沟槽部的下端，在俯视时，二极管部设置在靠近耐压结构部的晶体管部与耐压结构部之间。

公开(公告)号：CN115769382A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180046974.1

申请日：2021-10-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 尾崎大辅 ,  野口晴司 ,  樱井洋辅 ,  浜崎竜太郎 ,  山田拓弥 ,  伊仓巧裕

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备半导体基板，半导体基板具有有源部、外周阱区和沟槽部，有源部具有中央部和包围中央部的外周部，中央部具有第一导电型的发射区，中央部具有遍及至少两个沟槽部的底部而设置的第二导电型的有源侧底部区域，外周部具有与外周阱区电连接且朝向有源侧底部区域且设置于沟槽部的底部的第二导电型的外周侧底部区域，有源侧底部区域和外周侧底部区域分开地设置。

公开(公告)号：CN115443543A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180030596.8

申请日：2021-11-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 原田祐一 ,  野口晴司 ,  小宫山典宏 ,  伊仓巧裕 ,  樱井洋辅 ,  铃木启久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；以及第一导电型的缓冲区，其设置在漂移区与半导体基板的下表面之间，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高，缓冲区具有配置在半导体基板的深度方向上的不同位置的两个以上的氦化学浓度峰。各个氦化学浓度峰的半峰全宽可以为1μm以下。各个氦化学浓度峰可以注入4He而形成。

公开(公告)号：CN114303246A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202180005055.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤由晴 ,  樱井洋辅 ,  野口晴司 ,  吉村尚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：设置有漂移区的半导体基板；配置于漂移区与下表面之间，并且掺杂浓度分布具有3个以上的浓度峰的缓冲区；以及配置于缓冲区与下表面之间的集电区，缓冲区中的3个以上的浓度峰包括：第一浓度峰，距离下表面最近；第二浓度峰，以仅次于第一浓度峰的方式接近下表面，且被配置为在深度方向上距离下表面为5μm以上，第二浓度峰的掺杂浓度比第一浓度峰的掺杂浓度低且第二浓度峰的掺杂浓度小于1.0×1015/cm3；以及高浓度峰，被配置为比第二浓度峰更远离下表面，且高浓度峰的掺杂浓度比第二浓度峰的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN106663692A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201680002154.1

申请日：2016-02-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿部和 ,  宫田大嗣 ,  高桥英纪 ,  野口晴司 ,  岛田直也

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 实现IGBT或进行与IGBT类似的动作的半导体装置的闩锁耐量的提高以及低导通电压化。半导体装置(1A)具备：第一导电型的漂移层(3)；在漂移层(3)上被彼此相邻的沟槽(4)夹着的台面区(5)；栅极电极(8)，其隔着栅极绝缘膜(6)设置于各沟槽(4)的内部；第二导电型的基极区(9)，其设置于台面区(5)；第一导电型的发射极区(11)，其在基极区(9)的表层部沿着沟槽(4)的长边方向周期性地配置有多个；以及第二导电型的接触区(12)，其以夹着各发射极区(11)的方式沿着长边方向与发射极区交替地配置，形成为比发射极区(11)深，且蔓延到发射极区(11)的正下方并相互分离。