公开(公告)号：CN114023646B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202210005520.6

申请日：2022-01-05

Applicant: 季华实验室

Inventor： 郭嘉杰 ,  吴帆 ,  王慧勇 ,  张南 ,  刘自然 ,  孔倩茵

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种高阻值GaN基HEMT器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：氮化处理；预铺Al；生长AlN缓冲层：依次生长第一AlN缓冲层、第二AlN缓冲层和第三AlN缓冲层；生长AlGaN缓冲层：依次生长第一AlyGa1‑yN缓冲层和第二AlyGa1‑yN缓冲层；生长自掺碳高阻值GaN外延层；生长GaN沟道层；生长AlyGa1‑yN势垒层；生长GaN帽层。本申请通过优化工艺，可以大幅降低AlN缓冲层以及自掺碳高阻值GaN外延层的位错密度，提高晶体质量。

公开(公告)号：CN114082729B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202210056227.2

申请日：2022-01-18

Applicant: 季华实验室

Inventor： 唐卓睿 ,  孔倩茵 ,  毛朝斌 ,  王慧勇 ,  王鑫 ,  刘欣

IPC: B08B9/087 ,  B08B13/00

Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。