公开(公告)号：CN118412418A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410824622.X

申请日：2024-06-25

Applicant: 季华实验室

Inventor： 肖永能 ,  胡强 ,  彭冬梅 ,  黄小婵 ,  杨振怀

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及Micro‑LED巨量转移技术领域，本发明公开了一种用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，包括剥离机本体、暂态板、定位组件、主动激光扫描组件以及若干从动激光扫描组件，剥离机本体内设有剥离室；暂态板摆放在剥离室底部，暂态板上设有芯片板；定位组件设于暂态板上方，定位组件上设有基座；主动激光扫描组件设于基座底部，主动激光扫描组件上设有第一激光扫描头；从动激光扫描组件设于基座底部，从动激光扫描组件上设有第二激光扫描头，第一激光扫描头和第二激光扫描头的激光发射方向均位于同一水平面上。本发明提供的用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，保证芯片板在牺牲层被激光扫描过程中的稳定性高，以及提高激光剥离效率。

公开(公告)号：CN118296853A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410681168.7

申请日：2024-05-29

Applicant: 季华实验室

Inventor： 祝经明 ,  杨振怀 ,  郭可升 ,  吴进 ,  肖永能 ,  王凤双 ,  胡强

IPC: G06F30/20 ,  G16C10/00 ,  G16C60/00 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备，该方法包括：获取内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型，设置半透明相变材料模型的第一材料参数和杂质模型的第二材料参数，根据激光衰减特征以及半透明相变材料和杂质材料的传热特征和受热膨胀特征，设置耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，基于上述数据，对内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。

公开(公告)号：CN118070563B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410464299.X

申请日：2024-04-17

Applicant: 季华实验室

Inventor： 祝经明 ,  杨振怀 ,  郭可升 ,  吴进 ,  肖永能 ,  胡强

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征和几何结构变形特征，设置固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。

公开(公告)号：CN117535624B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410037451.6

申请日：2024-01-10

Applicant: 季华实验室

Inventor： 杨振怀 ,  郭远军 ,  胡琅 ,  郭晓东 ,  肖永能 ,  刘宏 ,  胡强

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/32 ,  C22C27/02 ,  G01J5/0875

Abstract: 本申请涉及激光防护技术，公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用，包括以下步骤：以红外窗口为基底，放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中，以钒‑钆合金为金属靶，在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法，利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜，通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素，使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度，对激光的响应时间在皮秒量级。

公开(公告)号：CN117535624A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202410037451.6

申请日：2024-01-10

Applicant: 季华实验室

Inventor： 杨振怀 ,  郭远军 ,  胡琅 ,  郭晓东 ,  肖永能 ,  刘宏 ,  胡强

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/32 ,  C22C27/02 ,  G01J5/0875

Abstract: 本申请涉及激光防护技术，公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用，包括以下步骤：以红外窗口为基底，放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中，以钒‑钆合金为金属靶，在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法，利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜，通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素，使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度，对激光的响应时间在皮秒量级。

公开(公告)号：CN114662424B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210548370.3

申请日：2022-05-20

Applicant: 季华实验室

Inventor： 祝经明 ,  徐平 ,  胡琅 ,  胡强 ,  卫红 ,  杨振怀 ,  郭可升 ,  侯少毅 ,  毕诗博 ,  沈若尧

IPC: G06F30/28 ,  G06F111/10 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。

公开(公告)号：CN114662424A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210548370.3

申请日：2022-05-20

Applicant: 季华实验室

Inventor： 祝经明 ,  徐平 ,  胡琅 ,  胡强 ,  卫红 ,  杨振怀 ,  郭可升 ,  侯少毅 ,  毕诗博 ,  沈若尧

IPC: G06F30/28 ,  G06F111/10 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。

公开(公告)号：CN113774348A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111107898.9

申请日：2021-09-22

Applicant: 季华实验室

Inventor： 杨振怀 ,  胡琅 ,  胡强 ,  郭远军 ,  卫红 ,  郭可升 ,  肖永能 ,  王鹏 ,  王功伟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06

Abstract: 本申请涉及超导材料领域，公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈，包括以下步骤：以高温超导体为基底，将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内，以金属钒为靶材；腔体抽真空，不加热基底；通入氩气，调整气压，设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽；通入氧气，在高温超导体表面沉积薄膜；通入氮气卸去真空，得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法，利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点，实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜，所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护。