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公开(公告)号：CN118016677A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410188559.5
申请日：2024-02-20
Applicant: 中国科学院高能物理研究所 , 大连理工大学
IPC: H01L27/144 , H01L21/8258 , G01T1/24
Abstract: 本发明公开了一种空间极端温度下耐辐照X射线探测系统及其制备方法。本发明以空间X射线探测为应用背景，开展具有耐辐照耐极端温度的SiC/GaN集成探测系统的研制。通过本发明的研究，建立SiC‑PIN器件的X射线探测模型，制备出基于SiC单晶的高灵敏半导体探测器；建立GaN‑HEMT对前端信号的放大模型，制备出具有大跨导低噪声特性的GaN‑HEMT电子器件；通过SiC‑PIN与GaN‑HEMT的集成工艺，制备出SiC‑PIN/GaN‑HEMT集成器件；开发出适配于集成器件的模拟读出电子学，进而搭建出灵敏度高、响应速度快、能量分辨好、能量线性范围宽以及本底噪声低的SiC/GaN集成X射线探测系统。
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公开(公告)号：CN108461404B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201810532221.1
申请日：2018-05-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/443 , H01L29/45
Abstract: 本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10‑6Pa～1×106Pa；热处理气氛为真空或惰性气体；步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。本发明创新在于设计了一种基于镁金合金的新型氧化镓欧姆接触电极，其制备工艺简单，对氧化镓材料无损伤，特别适用于研制电子浓度较低的氧化镓基器件。
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公开(公告)号：CN109860058A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811555045.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/4763 , H01L29/267
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，提供一种氧化镓/铜镓氧异质结的制备方法。该方法是把氧化镓材料进行预处理后，将铜源预沉积或者放置在氧化镓单晶或薄膜的表面上，然后将这种带有铜源的氧化镓放置在高温管内，而后在一定的条件下热处理一定时间，使得铜原子能可控的扩散到氧化镓中，形成相应的铜镓氧合金，进而与未发生铜扩散的氧化镓形成界面特性好的氧化镓/铜镓氧异质结。本发明突出的优势是能够制备出高质量的铜镓氧材料，其所需设备和工艺过程简单，可控性高；可以形成界面理想的氧化镓/铜镓氧异质结，获得理想的结特性；利用本发明所提铜扩散技术可以进行多种类器件集成制造，进而研制出传统生长技术无法制备出的铜镓氧基新型器件。
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公开(公告)号：CN107093643B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710205623.6
申请日：2017-04-05
Applicant: 大连理工大学 , 中国科学院高能物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/117 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的宽度小于n型氮化镓层的宽度，InGaN插入层和高阻氮化镓探测灵敏区的宽度相同；多个图形化p型氮化镓层间隔排布在高阻氮化镓探测灵敏区上，图形化p型氮化镓层上制备上欧姆接触电极，n型氮化镓层上未被覆盖区域制备下欧姆接触电极；图形化p型氮化镓层外部为绝缘介质保护层。本发明解决了高性能氮化镓位置灵敏辐射探测器的制备难题，实现新型氮化镓位置灵敏辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN104916684B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510319284.5
申请日：2015-06-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的第一GaN层，第一GaN层背离缓冲层的一侧具有凹槽；依次嵌入凹槽中的第二GaN层和第二势垒层；位于除凹槽以外的第一GaN层上的第一势垒层；位于第一势垒层和第二势垒层上的介质层；与第一GaN层接触的源电极和漏电极，且源电极和漏电极的侧面从下到上依次与第一势垒层和介质层接触；与介质层接触的栅电极。本发明能够获得HEMT器件的常关型操作模式，实现大阈值电压的同时有效减小器件的导通电阻，栅极结构还具有电容小，器件开关速度快等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106816366A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710079419.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/225
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，具体提供了一种锡掺杂n型氧化镓制备方法。将适量的锡掺杂源以适当的方法预沉积在氧化镓材料上，然后将氧化镓材料以适当的形式放置在耐高温管内，而后在一定的温度下热处理一定时间，使得锡原子能可控的扩散到氧化镓材料中，并激活为有效施主，进而实现氧化镓材料的n型掺杂。本发明能够在氧化镓材料制备完成后实现掺杂，并且其所需设备和工艺过程简单，掺杂可控性高；利用本发明所提锡掺杂技术，不仅能够进行基于n型氧化镓材料的纵向器件结构制备，特别是还可以进行横向器件结构制备和多种类器件集成制造，进而研制出传统掺杂技术无法制备出的氧化镓基新型器件。
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公开(公告)号：CN105576020A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610109041.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/1029 , H01L29/42316 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i-GaN层、栅介质层和钝化层，i-GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层且与漏电极接触的漏电极焊盘。本发明能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。
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公开(公告)号：CN104894520A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510226430.X
申请日：2015-05-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法，所述金属镁基UVC波段透明导电结构包括两层Mg基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。所述金属镁基UVC波段透明导电结构的制备方法包括以下步骤：选取衬底，清洗衬底；选择高纯镁为靶材，通过磁控溅射方法沉积Mg基化合物层和金属Mg层，得到Mg基化合物/Mg/Mg基化合物多层结构。本发明所述金属镁基UVC波段透明导电结构在UVC波段具有优良的透明导电性，其制备方法步骤科学、易行，有效的解决了目前UVC波段透明导电材料制备难题。
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公开(公告)号：CN103561136A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310486919.1
申请日：2013-10-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及生活用品领域，公开了一种带有紫外LED的手机，包括：内置控制软件的通用手机、紫外LED、驱动装置；所述紫外LED集成在通用手机上；所述驱动装置设置在手机电路中，且驱动装置的一端与手机电路电连接，另一端与紫外LED电连接。本发明通过结构、电路和软件的设计将紫外LED集成在通用手机上，通过驱动装置达到紫外LED工作所需要的电伏，并可依据所集成的不同波段的紫外LED灯，实现便携式手机的消毒、验钞、医疗等功能。
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公开(公告)号：CN103258930A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310167524.5
申请日：2013-05-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种LED发光结构，尤其是一种GaN LED外延片结构及制备方法。一种GaN LED外延片结构及制备方法，包括GaN LED外延片结构层，和采用pGaN六角微米柱层（106）作为p型导电层的表面。与传统的平坦表面的LED相比，使用了pGaN六角微米棒技术的LED更高效，由全内反射造成的光损失最小。同时带有pGaN六角微米棒技术的LED性能稳定，电学性能和老化性能同传统平表面LED几乎没有区别。此外，带有pGaN六角微米棒技术的LED与传统平表面LED在制作成本上面也并没有提高。本发明简单紧凑，工艺简单，耐腐蚀，提高了LED器件的发光效率。
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