公开(公告)号：CN1829830A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480021852.3

申请日：2004-07-07

Applicant: 艾德麦普株式会社 ,  三井造船株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  佐野纯央

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/36 ,  H01L21/3148 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。

公开(公告)号：CN1806385A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016313.0

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/19 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/785 ,  H03F1/26 ,  H03F2200/372 ,  H03G1/0029 ,  H03G1/007

Abstract: 一种低噪声放大器，其具有用于将噪声抑制在低电平并放大输入信号的MIS晶体管。MIS晶体管包括：半导体衬底，其具有作为主表面的第一晶体表面；半导体结构，其是作为半导体衬底的一部分形成；以及相同导电型扩散区。半导体结构具有：一对侧壁面，其是由不同于第一晶体表面的第二晶体表面限定；顶面，其是由不同于第二晶体表面的第三晶体表面限定；栅极绝缘膜，其以均匀的厚度覆盖主表面、侧壁面和顶面；以及栅电极，其使用插入的栅极绝缘膜连续覆盖主表面、侧壁面和顶面。使用插入的栅极绝缘膜在一端和另一端上形成扩散区，并且沿主表面、侧壁面和顶面连续扩展该扩散区。这种结构急剧降低了低噪声放大器输出信号的1/f噪声和信号失真，从而不需要用于补偿降低的电路，并减小了尺寸。

公开(公告)号：CN1806333A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016314.5

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03D7/14 ,  H04B1/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D2200/0033 ,  H03D2200/0047

Abstract: 利用CMOS晶体管(800)配置混频电路，CMOS晶体管包括p沟道MOS晶体管(840A)和n沟道MOS晶体管(840B)，每个晶体管包括具有至少两个晶面的半导体衬底(810A，810)，并且还包括形成在半导体衬底上的至少两个晶面上的栅绝缘层(820A)，其中沿栅绝缘层形成在半导体衬底中的沟道的沟道宽度由分别在所述至少两个晶面上形成的沟道的各个沟道宽度的总和表示。这种配置能够降低由于晶体管元件的电气特性变化引起的晶体管元件中出现的1/f的噪声、输出信号中出现的DC偏置、以及由于沟道长度调制效应引起的信号畸变。

公开(公告)号：CN1806330A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016259.X

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03G11/00 ,  H03K5/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H03G1/0029 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66795 ,  H03G1/0023 ,  H03G7/00 ,  H03K5/08

Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜。在栅电极(26)的两个对边上形成源极和漏极，从而形成MOS晶体管。包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路用于配置限幅电路。以这种方式，限幅电路可表现出更大的增益。

公开(公告)号：CN1802749A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480016071.5

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03D7/14 ,  H04B1/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜。在栅电极(26)的两个对边上形成源极和漏极，从而形成MOS晶体管。该MOS晶体管用于配置直接转换的频率转换电路和接收电路。以这种方式，可降低直接转换接收的频率转换电路中I和Q信号的误差。

公开(公告)号：CN1799132A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015408.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在具有多个结晶面的立体构造的硅基板表面，使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜，即使在多个结晶面中也不会增加界面水平，且立体构造的角部中也具有均匀的膜厚。由此，通过由等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，能够得到特性良好的半导体装置。

公开(公告)号：CN1768431A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480009209.9

申请日：2004-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  若松秀利 ,  小林保男

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/318 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 为了提供一种由于将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态从而具有良好特性的半导体器件，或者为了提供一种能够将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态的半导体器件的制造方法，在本发明中，配有硅基板、栅电极层和栅绝缘膜，其中所述栅绝缘膜配置在所述硅基板与所述栅电极层之间。而且，所述栅绝缘膜是通过氮化处理金属与硅的混合物而形成的高相对介电常数(high－K)膜。通过使High－K膜本身成为氮化物，可以防止SiO2的生成。