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公开(公告)号：CN1228819C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN01130253.4
申请日：2001-12-13
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: B23K10/003 , B23K2101/40
Abstract: 在暴露于空气的微波入口窗(4)的一边，设置带有槽(11a)和谐振单元(3)的槽板(11)。槽板(11)和谐振单元(3)相对于加工室(6)整体放置，可通过线性导轨(12、13)滑动。用这种方法，可以设置等离子加工设备，它实现高度均匀的等离子加工，并具有极好的等离子发生特性。
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公开(公告)号：CN1692318A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100257.4
申请日：2003-12-18
IPC: G05D16/02
CPC classification number: F16K47/02 , F16K47/023 , F16L55/043 , Y10T137/0324 , Y10T137/0379 , Y10T137/0396 , Y10T137/7761 , Y10T137/86389 , Y10T137/86461
Abstract: 通过极为简单的装置及操作，不会发生水击、而且在短时间内，可以将流体通路紧急关闭。为此，由以下部分构成无水击关闭装置：加装在流体通路上的致动器动作式阀；向致动器动作式阀供应两级阶梯状的致动器动作压力Pa的电－气变换装置；可自由拆装地固定到前述致动器动作式阀的上游侧管路上的振动传感器；输入由振动传感器检测出来的振动检测信号Pr、并且向电－气变换装置输出控制前述两级阶梯状的致动器动作压力Pa的阶梯动作压力Ps′的大小的控制信号Sc，通过该控制信号Sc的调整、从电－气变换装置输出振动检测信号Pr基本上成为零的阶梯动作压力Ps′的两级阶梯状的致动器压力Pa的调整箱。
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公开(公告)号：CN1623057A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02828573.5
申请日：2002-03-18
CPC classification number: F16J15/02 , F16J15/062 , F16J15/104 , F16L19/00 , F16L19/0212 , F16L19/0218 , F16L25/0018 , F16L27/082 , F16L27/0828 , Y10S277/925 , Y10S285/917
Abstract: 一种流体接头，在各接头部件(1、2)的抵接端面上，设有围绕流体通路(1a、2a)且在底面具有环状突起(5、6)的环状凹部(3、4)。垫圈(10)由外径小于环状凹部(3、4)的直径且位于两接头部件(1、2)的突起(5、6)之间的密封部(11)、和具有能嵌合到环状凹部(3、4)中的外径且位于密封部(11)的外侧的导向部(12)构成。在适当拧紧时使两接头部件(1、2)的抵接端面相互抵接。在密封部(11)的外周设有环状槽(14)，密封部(11)和导向部(12)通过嵌合于该环状槽(14)中的卡环(13)相连接。
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公开(公告)号：CN1165969C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN01120789.2
申请日：2001-03-21
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4401 , C23C16/511
Abstract: 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备：处理室(1、2)；微波发射构件(5)；以及反应气体供给装置(14、15、21、22)，反应气体供给装置包含反应气体供给路(15)，该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间，还具备防微波透射构件(16)，该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。
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公开(公告)号：CN1510755A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310117790.3
申请日：2003-12-02
Applicant: 大见忠弘
IPC: H01L29/04 , H01L29/78 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/30604 , H01L21/31654 , H01L21/318 , H01L29/6659
Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，使硅表面平整，使得表面算术平均差Ra不大于0.15nm，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n－MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1502121A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02807489.0
申请日：2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , B01J19/08 , C23C16/511 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/517 , H01J37/32009 , H01J37/32339
Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。
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公开(公告)号：CN1460285A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02800918.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: 一种微波等离子体处理装置，为了使阻抗变化缓和，通过在微波供给波导管和微波天线之间设置锥面或具有中间介电常数的部件，可抑制微波供给波导管与微波天线的连接部中的反射波的形成，提高供电效率，抑制放电，在等离子体处理装置中稳定形成等离子体。
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公开(公告)号：CN1127004C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN99800002.7
申请日：1999-01-11
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种供如半导体制造设备中气体供给系统用的流体供给设备，它使得有可能在开始供给流体或流体转换时高精度控制流体流速而不产生流体的瞬时过冲现象。本发明的流体供给设备包括：压力流量控制器，用来调节流体的流率；流体转换阀，用来打开和关闭压力流量控制器次级侧的流体通道；以及流体供给控制单元，用来控制压力流量控制器和流体转换阀的操作；压力流量控制器包括：注流孔5；设置在注流孔5上游侧的控制阀1；设置在控制阀1和注流孔5之间的压力检测器3；以及计算控制单元6，它把流率信号Qc和流率指定信号Qs之间的差值作为控制信号Qy输入到控制阀1的驱动器2，流率信号Qc是利用流率Qc＝KP1(K＝常数)、根据由压力检测器3检测到的压力P1计算的；其中，通过借助打开和关闭控制阀1来调节注流孔上游侧的压力P1而控制注流孔5下游侧的流率。
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公开(公告)号：CN1359454A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN00809795.X
申请日：2000-06-05
IPC: F16K47/08
Abstract: 提供一种节流孔内设阀,可用于具有半导体制造装置或化学品制造设备中所使用的压力式流量控制装置的供气设备中,不仅能够降低制造成本,而且能够提高节流孔的加工精度并在进行阀的组装时能够防止节流孔变形,从而能够获得优良的流量控制特性。为此,本发明中,由形成有与上开口的阀室连通的气体流入通路和气体流出通路的耐热材料制造的阀本体,设置在阀本体的阀室内的、形成有与所说阀本体的气体流出通路连通的气体流出通路及阀座的合成树脂制造的阀座体,可自由拆装地安装在阀座体的气体流出通路中的耐热材料制造的节流孔盘,以及形成于节流孔盘上的、使阀座体的气体流出通路缩径的节流孔构成节流孔内设阀的主要部分;预先在不锈钢制造的节流孔盘上形成节流孔,并且,将另行加工而形成了该节流孔的金属制造的节流孔盘和合成树脂制造的阀座体可自由拆装地加以组合,经由金属制造的节流孔盘推压合成树脂制造的阀座体使其压缩,从而将二者呈气密状态组装在阀本体上。
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公开(公告)号：CN1359143A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01130253.4
申请日：2001-12-13
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: B23K10/003 , B23K2101/40
Abstract: 在暴露于空气的微波入口窗(4)的一边,设置带有槽(11a)和谐振单元(3)的槽板(11)。槽板(11)和谐振单元(3)相对于加工室(6)整体放置,可通过线性导轨(12、13)滑动。用这种方法,可以设置等离子加工设备,它实现高度均匀的等离子加工,并具有极好的等离子发生特性。
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