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公开(公告)号：CN109188858B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811047914.8
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体为一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构。本发明的通孔掩膜版分体图形结构，以双面抛光的硅片为基底，包括正面图形和反面图形；正面图形包括从整体图形中分离的带有对准标记的高精度图形和带有对准标记的低精度图形，或者为分别带有对准标记多组不同精度的图形；反面图形，为涵括正面所有图形的方形，用于整体厚度减薄；通孔掩膜板在加工过程中，高精度图形和低精度图形先后使用，通过两者相同的对准标记进行位置对准，来完成整体图形的加工。本发明设计的高精度硅基掩膜版设计图形结构，具有机械强度高、重复使用性高、成本低、图形设计自由灵活等优势，能满足各领域对高精度通孔掩膜版的需求。
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公开(公告)号：CN110993562A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911084206.6
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准，在半导体薄膜上制备器件。本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。
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公开(公告)号：CN108376711A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810014816.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于二维半导体晶体管技术领域，具体为一种制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法。本发明方法包括制备一系列堆叠结构，所述堆叠结构自下向上依次是衬底、二维半导体材料、充当源极和漏极的金属电极材料、旋涂形成的电解质介质薄膜、充当栅极的金属电极材料。所述电解质与传统介质材料相比具有更大的比电容，且所述栅极为顶栅的拓扑结构。因此，本发明方法可以解决二维半导体场效应晶体管在低工作电压、低功耗、高速电路和柔性电路上的应用问题。
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公开(公告)号：CN110993562B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201911084206.6
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准，在半导体薄膜上制备器件。本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。
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公开(公告)号：CN116634764A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310564446.6
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法。本发明存储器件由基于硅衬底的读晶体管与二维材料写晶体管在垂直方向上堆叠而成；其中，通过绝缘层与写晶体管的栅氧化层刻蚀形成上下晶体管互连通道，使写晶体管源/漏极金属与读晶体管栅极金属相连；下方的读晶体管具有与MOSFET的对称物理结构，在栅极以及侧墙的掩蔽作用下，通过与MOSFET的自对准离子注入工艺在沟道上形成掺杂和阴极/阳极掺杂区域。本发明器件具有优异的电学性能，结构紧凑，工艺与传统CMOS兼容，且解决了传统硅基器件漏电过高的问题，可应用于4F2高性能高带宽的3D存储应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993528B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201911084203.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于湿法刻蚀技术领域，具体为一种湿法刻蚀单面基板的装置。本发明装置主要包括导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器；其中导热底座是槽壁顶端带关卡的导热浅槽底座及防刻蚀液渗漏的垫子等组成；溶液刻蚀杯是略比底座小的通孔刻蚀容器；防液体蒸发盖为带圆孔的容器盖。本发明设计的湿法刻蚀平板的装置，具有装置结构简单、重复使用性较高、成本低、可实现平板的大面积刻蚀等优势，能满足各领域对大面积单面平板材料的刻蚀的需求。
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公开(公告)号：CN111639757B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010281231.X
申请日：2020-04-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464
Abstract: 本发明属于集成电路与计算机技术领域，具体为一种基于柔性材料的模拟卷积神经网络。本发明模拟卷积神经网络的电路结构包括：数模转化器，具有矫正模块，提供权重值；计算单元和运算单元完成神经网络处理；每个运算单元通过输入信号与数模转换器输出的权重值完成乘加运算和处理，运算的结果输出给对应的计算单元的输入端；各个计算单元各自输出不同的输出，作为最终的判断结果。该神经网络可以处理模拟信号，并且采用存算一体的非冯诺依曼体系结构，突破以往的技术限制。并且应用于柔性材料上，具有良好的拓展性，适用于各种的应用场景。
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公开(公告)号：CN115863441A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211659843.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于二维材料的边缘接触晶体管及其制备方法。本发明晶体管，沟道层为二维材料，其边缘与源/漏电极接触；沟道层为一层，或者为多层，构成叠层纳米片晶体管；源极之间的连接、漏极之间的连接为刻蚀通孔后沉积连接金属；环栅连接为刻蚀通孔后钝化二维材料边缘再沉积连接金属，或使用高肖特基接触势垒金属进行连接。沟层为多层的晶体管，同层源/漏/顶栅电极由一步或分步掩模工艺制备。本发明提出的边缘接触工艺与3 nm以下先进制程兼容；结合二维材料有效抑制短沟道效应和叠层纳米片晶体管大电流，提出二维材料新型晶体管结构及其制备方法，拓展其在集成电路先进制程中的应用前景。
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公开(公告)号：CN114899105A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210493870.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于微电子工艺技术领域，具体为一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法。本发明制备方法包括：硅/二氧化硅或蓝宝石衬底上的单层或多层二维半导体材料的制备、氧化物介质层的生长、氧化物介质层上的顶栅金属电极的沉积、氧化物介质层选择性刻蚀以及与二维材料边缘接触的源漏金属电极的自对准沉积。本发明利用选择性腐蚀所形成的微结构作为硬掩膜自对准沉积源漏的金属材料，相较于非自对准工艺省略了源漏图形化套刻的步骤，避免因尺寸缩小所导致的对准偏差问题，更易于制备短沟道场效应晶体管，因此，该制备方法在尺寸不断微缩的先进工艺中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111293091B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010083085.X
申请日：2020-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/492 , G01N27/327
Abstract: 本发明属于生物化学传感技术领域，具体为一种基于二维材料的生物化学传感模块的制备方法。本发明方法包括：在硅/二氧化硅衬底上沉积二维材料；制备与二维材料连接或者不连接的金属电极；二维材料和金属电极周边封装树脂材料；以及硅片下面附着印刷线路板。二维材料作为一种外界敏感材料，适用于多种传感领域，特别是作为气态或者液态的感应器或探测器。本发明解决了制造基于二维材料的生物化学传感芯片模块的问题，可以广泛的应用于生物化学感应和测量应用中。
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