公开(公告)号：CN101622912A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006453.8

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理装置的使用方法。等离子体处理装置(10)，具有：由金属形成的处理容器(100)、输出微波的微波源(900)、面向处理容器(100)的内壁并向处理容器内透过自微波源(900)输出的微波的电介质板(305)、和在处理容器的内面设置的作为传播阻碍部发挥功能的槽(300a)。在供给低频微波的情况下，通过槽(300a)抑制导体表面波的传播。

公开(公告)号：CN101519774A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910005391.5

申请日：2009-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 本乡俊明 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: C23C16/511 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以排除由安装状况或尺寸误差造成的缝隙天线中的电流流动的不均匀性，生成均匀的等离子体。将电介质板(4)配置为使构成处理容器的一部分的平板外罩(14)的上部开口封闭，在电介质板(4)的上部配置产生等离子体的缝隙天线(5)，将缝隙天线(5)的外缘与平板外罩(14)的内壁部在整体四周用具有弹性的导电性构件(20或25)直接接触，由于在向缝隙天线(5)供给微波时，可以确保平板外罩(14)与缝隙天线(5)的平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘的电连接，因此可以使平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘之间的电阻的大小大致相等。

公开(公告)号：CN100514554C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200710089461.0

申请日：2007-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 堀口贵弘 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  C23C16/511 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 一种等离子体处理装置，使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙，并在配置在处理室的上面的介电体中传播，利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量，使供给至处理室内的规定气体等离子体化，对基板实施等离子体处理。矩形波导管的上面部件由具有导电性的非磁性材料构成，并且，使该上面部件相对于下面升降移动。根据气体种类、压力、微波供给装置的功率输出等处理室内进行的等离子体处理的条件，通过使矩形波导管的上面部件相对于下面升降移动，管内波长发生变化。

公开(公告)号：CN101305451A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680041735.2

申请日：2006-11-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理用簇射极板，是由多个配管形成的等离子体处理用簇射极板(31)，配管(31A3)由多孔质材料构件(44)和金属构件(41)构成，该多孔质材料构件(44)被沿着配管配置，对于原料气体具有规定的气孔率，朝向外侧呈凸状；该金属构件(41)与多孔质材料构件(44)对向配置，与多孔质材料构件(44)一起形成原料气体流路(43)。可以实现一种喷嘴构造，使原料气体呈扩散状喷出。

公开(公告)号：CN101243733A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200680029502.0

申请日：2006-08-04

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，即使被处理基板大面积化，仍可进行均匀的处理，其是使导入到波导管(102)的微波通过狭缝(103)传播到电介体板(104)，使供给到真空容器中的气体等离子体化，从而对基板(107)表面实施等离子体处理的装置，并列配置多个波导管(102)，在每个波导管(102)上设有多个电介体板(104)，并在相邻的电介体板104之间配置由导体构成且接地的间隔部件(106)。上下地移动短路器(111)，将波导管(102)的管内波长调整到最佳值。此外，在电介体板与相邻的部件的间隙不会产生意料外的等离子体，能够有效地产生稳定的等离子体。其结果，可进行高速且均匀的蚀刻、成膜、清洗、灰化等处理。

公开(公告)号：CN101176187A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200680012975.X

申请日：2006-04-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/205 ,  B24B37/00 ,  C23C16/455 ,  B24B1/04 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B24B5/485 ,  B24B1/04 ,  C04B35/111 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/945 ,  C23C16/45565 ,  Y10T29/49996

Abstract: 本发明提供一种喷淋板，其处理气体的喷出孔结构简单且能容易地加工形成，而且喷出孔尺寸精度高，不发生处理气体的喷出偏差和不均，具有一定品质和互换性。压制成型低介电率陶瓷材料用粉末，将外形尺寸成形为留有烧结收缩余料和精加工余料的圆板状，在该圆板状成形体阶段，在穿设完气体导入通路(3)和喷出孔(2)的成形体用孔后进行烧结，并将气体导入通路(3)和喷出孔主体部分(2b)的表面粗糙度研磨至1s以内，一边使前端部分为前端渐细形状的研磨用线材插通喷出口(2a)并往复移动，一边顺次向线材直径大的方向滑动，由此精加工成直径在0.1以上不满0.3mm范围内，尺寸精度在±0.002mm以内，且表面粗糙度在1s以内。

公开(公告)号：CN102037423B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN200980118159.0

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  永濑正明 ,  杉田胜幸 ,  平田薰 ,  广濑隆 ,  筱原努 ,  池田信一 ,  吉田俊英 ,  田中久士

IPC: G05D7/06 ,  G01F1/00 ,  G01F1/42 ,  G01F7/00 ,  G05D16/20

CPC classification number: G05D7/0635 ,  G01F1/42 ,  G01F7/005 ,  Y10T137/0379

Abstract: 本发明是使用了流量范围可变型流量控制装置的流体流量控制方法，该装置使得压力式流量控制装置的控制阀的下游侧和流体供给用管道之间的流体通道为至少两个以上的并列状流体通道，并且使流体流量特性不同的孔口分别位于所述各并列状的流体通道中，在第1流量域的流体的流量控制中，使所述第1流量域的流体流过一个孔口，并且在第2流量域的流体的流量控制中使所述第2流量域的流体流过至少另一个孔口，选定所述各孔口的流量特性，使得所述小流量的第1流量域的流体的最大控制流量小于所述大流量的第2流量域的最大控制流量的10％，在规定的流量控制误差内流量控制将第1流量域中的可能的最小流量降低。

公开(公告)号：CN101903562B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200880122240.1

申请日：2008-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  田中宏治

IPC: C23C16/511 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。

公开(公告)号：CN101652499B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880011109.8

申请日：2008-04-04

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种通过升高靶子上的瞬时的等离子体密度而提高成膜速度的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置是如下的磁控溅射装置，其具有被处理基板、与被处理基板相面对地设置的靶子、设置于靶子的与被处理基板相反一侧的旋转磁铁，在靶子表面形成多个等离子体环，并且该等离子体环随着旋转磁铁的旋转而在旋转磁铁的轴向上产生、移动、消除。

公开(公告)号：CN101681817B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880017388.9

申请日：2008-05-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/02 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体，在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时，有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。