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公开(公告)号：CN110473787B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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公开(公告)号：CN113984797A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111301296.7
申请日：2021-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 一种用于在深空探测温度范围内可控辐照的终端设备及其使用方法，它涉及温度可控的辐照终端设备，本发明要解决当前在深空探测中航天航空器件遇到的极端温度，没有相应的平台对深空探测中航天航空器件进行评估问题。本发明的设备包括粒子加速器、真空腔室和温度控制系统；真空腔室内放置高低温样品台和束流探测器，温度控制系统对高低温样品台进行温度控制，粒子加速器对真空腔室发射粒子，束流探测器进行探测。
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公开(公告)号：CN109658962B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201811554118.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C11/413 , G11C7/24
Abstract: 一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元，它涉及一种SRAM存储单元，本发明要解决目前没有既能在近阈值或亚阈值电压区域工作，又能有效抵抗单粒子多节点翻转效应的SRAM存储单元结构的问题，本发明通过设计冗余加固技术以及合理的结构设计，增加了电路的内部节点数量从而达到抗单粒子翻转的目的；通过极性加固技术，对电路结构中的特定节点进行了抗单粒子翻转加固保护；此外，还通过版图加固技术，实现了对可能发生多节点翻转的节点对的隔离。在电路级和版图级加固的联合作用下，所提出的近阈值SRAM存储单元具备抵抗单粒子多节点翻转的能力。满足了低电压应用领域对抗单粒子多节点翻转近阈值SRAM存储单元的设计需求。
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公开(公告)号：CN110473787A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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公开(公告)号：CN109888025A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910219155.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100473948C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610010099.9
申请日：2006-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01C19/56
Abstract: 本发明提供的是一种对称结构双级解耦单晶硅微机械陀螺仪，它包括玻璃基片、通过键合区键合在玻璃基片上的硅片和在硅片上蚀刻出的结构，其结构包括位于中间的质量块，对称分布在质量块两侧的梳状驱动器，对称分布在质量块另两侧的梳状检测器，固定电极与键合区相连，活动电极与框相连，驱动框与质量块之间有检测解耦梁，检测框与质量块之间有驱动解耦梁，框的两端连接有弹性梁。本发明是一种全新的微机械振动式陀螺仪机构，使得驱动振动模态和检测振动模态的谐振频率易于匹配，同时降低两个模态之间的耦合，在大气环境下工作也能获得较高品质因子，从而使得微机械陀螺有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN100425993C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610009668.8
申请日：2006-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供的是一种框架结构差分电容式加速度传感器。在硅片的背面刻蚀有键合所需的台面，玻璃基片与键合所需的台面键合形成键合块，硅片的正面刻蚀有传感器的弹性梁、质量块、固定电极图形和活动电极图形，质量块是框架形状，键合块包括上、下、左、右和中间5个键合块，上下键合块上连接弹性梁，框架形状质量块连在两弹性梁之间，左右键合块的内侧和中间键合块的两侧带有固定电极，框架形状质量块上带有与固定电极相配合的活动电极。上下键合块以及与固定电极连接的各键合块通过静电键合被固定在玻璃基片上。本发明的优点在于传感器尺寸小、静态电容大，质量轻，无横向即非敏感方向干扰，结构简单，易于加工等。
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公开(公告)号：CN1851401A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610010099.9
申请日：2006-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01C19/56
Abstract: 本发明提供的是一种对称结构双级解耦单晶硅微机械陀螺仪，它包括玻璃基片、通过键合区键合在玻璃基片上的硅片和在硅片上蚀刻出的结构，其结构包括位于中间的质量块，对称分布在质量块两侧的梳状驱动器，对称分布在质量块另两侧的梳状检测器，固定电极与键合区相连，活动电极与框相连，驱动框与质量块之间有检测解耦梁，检测框与质量块之间有驱动解耦梁，框的两端连接有弹性梁。本发明是一种全新的微机械振动式陀螺仪机构，使得驱动振动模态和检测振动模态的谐振频率易于匹配，同时降低两个模态之间的耦合，在大气环境下工作也能获得较高品质因子，从而使得微机械陀螺有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1804636A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610009668.8
申请日：2006-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供的是一种框架结构差分电容式加速度传感器。一种框架结构差分电容式加速度传感器，在硅片的背面刻蚀有键合所需的台面，玻璃基片与键合所需的台面键合形成固定块，硅的正面刻蚀有传感器的弹性梁、质量块、固定和活动电极图形，质量块是框架形状，键合块包括上、下、左、右和内部5个键合块，上下键合块上连接弹性梁，框架形状质量块连在两弹性梁之间，左右键合块的内侧和中间键合块的两侧带有固定电极，框架形状质量块上带有与固定电极相配合的活动电极。上下键合块以及与固定电极连接的各键合块通过静电键合被固定在玻璃基片上。本发明的优点在于传感器尺寸小、静态电容大，质量轻，无横向即非敏感方向干扰，结构简单，易于加工等。
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公开(公告)号：CN1185484C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN03111185.8
申请日：2003-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/447 , G01N33/561
Abstract: 本发明提供的是一种用于化学分析的毛细管电泳芯片的制备方法，首先在材质上选用有机玻璃，采用机械划刻仪进行沟道加工，然后在加工完沟道的有机玻片上的相应位置打通孔，再进行沟道表面的光滑化以及表面改性处理，最后用有机溶剂将两片有机玻璃进行粘接处理，使沟道封闭。本发明的方法，制造成本低，易于大批量生产，工艺流程的简单，提高了制造成品率。
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