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公开(公告)号：CN116154016B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310186052.1
申请日：2023-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种自供能日盲紫外探测器及其制备方法，属于光电探测器制备领域，具体方案如下：一种自供能日盲紫外探测器，包括衬底、薄膜a和薄膜b，所述薄膜a生长在衬底上，所述薄膜b生长在薄膜a上，薄膜a和薄膜b上均设置有电极，所述薄膜a和薄膜b均为(InxGa1‑x)2O3材料，其中，薄膜a和薄膜b材料中In组分的含量不同。在该探测器中，由于磁控溅射的生长温度不同，使薄膜a2和薄膜b3具有不同含量的In组分，从而具有不同的禁带宽度，产生内建电场获得自供能探测器，制备方法简单易操作，成本低，易于实现，易于推广。
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公开(公告)号：CN116154016A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310186052.1
申请日：2023-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种自供能日盲紫外探测器及其制备方法，属于光电探测器制备领域，具体方案如下：一种自供能日盲紫外探测器，包括衬底、薄膜a和薄膜b，所述薄膜a生长在衬底上，所述薄膜b生长在薄膜a上，薄膜a和薄膜b上均设置有电极，所述薄膜a和薄膜b均为(InxGa1‑x)2O3材料，其中，薄膜a和薄膜b材料中In组分的含量不同。在该探测器中，由于磁控溅射的生长温度不同，使薄膜a2和薄膜b3具有不同含量的In组分，从而具有不同的禁带宽度，产生内建电场获得自供能探测器，制备方法简单易操作，成本低，易于实现，易于推广。
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公开(公告)号：CN113299779A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110580063.9
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨红外双色探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、MoS2层、WS2层和金电极，蓝宝石衬底上生长MoS2层，MoS2层上生长WS2层，金电极设置在MoS2层和WS2层上，具体制备方法如下：一、利用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上生长MoS2层；二、利用CVD技术在MoS2层上生长WS2层；三、利用磁控溅射技术在MoS2层和WS2层表面蒸镀金电极。本发明利用WS2层与MoS2层构成超晶格，通过调节厚度，在超晶格中形成多个子带能级，能级带隙满足中波双色红外探测要求，当入射光子大于等于超晶格的自带能级时，光生载流子可以在子带间跃迁，超晶格的电导率增加，实现红外双波段探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299778A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110579522.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。
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公开(公告)号：CN113257933A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110580066.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法，所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极，GaN衬底上生长的Bi2Se3层，GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结，金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上，具体制备方法如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层；二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极，得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器，利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构，实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比，器件结构简单，降低了系统的体积、功耗和成本。
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公开(公告)号：CN112635678A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011527001.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于甲胺基氯化铅/氧化镓异质结的高效自供能UVA波段紫外光电探测器及其制备方法。本发明属于基于半导体材料的紫外光电探测器领域。本发明的目的在于解决现有CH3NH3PbCl3单晶材料制备过程复杂、成本高以及溶液旋涂法制备的CH3NH3PbCl3多晶薄膜光电性能较差的技术问题。本发明的光电探测器包括由下至上依次设置的FTO衬底、Ga2O3种子层、异质结层、空穴传输层Spiro‑OMeTAD和电极层；所述异质结层由α‑Ga2O3纳米柱阵列和弥合在α‑Ga2O3纳米柱阵列缝隙中的CH3NH3PbCl3组成。方法：一、在FTO衬底上旋涂Ga2O3种子层；二、①水热法制备α‑Ga2O3纳米柱阵列；②一步反溶剂旋涂法制备CH3NH3PbCl3；三、旋涂空穴传输层Spiro‑OMeTAD；四、蒸镀银电极，得到自供能UVA波段紫外光电探测器。本发明的光电探测器响应度高，响应时间短，响应速度高。
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公开(公告)号：CN106006707B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201610337330.9
申请日：2016-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种双面氧化锌纳米梳的制备方法，其步骤如下：一、将超声清洗干净的衬底用氮气吹干后，在其上溅射一层金属Al膜作为水热反应的Al源；二、在沉积有Al膜的衬底上溅射一层厚度约为25~50 nm的氧化锌种子层；三、将沉积有Al膜和氧化锌种子层的衬底竖直放入装有硝酸锌和氨水的混合溶液的反应釜中进行水热反应；四、反应结束后，自然冷却至室温，取出衬底，用去离子水冲洗并在室温下干燥，衬底表面的产物即为双面氧化锌纳米梳。本发明通过对氧化锌种子层厚度的调控，采用一步水热反应，制备出了双面氧化锌纳米梳、氧化锌纳米片和氧化锌纳米棒阵列结构，该方法具有操作简单、可控性强、成本低等优点，适用于大面积生长，且可应用于多种衬底，具有很高的实用价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN103247675B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201310193217.4
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L31/11
Abstract: 具备光电转换和放大功能的异质结三极管，属于红外探测技术领域。所述异质结三极管包括N+型GaAs衬底，在衬底表面依次生长的P型GaAS层、N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层，以及设置在N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层之上的透明电极层，在衬底的底部和透明电极层的上部分别设置有金属引线。本发明的红外探测用异质结晶体三极管，可采用分子束外延设备来生产，该设备通过提供极高的真空度，保证了器件制备过程的无污染，从而获得优异的半导体器件性能。使用本发明的异质结三极管，则红外光探测和电信号的初级放大就由一个器件来完成，避免了弱信号的传输，从而使得躁声降低，这对于提高器件的光电响应性能是十分有利的。
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