公开(公告)号：CN113257933B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202110580066.2

申请日：2021-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王东博 ,  曾值 ,  王金忠 ,  矫淑杰 ,  赵晨晨 ,  张书博 ,  刘东昊

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法，所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极，GaN衬底上生长的Bi2Se3层，GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结，金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上，具体制备方法如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层；二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极，得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器，利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构，实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比，器件结构简单，降低了系统的体积、功耗和成本。

公开(公告)号：CN113257933A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110580066.2

申请日：2021-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王东博 ,  曾值 ,  王金忠 ,  矫淑杰 ,  赵晨晨 ,  张书博 ,  刘东昊

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法，所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极，GaN衬底上生长的Bi2Se3层，GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结，金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上，具体制备方法如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层；二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极，得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器，利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构，实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比，器件结构简单，降低了系统的体积、功耗和成本。