-
公开(公告)号:CN113828165B
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202110988600.3
申请日:2021-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及一种聚乙烯醇超薄选择层复合纳滤膜的制备方法,包括:将聚乙烯醇粉末溶解在去离子水中得到聚乙烯醇溶液;将六氟二酐粉末溶解在无水乙醇中得到交联剂;将十二烷基硫酸钠颗粒溶解在去离子水中得到表面活性剂;先利用十二烷基硫酸钠溶液浸润基膜表面进行亲水性预处理;接着将交联剂六氟二酐溶液和聚乙烯醇溶液先后引入膜表面,发生梯度交联反应得到六氟二酐聚乙烯醇超薄选择层纳滤膜。本发明能够减小纳滤膜选择层的厚度,有效控制纳滤膜的渗透通量和分离性能之间相互制约效应。
-
公开(公告)号:CN112951915B
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202110108176.9
申请日:2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法,在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构;在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极;所述颈区的下方设有集成晶体管;在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案,可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量;同时使器件内的电流密度大幅降低,从而降低因电流热效应而产生的热量,使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
-
公开(公告)号:CN110246403B
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201910670988.5
申请日:2019-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G09B23/22
Abstract: 本发明公开了一种电镜像散及消像散的演示装置及方法。电镜像散及消像散的演示装置的第一弧矢面杆的两个端点与第二弧矢面杆的两个端点均位于第一平面,第一子午面杆的两个端点与第二子午面杆的两个端点均位于第二平面,第一平面和第二平面相互垂直;顶部弹性圈、中间弹性圈和底部弹性圈分别设置在四个杆的顶部、中部和底部;底板上设置有相互垂直交叉的第一刻度凹槽和第二刻度凹槽;第一弧矢面杆和第二弧矢面杆可滑动的设置在第一刻度凹槽上,第一子午面杆和第二子午面杆可滑动的设置在第二刻度凹槽上。采用本发明的电镜像散及消像散的演示装置及方法,能够直观方便的模拟像散和消像散原理。
-
公开(公告)号:CN101391901A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200810137483.4
申请日:2008-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: Al2O3陶瓷与金属材料的钎焊方法,它涉及Al2O3陶瓷与金属材料的连接方法。本发明解决了现有连接Al2O3陶瓷与金属材料的方法连接后的接头强度低和连接件的气密性低的问题。本发明Al2O3陶瓷与金属材料的钎焊方法是按照以下步骤进行的:1.陶瓷清洗、箔片去膜;2.制得活性金属化的陶瓷;3.金属清洗;4.钎焊;即得到陶瓷与金属材料的焊接件。本发明另一种方法是按照以下步骤进行的:1.陶瓷清洗、配制活性金属化粉末膏;2.制得活性金属化的陶瓷;3.金属清洗;4.钎焊;即得到陶瓷与金属材料的焊接件。本发明的方法焊接的焊接件接头连接强度高可达到50~100MPa,接头漏气率<1.0×10-8Pa·m3/s。
-
公开(公告)号:CN116358416A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202310171169.2
申请日:2023-02-27
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 国家电网有限公司信息通信分公司 , 电力规划总院有限公司 , 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司
Inventor: 董永康 , 夏猛 , 杜学新 , 夏小萌 , 陈佟 , 杨悦 , 王颖 , 邓月 , 李树辰 , 张昉熠 , 李灿 , 李扬 , 梁正晗 , 张帅 , 章毅 , 郭瑜 , 王甜甜 , 张佐星 , 房芳 , 朱国栋 , 杨洋 , 秦浩庭 , 伍文城 , 杨帆 , 陈谦 , 刘毅 , 付浩 , 王海林
Abstract: 本发明公开了一种基于BOTDR应变测量的OPGW光缆弧垂监测方法及系统,涉及光缆弧垂监测技术领域,用以解决现有弧垂监测方案中成本高、需要供电等问题。本发明的技术要点包括:基于BOTDR采集架设在等高杆塔上且形态满足悬链线方程的OPGW光缆在固定时间间隔的布里渊谱;对固定时间间隔的布里渊谱进行处理,获取布里渊频移变化量和引下线处由温度引起的布里渊频移变化量,进而解调出OPGW光缆应变;根据OPGW光缆应变计算获取光缆伸长量,进而获取伸长后的光缆长度;根据伸长后的光缆长度计算对应的光缆弧垂;判断光缆弧垂是否大于安全弧垂长度,若大于则进行预警。本发明使用BOTDR实现OPGW光缆应变解调,通过监控光缆的应变变化计算弧垂量,可在弧垂过大时及时预警。
-
公开(公告)号:CN113890607A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111342592.1
申请日:2021-11-12
Applicant: 国家电网有限公司 , 国家电网有限公司信息通信分公司 , 哈尔滨工业大学 , 鞍山睿科光电技术有限公司 , 北京邮电大学 , 北京市天元网络技术股份有限公司
Inventor: 王颖 , 李灿 , 姜辉 , 张书林 , 李扬 , 周鸿喜 , 刘洋 , 王乔木 , 高菲璠 , 陈拽霞 , 李黎 , 陈灿 , 郭小溪 , 董永康 , 汤晓惠 , 夏猛 , 姜桃飞 , 赵永利 , 宁云潇 , 程淼 , 李震岳
IPC: H04B10/079
Abstract: 本申请实施例公开了一种光缆T接点定位方法、装置、计算机设备和存储介质,该方法具体包括:获取第一光缆线路的接续点位置和第二光缆线路的接续点位置,所述接续点位置包括普通熔接点位置和T接点熔接点位置;根据所述第一光缆线路的接续点位置确定多个第一纤芯长度,并根据第二光缆线路的接续点位置确定多个第二纤芯长度;根据所述多个第一纤芯长度和所述多个第二纤芯长度的差异确定所述T接点熔接点位置。本申请实施例实现了准确的获取到光缆线路中T接点的位置。
-
公开(公告)号:CN113828165A
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN202110988600.3
申请日:2021-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及一种聚乙烯醇超薄选择层复合纳滤膜的制备方法,包括:将聚乙烯醇粉末溶解在去离子水中得到聚乙烯醇溶液;将六氟二酐粉末溶解在无水乙醇中得到交联剂;将十二烷基硫酸钠颗粒溶解在去离子水中得到表面活性剂;先利用十二烷基硫酸钠溶液浸润基膜表面进行亲水性预处理;接着将交联剂六氟二酐溶液和聚乙烯醇溶液先后引入膜表面,发生梯度交联反应得到六氟二酐聚乙烯醇超薄选择层纳滤膜。本发明能够减小纳滤膜选择层的厚度,有效控制纳滤膜的渗透通量和分离性能之间相互制约效应。
-
公开(公告)号:CN113691307A
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202110927019.0
申请日:2021-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 鞍山睿科光电技术有限公司 , 哈尔滨理工大学 , 国家电网公司信息通信分公司 , 国网湖北省电力有限公司检修公司
IPC: H04B10/071
Abstract: 本发明提供了一种基于BOTDR和OTDR的OPGW光缆故障定位与预警方法,该方法包括:选取OPGW光缆的多个空余纤芯,利用OTDR和BOTDR分别测试多个空余纤芯的损耗和布里渊频移数据;基于多个空余纤芯的布里渊频移数据,确定熔接点;将所确定的熔接点与杆塔信息中的熔接杆塔位置进行对应,以定位熔接杆塔和应变异常区域;基于测试所得的多个空余纤芯的损耗以及熔接点与熔接杆塔位置的对应关系,识别非熔接点处大于第一阈值的损耗点,作为候选故障点;若候选故障点位于应变异常区域内,则进行故障点预警且预警的类型为第一类型。本发明的上述方法,能够为OPGW光缆运行提供更为精确的预警手段,准确定位应变和衰减异常的区域,具有重要意义。
-
公开(公告)号:CN112951915A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202110108176.9
申请日:2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法,在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构;在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极;所述颈区的下方设有集成晶体管;在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案,可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量;同时使器件内的电流密度大幅降低,从而降低因电流热效应而产生的热量,使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
-
公开(公告)号:CN103846640B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201210524753.3
申请日:2012-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: B23P17/02
Abstract: 本发明涉及一种微小孔的等离子体放电加工装置及加工方法,属于机械制造技术领域。本发明为解决现有微小孔加工方法难以完全避免表层/亚表层损伤,以及现有等离子体无损加工装置不适用于微小孔的超精密高效加工等问题。通过导向器将小直径线状电极固定于待加工孔中心,在电极与孔壁间的间隙内形成等离子体放电空间,射频电源通过阻抗匹配器与电极连接,工作气体通过对应的质量流量控制器控制流量后通入气室,接地夹套设置于工作台内并接地。方法:工件安放并接地,定位电极;通入气体,并调节流量;输入并调节功率;控制运动轨迹和驻留时间;关闭电源和气体;取出工件。本发明适用于微小孔的等离子体放电加工。
-
-
-
-
-
-
-
-
-