公开(公告)号：CN103846640B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201210524753.3

申请日：2012-12-07

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张巨帆 ,  李兵 ,  王颖 ,  党炜

IPC: B23P17/02

Abstract: 本发明涉及一种微小孔的等离子体放电加工装置及加工方法，属于机械制造技术领域。本发明为解决现有微小孔加工方法难以完全避免表层/亚表层损伤，以及现有等离子体无损加工装置不适用于微小孔的超精密高效加工等问题。通过导向器将小直径线状电极固定于待加工孔中心，在电极与孔壁间的间隙内形成等离子体放电空间，射频电源通过阻抗匹配器与电极连接，工作气体通过对应的质量流量控制器控制流量后通入气室，接地夹套设置于工作台内并接地。方法：工件安放并接地，定位电极；通入气体，并调节流量；输入并调节功率；控制运动轨迹和驻留时间；关闭电源和气体；取出工件。本发明适用于微小孔的等离子体放电加工。

公开(公告)号：CN103854993A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210524790.4

申请日：2012-12-07

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张巨帆 ,  李兵

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/02016 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明涉及一种大气等离子体化学平坦化方法及装置，属于机械制造技术领域。本发明为解决现有CMP等全局平坦化方法存在的如加工选择性不高、去除速率不均、清洗困难等问题。方法在大气压下激发等离子体和活性原子，通过活性原子与工件表面原子间的化学反应实现材料的去处，高处形貌的反应速率大于低处形貌的反应速率，从而实现表面的平坦化。装置的水冷电极置于成型电极上方，并共同设置于保持架内，保持架下端面设有放电挡板，保持架与台座间形成气流缓冲间隙，成型电极下端面与水冷吸附工作台上端面间形成放电间隙，射频电源通过阻抗匹配器与电极连接。本发明适用于硅晶圆、碳化硅/蓝宝石衬底、光伏电池薄膜层等的平坦化加工。

公开(公告)号：CN103854993B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201210524790.4

申请日：2012-12-07

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张巨帆 ,  李兵

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种大气等离子体化学平坦化方法及装置，属于机械制造技术领域。本发明为解决现有CMP等全局平坦化方法存在的如加工选择性不高、去除速率不均、清洗困难等问题。方法在大气压下激发等离子体和活性原子，通过活性原子与工件表面原子间的化学反应实现材料的去处，高处形貌的反应速率大于低处形貌的反应速率，从而实现表面的平坦化。装置的水冷电极置于成型电极上方，并共同设置于保持架内，保持架下端面设有放电挡板，保持架与台座间形成气流缓冲间隙，成型电极下端面与水冷吸附工作台上端面间形成放电间隙，射频电源通过阻抗匹配器与电极连接。本发明适用于硅晶圆、碳化硅/蓝宝石衬底、光伏电池薄膜层等的平坦化加工。

公开(公告)号：CN103846640A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210524753.3

申请日：2012-12-07

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张巨帆 ,  李兵 ,  王颖 ,  党炜

IPC: B23P17/02

CPC classification number: B23K10/00

Abstract: 本发明涉及一种微小孔的等离子体放电加工装置及加工方法，属于机械制造技术领域。本发明为解决现有微小孔加工方法难以完全避免表层/亚表层损伤，以及现有等离子体无损加工装置不适用于微小孔的超精密高效加工等问题。通过导向器将小直径线状电极固定于待加工孔中心，在电极与孔壁间的间隙内形成等离子体放电空间，射频电源通过阻抗匹配器与电极连接，工作气体通过对应的质量流量控制器控制流量后通入气室，接地夹套设置于工作台内并接地。方法：工件安放并接地，定位电极；通入气体，并调节流量；输入并调节功率；控制运动轨迹和驻留时间；关闭电源和气体；取出工件。本发明适用于微小孔的等离子体放电加工。