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公开(公告)号：CN115985691A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211678476.1
申请日：2022-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 一种基于氧化铋/ZnO异质结的自驱动紫外探测器及其制备方法，属于半导体探测材料及其制备技术领域。所述紫外探测器的探测材料为Bi2O3薄膜/ZnO纳米棒阵列异质结，所述ZnO纳米棒阵列垂直于Bi2O3薄膜生长，基于其制备了光电化学型和结构简单的异质结自驱动探测器。此外，通过磁控溅射技术沉积的Bi2O3薄膜作为异质结的一部分，同时又将其作为导电电极，制备了结构更为简单的自驱动紫外探测器。所制备探测器均可在室温下对紫外光实现有效探测，且能够在无外加偏压下工作。本发明采用的方法具有工艺简单、成本低廉和环境友好等优点，且适合大规模工业化生产，在光电领域中具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN115418716A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211145953.8
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量，使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料，这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN114758896A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210395407.3
申请日：2022-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种三维钠铋硫花状微球结构的制备方法及其在宽光谱光电探测器中的应用，所述NaBiS2是由许多个二维NaBiS2纳米片组装而成的花状微球分层结构，每个二维NaBiS2纳米片都是由大量的薄片相互规则交织形成。以制备的NaBiS2花状微球作为主体材料，构造了光电探测器。本发明所制备的NaBiS2花状微球探测器能够实现从紫外、可见到红外波段的宽光谱探测，并且在零偏压条件下即可工作。本发明合成了一种具有独特三维分层结构的NaBiS2花状微球，并基于其制备了高灵敏度的自供能宽光谱光电探测器，拓展了NaBiS2材料在光电探测领域的应用。
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公开(公告)号：CN113299779A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110580063.9
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨红外双色探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、MoS2层、WS2层和金电极，蓝宝石衬底上生长MoS2层，MoS2层上生长WS2层，金电极设置在MoS2层和WS2层上，具体制备方法如下：一、利用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上生长MoS2层；二、利用CVD技术在MoS2层上生长WS2层；三、利用磁控溅射技术在MoS2层和WS2层表面蒸镀金电极。本发明利用WS2层与MoS2层构成超晶格，通过调节厚度，在超晶格中形成多个子带能级，能级带隙满足中波双色红外探测要求，当入射光子大于等于超晶格的自带能级时，光生载流子可以在子带间跃迁，超晶格的电导率增加，实现红外双波段探测。
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公开(公告)号：CN113299778A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110579522.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113257933A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110580066.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法，所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极，GaN衬底上生长的Bi2Se3层，GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结，金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上，具体制备方法如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层；二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极，得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器，利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构，实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比，器件结构简单，降低了系统的体积、功耗和成本。
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公开(公告)号：CN103382550B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310300203.8
申请日：2013-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备铜掺杂氧化锌纳米梳的方法，涉及一种纳米材料的制备方法。所述方法步骤如下：将纯铜基片进行超声处理，然后浸泡在乙醇中待用；将氧化锌粉与碳粉按质量比1:1经研磨混合均匀放入石英舟中，移入管式炉加热中心区域；将超声清洗过的纯铜基片在惰性气体中吹干，放入管式炉特定区域，之后向炉中通入惰性气体；设定启动管式炉温控程序，将系统升温至910-920℃，保温时间为30min；待系统自然冷却后将样品取出，铜片表面附着的沉淀物即为铜掺杂氧化锌纳米梳。本发明首次直接通过铜箔获得铜掺杂的氧化锌纳米梳，技术比较简单；生长过程中，无需单独添加催化剂；制备出的铜掺杂纳米梳为多层结构，具有较大的比表面积。
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公开(公告)号：CN103382550A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310300203.8
申请日：2013-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备铜掺杂氧化锌纳米梳的方法，涉及一种纳米材料的制备方法。所述方法步骤如下：将纯铜基片进行超声处理，然后浸泡在乙醇中待用；将氧化锌粉与碳粉按质量比1∶1经研磨混合均匀放入石英舟中，移入管式炉加热中心区域；将超声清洗过的纯铜基片在惰性气体中吹干，放入管式炉特定区域，之后向炉中通入惰性气体；设定启动管式炉温控程序，将系统升温至910-920℃，保温时间为30min；待系统自然冷却后将样品取出，铜片表面附着的沉淀物即为铜掺杂氧化锌纳米梳。本发明首次直接通过铜箔获得铜掺杂的氧化锌纳米梳，技术比较简单；生长过程中，无需单独添加催化剂；制备出的铜掺杂纳米梳为多层结构，具有较大的比表面积。
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公开(公告)号：CN119660788A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411746685.4
申请日：2024-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/047 , C01G9/02 , C03C17/00 , H10F77/12 , H10F77/123 , H10F71/00 , H10F30/222 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于空心结构的TiO2和TiO2/ZnO异质结的制备方法及其在紫外探测器中的应用，所述空心结构TiO2为TiO2空心球、TiO2空心立方体与TiO2空心十二面体，所述空心的异质结构由空心结构TiO2与ZnO纳米棒组成，ZnO纳米棒生长在TiO2空心结构表面，整体呈现刺猬状；将制备的空心结构TiO2及TiO2/ZnO异质结涂敷在FTO导电玻璃导电面上制成工作电极，通过热封膜与对电极相连接，内部空腔注入电解质获得具有高探测性能的紫外探测器，适用于紫外探测领域。本发明采用的方法具有操作简单，成本低且普适性高的优点，合成了球形、立方体和十二面体等不同的空心结构TiO2和刺猬状TiO2/ZnO异质结，并进一步制备了具有自供能特性的紫外探测器，拓展了TiO2纳米材料在光电探测领域的应用。
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公开(公告)号：CN119364893A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411353142.6
申请日：2024-09-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/169
Abstract: 一种缺陷浓度可调的硒化铋薄膜的制备方法及其在光电突触器件上的应用，属于二维光电材料和光电突触器件制备技术领域。具体方案如下：采用化学气相沉积制备Bi2Se3薄膜，通过避免空气接触和保持原有气氛的原位热处理对所制备的Bi2Se3薄膜进行二次处理得到缺陷浓度可调的硒化铋薄膜。本发明制备的硒化铋薄膜光电突触器件为MSM结构，结构简单，有集成潜力；本发明的Bi2Se3薄膜光电突触器件的光电响应具备明显的类生物突触的长时程增强、短时程增强、对脉冲增强等基本突触行为，能够应用于人工智能领域。
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