公开(公告)号：CN119551717A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411748119.7

申请日：2024-12-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  容萍 ,  高世勇 ,  贺雯

IPC: C01G29/00 ,  H10F30/10 ,  H10F77/12 ,  H10F77/169

Abstract: 一种大面积的类蜂窝状硫化铋柔性薄膜的制备方法及其应用，属于半导体探测材料及其制备技术领域。本发明通过低压化学气相沉积法制备了大面积的类蜂窝状Bi2S3柔性薄膜，该柔性薄膜由稳定的三角形单元结构排列组成，使其呈相互连接的网络结构。其中，三角形单元结构由规则排列的一维纳米带相互交织而成。基于大面积的类蜂窝状Bi2S3柔性薄膜设计了工艺简单的柔性宽光谱光电探测器。所制备的探测器均能实现对紫外、可见和红外光的探测，并且在弯曲条件下具有高的响应度、快速的响应特性以及优异的稳定性。更重要的是，该器件不经过任何封装并在空气中连续弯曲一周后仍展现出了优异的循环稳定性和空气稳定性。

公开(公告)号：CN119364893A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411353142.6

申请日：2024-09-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  陈磊 ,  贺雯

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/20 ,  H10F77/169

Abstract: 一种缺陷浓度可调的硒化铋薄膜的制备方法及其在光电突触器件上的应用，属于二维光电材料和光电突触器件制备技术领域。具体方案如下：采用化学气相沉积制备Bi2Se3薄膜，通过避免空气接触和保持原有气氛的原位热处理对所制备的Bi2Se3薄膜进行二次处理得到缺陷浓度可调的硒化铋薄膜。本发明制备的硒化铋薄膜光电突触器件为MSM结构，结构简单，有集成潜力；本发明的Bi2Se3薄膜光电突触器件的光电响应具备明显的类生物突触的长时程增强、短时程增强、对脉冲增强等基本突触行为，能够应用于人工智能领域。

公开(公告)号：CN120076430A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510226263.2

申请日：2025-02-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  范向前 ,  贺雯

IPC: H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14

Abstract: 一种碲化铋/氮化镓紫外‑近红外宽波段自供能光电突触器件及其制备方法，属于二维半导体材料和神经形态器件技术领域。本发明的碲化铋/氮化镓光电突触器件具体包括氮化镓衬底、碲化铋层和金电极，氮化镓衬底和碲化铋层通过转移技术堆叠，二者之间形成碲化铋/氮化镓异质结，两个金电极分别位于氮化镓衬底和碲化铋层上。该光电突触器件响应范围宽，在紫外到近红外(350‑1064nm)光谱范围内表现出显著的光突触行为，在8×10‑8W/cm2功率的光刺激下就可以工作，并且具有自供能工作能力，可以模拟生物突触的长时程增强、短时程增强和双脉冲易化效应等基本突触行为，可应用于低功耗人工智能等领域。

公开(公告)号：CN120076429A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510226262.8

申请日：2025-02-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  范向前 ,  贺雯

IPC: H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/12

Abstract: 一种碲化铋/铋氧硒异质结光电探测器及其制备方法，属于半导体材料和光电探测器制备技术领域。本发明通过改进的二维材料转移工艺，将化学气相沉积方法生长的Bi2Te3和Bi2O2Se垂直堆叠在一起，形成Bi2Te3/Bi2O2Se异质结。然后通过电子束蒸镀分别在Bi2Te3层和Bi2O2Se层上蒸镀金电极，制备了二端光电探测器，所制备的探测器相比于Bi2O2Se基光电探测器，暗电流降低一个数量级，响应度和比探测率提高一个数量级，开关比提高了100倍，光电探测性能有全面的提升。

公开(公告)号：CN119121179A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411257589.3

申请日：2024-09-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  容萍 ,  高世勇 ,  贺雯

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  H01L31/09 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392

Abstract: 一种大面积的类蜂窝状硫化铋柔性薄膜的制备方法及其应用，属于半导体探测材料及其制备技术领域。本发明通过低压化学气相沉积法制备了大面积的类蜂窝状Bi2S3柔性薄膜，该柔性薄膜由稳定的三角形单元结构排列组成，使其呈相互连接的网络结构。其中，三角形单元结构由规则排列的一维纳米带相互交织而成。基于大面积的类蜂窝状Bi2S3柔性薄膜设计了工艺简单的柔性宽光谱光电探测器。所制备的探测器均能实现对紫外、可见和红外光的探测，并且在弯曲条件下具有高的响应度、快速的响应特性以及优异的稳定性。更重要的是，该器件不经过任何封装并在空气中连续弯曲一周后仍展现出了优异的循环稳定性和空气稳定性。