公开(公告)号：CN120076430A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510226263.2

申请日：2025-02-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  范向前 ,  贺雯

IPC: H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14

Abstract: 一种碲化铋/氮化镓紫外‑近红外宽波段自供能光电突触器件及其制备方法，属于二维半导体材料和神经形态器件技术领域。本发明的碲化铋/氮化镓光电突触器件具体包括氮化镓衬底、碲化铋层和金电极，氮化镓衬底和碲化铋层通过转移技术堆叠，二者之间形成碲化铋/氮化镓异质结，两个金电极分别位于氮化镓衬底和碲化铋层上。该光电突触器件响应范围宽，在紫外到近红外(350‑1064nm)光谱范围内表现出显著的光突触行为，在8×10‑8W/cm2功率的光刺激下就可以工作，并且具有自供能工作能力，可以模拟生物突触的长时程增强、短时程增强和双脉冲易化效应等基本突触行为，可应用于低功耗人工智能等领域。

公开(公告)号：CN120076429A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510226262.8

申请日：2025-02-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  范向前 ,  贺雯

IPC: H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/12

Abstract: 一种碲化铋/铋氧硒异质结光电探测器及其制备方法，属于半导体材料和光电探测器制备技术领域。本发明通过改进的二维材料转移工艺，将化学气相沉积方法生长的Bi2Te3和Bi2O2Se垂直堆叠在一起，形成Bi2Te3/Bi2O2Se异质结。然后通过电子束蒸镀分别在Bi2Te3层和Bi2O2Se层上蒸镀金电极，制备了二端光电探测器，所制备的探测器相比于Bi2O2Se基光电探测器，暗电流降低一个数量级，响应度和比探测率提高一个数量级，开关比提高了100倍，光电探测性能有全面的提升。