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公开(公告)号：CN106596581B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201611016108.5
申请日：2016-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明公开了一种测量表面形貌检测多层薄膜层间内部缺陷的方法，属于微电子及微电子机械制造技术领域。为了解决现有薄膜器件、微电子、微电子机械等器件制备、检测过程中需要破坏性加工、费时长、成本高等的问题，本发明提供了一种测量表面形貌检测多层薄膜层间内部缺陷的方法，利用老化、热循环或者机械循环前后薄膜表面由于内部缺陷出现造成的形貌变化的现象识别出缺陷的部位和尺寸。该方法具有快速、无损、实时、检测成本低的特点，将其应用于微电子、微电子机械等信息电子制造领域，可以使制造成本、测试成本大幅降低，质量得以提高，在这些领域以及类似结构的制造领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108015373A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711397764.9
申请日：2017-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种扩展服役工作温度范围的组合合金软钎焊焊接结构的制备方法，属于微连接技术领域。所述方法如下：步骤一：在导体金属上涂覆焊膏或放置焊片，根据不同的焊接结构，选择两种钎料合金同时焊接或者分步焊接；步骤二：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，完成润湿和界面反应。本发明通过将在高温、低温下力学性能不同的钎料合金组合焊接，形成了可以同时承受低温、高温载荷的焊点结构，在成本低、与传统焊接工艺兼容性好的前提下实现了在极低和极高温度范围工作的电子互连焊点可靠性的提高。
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公开(公告)号：CN105977172B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610337329.6
申请日：2016-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种辅助手动晶圆键合装置，包括长直角弯头接头、晶圆槽A、晶圆槽B、定角度合页、缓冲块A、缓冲块B、直线轴承A、直线轴承B、直线轴承C、直线光轴A、直线光轴B、直线光轴C、弹簧A、弹簧B、弹簧C、直线轴承连接件和底座，长直角弯头接头较短一端与晶圆槽A中心通孔过盈配合，晶圆槽A通过定角度合页与直线轴承C固定连接，晶圆槽B通过三根直线光轴与底座固定连接，三根弹簧分别与三根直线光轴间隙配合且位于靠近底座一端；三根直线轴承分别与三根直线光轴过盈配合且分别与三根弹簧上端固定连接，缓冲块A、缓冲块B分别与直线轴承A、直线轴承B固定连接。本发明避免了双手与晶圆片的直接接触，改善了手动晶圆键合质量。
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公开(公告)号：CN104741821B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510181770.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , B23K35/14
Abstract: 本发明公开了一种用于电子模块高温封装微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏及其制备方法，所述微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏按质量比由铜锡微纳米颗粒80~90、分散剂2~8、助焊剂2~8、触变剂2~8制成，采用直接液相多元顺序可控还原方法顺序还原出微纳米铜、微纳米锡，同时实现微纳米铜锡颗粒的高度均匀化混合，将制备得到的混装铜锡微纳米颗粒与分散剂、助焊剂、触变剂等混合，通过混装分散工艺制成焊膏。本发明采用直接液相多元顺序可控还原方法制备微纳米铜颗粒，在含有铜颗粒的反应液中直接二次制备微纳米锡颗粒的方法制备微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏，具有方法简单，生产效率高，工艺适用范围广，焊膏铜锡可控，与传统封装工艺匹配的优势。
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公开(公告)号：CN104023493B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410274817.8
申请日：2014-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明涉及一种水下电器电线过孔防水密封装置，其电器壳体壁上设有一体化的圆套筒，圆套筒上端部和下端部分别通过螺纹连接有压紧螺母，圆套筒内设有一弹性密封环套，弹性密封环套上下两端面上分别设有一锥形环槽；弹性密封环套与压紧螺母之间分别设有插入式压环，插入式压环上分别设有与锥形环槽相对应的环形插入体，拧紧压紧螺母，压紧螺母压迫插入式压环向弹性密封环套上相对应的锥形环槽移动，弹性密封环套受到挤压产生膨胀变形，外壁与圆套筒内壁紧密贴合，内部电线通孔缩小抱紧电线，实现电线过孔的防水密封。本发明结构紧凑，各部件受力均匀，密封性能好，能在一定范围内适用于不同外径的电线，可现场通线固定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105081500A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510553532.2
申请日：2015-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/19 , B23K1/20 , B32B15/00 , B32B17/061 , B32B38/00 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/5886
Abstract: 本发明公开了一种采用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法，其步骤如下：步骤一：在基板表面制备种子层；步骤二：在种子层表面继续制备金属薄膜；步骤三：在金属薄膜表面制备Sn膜；步骤四：加热上述基板及双层薄膜，制备出金属间化合物薄膜；步骤五：将金属间化合物薄膜分别转移到芯片、基板焊盘表面；步骤六：在金属间化合物薄膜表面镀Sn薄膜；步骤七：将焊盘对接，施加压力，放入回流炉中，经历预热、保温、再流、冷却阶段。本发明大大缩短可用于高温封装互连的金属间化合物焊点的制备时间，并实现对后续生长金属间化合物的晶粒取向和数量的控制，达到金属间化合物焊点快速制备、微观组织可控的目的。
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公开(公告)号：CN104862701A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510235060.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用多层微米、亚微米薄膜快速制备可高温服役全IMC微焊点的方法，其步骤如下：在圆片或芯片焊盘表面制备Cu或Ag膜，再依次沉积微米或亚微米级厚度的Sn/(Cu或Ag)，可以根据所需焊点的高度重复上述Sn/(Cu或Ag)膜层的沉积步骤，达到所需厚度后，在上述多层微米、亚微米薄膜表面制备Sn膜；将上述圆片或芯片的多层薄膜结构与基板或其它圆片、芯片需要连接焊盘对准，并施加压力；将该体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，最终实现全IMC焊点的制备。本发明中全IMC焊点的制备工艺可以很好的与传统的钎料再流焊工艺或热压焊工艺兼容，在低温、短时间内实现全IMC焊点的制备。在成本低、生产效率高的前提下实现焊点低温键合高温服役。
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公开(公告)号：CN102935535B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210516546.3
申请日：2012-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K3/03
Abstract: 一种可提高导线与焊盘焊接效率及可靠性的手工电烙铁头，它涉及手工电烙铁头，本发明是要解决现有电烙铁通过热传导的方式加热导线和焊盘，会延长预热和焊接时间导致电路板受到高温而损坏问题，以及待焊部位温度不均匀导致焊缝内部的微观组织结构存在差异，长时间反应使界面反应剧烈导致焊点的可靠性下降的问题。本发明中的手工电烙铁头，其结构为：电烙铁头端部的中部有一豁口，此豁口长度为3mm~10mm；豁口的右侧部分长于豁口的左侧部分，施焊过程中焊丝于豁口的左侧部分与焊盘平面之间形成的空间处添加。本发明适用于电子器件焊接工程领域。
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公开(公告)号：CN102491261B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110439586.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种基于引线键合的MEMS自组装过程的限位方法，它涉及一种MEMS自组装过程的限位方法，具体涉及一种基于引线键合的MEMS自组装过程的限位方法。本发明为了解决现有MEMS自组装过程中的限位方法是通过微加工工艺制造完成，工艺复杂、成品率低、成本高的问题。本发明的具体步骤为：将需要进行自组装的MEMS芯片进行牺牲层释放，使活动微结构不受约束，然后将MEMS芯片夹持在夹具上，在活动微结构的两侧分别各制作有一个用于进行丝球键合用焊盘；在MEMS芯片的活动微结构的上方通过丝球键合工艺制作一个梯形形状的金属丝限位结构；通过外部激励机制，激励活动微结构发生自组装运动；当活动微结构接触到金属丝限位结构后，即可发生止动。本发明用于MEMS自组装过程中。
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公开(公告)号：CN103985651A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410198471.8
申请日：2014-05-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , B81C3/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种低温快速连接活化金属表面与微纳米连接材料的方法，涉及一种纳米微连接的方法。本发明要解决现有微连接技术连接时间长、连接温度高以及界面有缺陷的问题。本发明方法：一、选择基板材料；二、制备金属微纳米结构；三、选择微纳米连接材料；四、进行键合。相比传统的熔融焊接明显提高连接效率，缩短连接时间，降低连接工艺温度，无需助焊剂，键合残余应力低，界面微孔洞等缺陷少，而且工艺流程简单、耗时短。本发明用于低温快速连接活化金属表面与微纳米连接材料。
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